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皱纹状介孔C-mSiO2/CeO2复合磨料对氧化硅的化学机械抛光机制 认领 引用
1
作者 王东伟 王胜利 +4 位作者 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2026年第3期106-113,共8页
为探究二氧化硅层间介质(ILD)化学机械抛光(CMP)过程中抛光速率与表面缺陷的控制机制,研究皱纹状介孔碳修饰二氧化硅/氧化铈(C-mSiO2/CeO2)复合磨料对氧化硅的抛光行为。通过微乳液法制备具有核壳结构的复合磨料,经扫描电子显微镜... 为探究二氧化硅层间介质(ILD)化学机械抛光(CMP)过程中抛光速率与表面缺陷的控制机制,研究皱纹状介孔碳修饰二氧化硅/氧化铈(C-mSiO2/CeO2)复合磨料对氧化硅的抛光行为。通过微乳液法制备具有核壳结构的复合磨料,经扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表征,证实其具备完整的包覆形貌。抛光实验结果表明:相较于普通氧化硅及氧化铈磨料,C-mSiO2/CeO2复合磨料对氧化硅的去除速率最高可达112.1 nm/min,同时获得优异表面质量(表面粗糙度Sq=0.0514 nm)。能量色散X射线光谱(EDX)元素分析显示,Si、O、Ce元素质量分数分别为18.65%、38.78%和42.57%。氮气吸附-脱附测试结合Brunauer-Emmett-Teller和Barrett-Joyner-Halenda模型计算表明,该磨料具有221.716 m2/g的高比表面积、5.44 nm孔径及0.3187 cm3/g孔体积,其有序孔隙结构和高比表面积为CMP过程提供了优异的机械支撑。X射线光电子能谱(XPS)化学键分析表明,CeO2颗粒主要通过Si-O-Ce键与SiO2内核结合。这种化学键合作用及体系中Ce3+离子含量的提升,协同促进了氧化硅去除速率的显著提高。 展开更多
关键词 C-mSiO2/CeO2复合磨料 化学机械拋光 二氧化硅 高比表面积 核壳结构
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TiO2-Ag双功能涂层协同修饰的SiO基复合负极材料制备及高容量锂离子存储性能研究 认领 引用
2
作者 吴霞 张海燕 洪浩群 《新能源进展》 CSCD 北大核心 2026年第2期167-175,共9页
为满足锂离子电池领域对高容量、长寿命储能技术的迫切需求,硅基负极材料因其高理论容量优势成为产业化应用研究的重点。然而,硅(Si)在锂化过程中严重的体积膨胀制约了其应用。与Si相比,一氧化硅(SiO)的体积膨胀虽有所降低,但仍存在本... 为满足锂离子电池领域对高容量、长寿命储能技术的迫切需求,硅基负极材料因其高理论容量优势成为产业化应用研究的重点。然而,硅(Si)在锂化过程中严重的体积膨胀制约了其应用。与Si相比,一氧化硅(SiO)的体积膨胀虽有所降低,但仍存在本征电导率低和初始库仑效率低等问题。为解决SiO材料的缺陷,采用二氧化钛(TiO2)和银(Ag)双功能涂层修饰策略,通过球磨法和溶胶凝胶法制备了TiO2和Ag双涂层修饰的SiO基复合材料(D-SiO@TiO2@Ag)。电化学测试表明,在0.2 A/g电流密度下,该复合材料经过100次循环后可逆容量为1164.3 mA·h/g,容量保持率为73.29%,显著高于未修饰SiO的547.9 mA·h/g和34.16%。D-SiO@TiO2@Ag复合材料结合了SiO的高容量和TiO2的缓解体积膨胀优势,同时通过Ag纳米颗粒提升了导电性和电荷传输性能,为新一代高容量、高稳定性的硅基负极材料提供了设计思路。 展开更多
关键词 纳米复合材料 锂离子电池 硅基负极 银纳米颗粒 SiO TiO2
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丝胶蛋白/SiO2纳米复合溶胶对芳纶服用性能的影响 认领 引用
3
作者 田恬 尉霞 +3 位作者 康青青 罗璟娴 王庆博 刘阳 《纺织科技进展》 CAS 2026年第1期27-30,共4页
