首次提出了兼容30 V BiFET工艺的多晶硅发射极NPN新器件NRE-NPN,该器件具有多晶硅负反馈电阻新机理,可实现对输入电压和温度变化自调整,故拓宽高精度运算放大器的应用范围。在运算放大模式下,NRE-NPN保持较稳定的电流增益β值,约为147...首次提出了兼容30 V BiFET工艺的多晶硅发射极NPN新器件NRE-NPN,该器件具有多晶硅负反馈电阻新机理,可实现对输入电压和温度变化自调整,故拓宽高精度运算放大器的应用范围。在运算放大模式下,NRE-NPN保持较稳定的电流增益β值,约为147。当ΔVBE为0.2 V时,β仅变化24,较传统NPN(C-NPN)变化量降低40%,且安全工作区(SOA)扩宽10%,有效缓解高功率条件下的热失控现象。另外,得益于多晶硅发射极电阻呈现更大的正温度系数(0.1Ω/℃),NRE-NPN的最高工作温度提升约30℃,且在40℃时β退化幅度降低50%。最后,采用NRENPN研制了三级运算放大器芯片,该芯片在整个频率范围内CMRR提升至83 dB,PSRR达97.23dB,展现出增强的共模抑制比。展开更多
摘要首次提出了兼容30 V BiFET工艺的多晶硅发射极NPN新器件NRE-NPN,该器件具有多晶硅负反馈电阻新机理,可实现对输入电压和温度变化自调整,故拓宽高精度运算放大器的应用范围。在运算放大模式下,NRE-NPN保持较稳定的电流增益β值,约为147。当ΔVBE为0.2 V时,β仅变化24,较传统NPN(C-NPN)变化量降低40%,且安全工作区(SOA)扩宽10%,有效缓解高功率条件下的热失控现象。另外,得益于多晶硅发射极电阻呈现更大的正温度系数(0.1Ω/℃),NRE-NPN的最高工作温度提升约30℃,且在40℃时β退化幅度降低50%。最后,采用NRENPN研制了三级运算放大器芯片,该芯片在整个频率范围内CMRR提升至83 dB,PSRR达97.23dB,展现出增强的共模抑制比。