为解决芳纶织物服用性能不足的问题,制备丝胶蛋白/SiO2纳米复合溶胶并将其整理到间位芳纶上,研制出不同复合溶胶的织物试样,并探究复合溶胶浓度对芳纶织物服用性能的影响。结果表明,当复合溶胶浓度为4%时,整理后织物的各项性能较好。在... 为解决芳纶织物服用性能不足的问题,制备丝胶蛋白/SiO2纳米复合溶胶并将其整理到间位芳纶上,研制出不同复合溶胶的织物试样,并探究复合溶胶浓度对芳纶织物服用性能的影响。结果表明,当复合溶胶浓度为4%时,整理后织物的各项性能较好。在最优整理条件(浓度4%)下,间位芳纶的回潮率、导湿性、抗静电性及透湿性均有所改善,而透气性略微下降,总体而言,芳纶织物的服用性能得到改善。 展开更多
关键词 丝胶蛋白/SiO2纳米复合溶胶 间位芳纶 服用性能
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包覆结构CeO_2/SiO_2复合磨料的合成及其应用 认领 引用 被引量：6
4
作者 陈杨 隆仁伟 陈志刚 《中国有色金属学报》 EI CAS 北大核心 2010年第1期163-169,共7页
以正硅酸乙酯水解所得的SiO2微球为内核,采用均匀沉淀法制备具有草莓状包覆结构的CeO2/SiO2复合粉体。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪(XPS)、动态光散射仪和Zeta电位测定仪等手段,对所制备样品的物相结构、组成、... 以正硅酸乙酯水解所得的SiO2微球为内核,采用均匀沉淀法制备具有草莓状包覆结构的CeO2/SiO2复合粉体。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪(XPS)、动态光散射仪和Zeta电位测定仪等手段,对所制备样品的物相结构、组成、形貌和粒径大小进行表征。将所制备的包覆结构CeO2/SiO2复合粉体用于硅晶片热氧化层的化学机械抛光,用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌,测量表面粗糙度,并测量材料去除率。结果表明:所制备的CeO2/SiO2复合颗粒呈规则球形,平均粒径为150～200nm,CeO2纳米颗粒在SiO2内核表面包覆均匀。CeO2颗粒的包覆显著地改变复合颗粒表面的电动力学行为,CeO2/SiO2复合颗粒的等电点为6.2,且明显地偏向纯CeO2;CeO2外壳与SiO2内核之间形成Si—O—Ce键,两者产生化学键结合;抛光后的硅热氧化层表面在2μm×2μm范围内粗糙度为0.281nm,材料去除率达到454.6nm/min。 展开更多
关键词 CeO2/SiO2复合磨料 包覆 化学机械抛光
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包覆型纳米CeO_2@SiO_2复合磨料的制备、表征及其抛光性能 认领 引用 被引量：5
5
作者 隆仁伟 陈杨 +1 位作者 赵晓兵 陈志刚 《摩擦学学报（中英文）》 EI CAS 北大核心 2009年第5期412-417,共6页
以无水乙醇为溶剂,氨水为催化剂,利用正硅酸乙酯(TEOS)水解,并在500℃下煅烧1h,制备了SiO2粉体.将SiO2粉体作为内核浸渍到以硝酸亚铈、乙酰丙酮和正丙醇为原料制备的铈溶胶中,得到包覆型CeO2@SiO2复合粉体.利用XRD、SEM、TEM和FT-IR等... 以无水乙醇为溶剂,氨水为催化剂,利用正硅酸乙酯(TEOS)水解,并在500℃下煅烧1h,制备了SiO2粉体.将SiO2粉体作为内核浸渍到以硝酸亚铈、乙酰丙酮和正丙醇为原料制备的铈溶胶中,得到包覆型CeO2@SiO2复合粉体.利用XRD、SEM、TEM和FT-IR等测试手段,对所制备样品的物相结构、形貌、粒径大小、团聚情况进行表征.将所制备的包覆型CeO2@SiO2复合粉体配制成抛光浆料用于砷化镓晶片的化学机械抛光,用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌,测量表面粗糙度.结果表明,采用浸渍工艺成功制备出单分散球形,粒径在400～450nm,负载均匀的包覆型CeO2@SiO2复合粉体.复合粉体中CeO2的包覆量随着铈溶胶中铈离子浓度的升高而增大.经包覆型CeO2@SiO2复合磨料抛光后的砷化镓晶片表面的微观起伏更趋于平缓,在1μm×1μm范围内表面粗糙度Ra值为0.819nm,获得了具有亚纳米量级粗糙度的抛光表面. 展开更多
关键词 CeO2@SiO2复合磨料 浸渍 包覆 砷化镓 抛光
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CeO_2@SiO_2复合磨料的制备 认领 引用 被引量：3
6
作者 赵治安 倪自丰 +4 位作者 卞达 杨大林 黄国栋 王永光 赵永武 《陕西师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期55-58,共4页
以SiO2颗粒为内核,通过均相沉淀法制备出包覆结构的CeO2@SiO2复合磨料,研究了CeO2的含量、反应时间、煅烧温度对制备CeO2@SiO2复合磨料的影响.结果表明:六水硝酸亚铈的加入量为7.02g时,复合磨料包覆均匀,分散性好,粒谷大小合适;反应时间... 以SiO2颗粒为内核,通过均相沉淀法制备出包覆结构的CeO2@SiO2复合磨料,研究了CeO2的含量、反应时间、煅烧温度对制备CeO2@SiO2复合磨料的影响.结果表明:六水硝酸亚铈的加入量为7.02g时,复合磨料包覆均匀,分散性好,粒谷大小合适;反应时间为2h时,复合磨料的结构基本形成;煅烧温度为500℃,复合磨料的粒径分布范围小,形状呈圆形.并通过X射线衍射仪(XRD)、纳米激光粒度仪等对制备的样品进行了表征. 展开更多
关键词 CeO2SiO2复合磨料 包覆量 反应时间 煅烧温度
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新型核-壳结构PS/CeO_2和PS/SiO_2复合磨料的制备及其抛光性能 认领 引用 被引量：3
7
作者 陈杨 隆仁伟 +1 位作者 陈志刚 陈爱莲 《中国有色金属学报》 EI CAS 北大核心 2010年第8期1612-1617,共6页
以聚苯乙烯(PS)微球为内核,采用液相法制备具有核壳结构的PS/CeO2和PS/SiO2复合颗粒。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜、傅里叶转换红外光谱仪和热重分析仪等对所制备样品的物相结构、形貌和粒径等进行表征。将... 以聚苯乙烯(PS)微球为内核,采用液相法制备具有核壳结构的PS/CeO2和PS/SiO2复合颗粒。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜、傅里叶转换红外光谱仪和热重分析仪等对所制备样品的物相结构、形貌和粒径等进行表征。将所制备的复合磨料用于硅晶片表面二氧化硅介质层的化学机械抛光,采用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌,并测量表面粗糙度。结果表明:所制备的PS/CeO2和PS/SiO2复合颗粒呈近球形,粒径为250～300nm,且具有核壳包覆结构,包覆层的厚度为10～20nm;硅晶片表面二氧化硅介质层经PS/CeO2和PS/SiO2复合颗粒抛光后,表面无划痕,且非常平整,在5μm×5μm范围内,粗糙度均方根值(RMS)分别为0.238nm和0.254nm。 展开更多
关键词 PS/CeO2复合磨料 PS/SiO2复合磨料 核-壳结构 包覆 化学机械抛光
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CeO_2@SiO_2纳米复合磨料的制备及其对光学石英玻璃的抛光性能 认领 引用 被引量：4
8
作者 陈杨 隆仁伟 陈志刚 《材料导报》 CAS 北大核心 2010年第18期35-38,共4页
以无水乙醇为溶剂、氨水为催化剂,利用正硅酸乙酯水解所得的SiO2微球为内核,以硝酸亚铈为铈源、六亚甲基四胺为沉淀剂,采用化学沉淀法制备了具有草莓状包覆结构的CeO2@SiO2复合颗粒。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、场发射扫描电镜... 以无水乙醇为溶剂、氨水为催化剂,利用正硅酸乙酯水解所得的SiO2微球为内核,以硝酸亚铈为铈源、六亚甲基四胺为沉淀剂,采用化学沉淀法制备了具有草莓状包覆结构的CeO2@SiO2复合颗粒。利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、场发射扫描电镜、能谱仪、X射线光电子能谱仪、纳米激光粒度分布仪等对所制备样品的结构进行了表征。将所制备的包覆结构CeO2@SiO2复合磨料用于光学石英玻璃的化学机械抛光,采用原子力显微镜观察了抛光表面的微观形貌,并测量了表面粗糙度。结果表明,所制备的CeO2@SiO2复合颗粒呈规则球形,粒度分布均匀,粒径为150～200nm,且具有明显的草莓状包覆结构,大量纳米CeO2颗粒紧密包覆在SiO2表面。AFM测量结果表明,抛光后玻璃表面划痕得到明显改善,在10μm×10μm范围内表面粗糙度RMS值由1.65nm降至0.484nm。 展开更多
关键词 CeO2@SiO2 复合磨料 包覆 石英玻璃 抛光
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低浓度CeO2/SiO2复合磨料对硅片CMP性能的影响 认领 引用 被引量：1
9
作者 刘文博 王辰伟 +4 位作者 罗翀 岳泽昊 王雪洁 邵祥清 李瑾 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第10期1227-1234,共8页
为了在硅衬底化学机械平坦化(CMP)过程中提高对硅衬底的去除速率,同时获得良好的表面质量,选用了CeO2包覆SiO2的壳核结构复合磨料,研究其在低浓度下对硅衬底去除速率和表面质量的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、光电子能谱(XPS)... 为了在硅衬底化学机械平坦化(CMP)过程中提高对硅衬底的去除速率,同时获得良好的表面质量,选用了CeO2包覆SiO2的壳核结构复合磨料,研究其在低浓度下对硅衬底去除速率和表面质量的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、光电子能谱(XPS)对CeO2/SiO2复合磨料样品的结构、形貌进行了表征,表明其具有完整包覆的壳核结构。BET比表面积和摩擦系数测试显示,在相似粒径下CeO2/SiO2复合磨料比SiO2磨料拥有更大的比表面积和摩擦系数,从而提高了对硅片的化学反应和机械磨削作用。实验表明,当采用质量分数0.5%的CeO2/SiO2复合磨料(粒径75nm)对硅衬底抛光后,其去除速率可达到530nm/min,硅衬底表面粗糙度为0.361nm。因此,相对于传统SiO2磨料,采用CeO2/SiO2复合磨料抛光可以在低浓度条件下同时具备高去除速率和良好的表面质量。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) CeO2/SiO2复合磨料 硅 去除速率 表面质量
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SiO2嵌入分离层制备高性能薄膜复合膜 认领 引用 被引量：1
10
作者 胡小杰 丰桂珍 +2 位作者 方圳生 张火梅 陈俊 《水处理技术》 CAS CSCD 北大核心 2025年第3期44-48,共5页
为提高传统纳滤膜的分离性与抗污染性,以聚砜超滤膜(PSF)为基膜,以哌嗪(PIP)、均苯三甲酰氯(TMC)分别为水、有机相单体,引入二氧化硅(SiO2)作为水相添加材料,通过界面聚合(IP)反应制备二氧化硅薄膜复合膜(TFN-SiO2),研究SiO2... 为提高传统纳滤膜的分离性与抗污染性,以聚砜超滤膜(PSF)为基膜,以哌嗪(PIP)、均苯三甲酰氯(TMC)分别为水、有机相单体,引入二氧化硅(SiO2)作为水相添加材料,通过界面聚合(IP)反应制备二氧化硅薄膜复合膜(TFN-SiO2),研究SiO2的添加对膜表面特性、分离性能及抗污染性能的影响。结果表明:SiO2的嵌入对膜的表面粗糙度、亲水性和负电性都有较大增强;当SiO2添加质量比为0.02%时,TFN-SiO2膜的水通量达到35.5 L/(m2·h),对Na2SO4的截留维持在95%以上,在30 h的脱盐试验中保持良好的稳定性,同时对腐殖酸(HA)、牛血清蛋白(BSA)、海藻酸钠(SA)三种模型污染物的抗污染性能有所提升。 展开更多
关键词 界面聚合 SiO2 薄膜复合膜 抗污染性
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SiO_2/CeO_2复合磨粒的制备及在蓝宝石晶片抛光中的应用 认领 引用 被引量：14
11
作者 白林山 熊伟 +2 位作者 储向峰 董永平 张王兵 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1289-1295,共7页
采用均相沉淀法制备了SiO2/CeO2复合磨料,并利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)等对样品的相组成和形貌进行了表征。将所制备的SiO2/CeO2复合磨料用于蓝宝石晶片的化学机械抛光,利用原子力显微镜... 采用均相沉淀法制备了SiO2/CeO2复合磨料,并利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)等对样品的相组成和形貌进行了表征。将所制备的SiO2/CeO2复合磨料用于蓝宝石晶片的化学机械抛光,利用原子力显微镜检测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度。结果表明:所制备的SiO2/CeO2复合磨粒呈球形,粒径在40-50nm;在相同条件下,经过复合磨料抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度为0.32nm,材料去除速率为16.4nm/min,而SiO2抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度为0.92nm,材料去除速率为20.1nm/min。实验显示,复合磨料的材料去除速率略低于单一SiO2磨料,但它获得了较好的表面质量,基本满足蓝宝石作发光二极管(LED)衬底的工艺要求。 展开更多
关键词 蓝宝石晶片 化学机械抛光 表面粗糙度 SiO2/CeO2 复合磨料
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SiO_2/CeO_2混合磨料对微晶玻璃CMP效果的影响 认领 引用 被引量：8
12
作者 孙增标 刘玉岭 +2 位作者 刘效岩 闫宝华 张研 《半导体技术》 CAS 北大核心 2010年第1期72-74,共3页
在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响。把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析SiO2/CeO2混合磨料对微晶玻璃表面作用... 在微晶玻璃表面的超精密加工中,抛光磨料是抛光液重要的组成部分,它不仅影响着微晶玻璃的去除速率,而且对表面的粗糙度有着重要的影响。把超大规模集成电路的CMP技术引入到微晶玻璃的抛光中,在分析SiO2/CeO2混合磨料对微晶玻璃表面作用原理的基础上,进行了大量的实验研究,结果表明,通过调节SiO2/CeO2的配比和优化相关工艺参数可以得到应用所需的粗糙度及在此粗糙度下最大的去除速率。 展开更多
关键词 化学机械抛光 SiO2/CeO2混合磨料 去除速率 表面粗糙度
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核-壳结构PS/CeO_2复合磨料的制备及其氧化物化学机械抛光性能 认领 引用 被引量：7
13
作者 陈杨 隆仁伟 +1 位作者 陈志刚 丁建宁 《摩擦学学报（中英文）》 EI CAS 北大核心 2010年第1期9-14,共6页
以无皂乳液聚合方法制备的聚苯乙烯(PS)微球为内核,硝酸铈为铈源,六亚甲基四胺为沉淀剂,采用液相工艺制备了PS/CeO2复合颗粒.利用XRD、TEM、SAED、FESEM、EDAX等手段,对所制备样品的物相结构、形貌、粒径大小和元素成分组成进行表征.将... 以无皂乳液聚合方法制备的聚苯乙烯(PS)微球为内核,硝酸铈为铈源,六亚甲基四胺为沉淀剂,采用液相工艺制备了PS/CeO2复合颗粒.利用XRD、TEM、SAED、FESEM、EDAX等手段,对所制备样品的物相结构、形貌、粒径大小和元素成分组成进行表征.将所制备的复合磨料用于硅晶片热氧化层的化学机械抛光,用AFM观察抛光表面的微观形貌,并测量表面粗糙度.结果表明,所制备的PS/CeO2复合颗粒具有核-壳结构,呈近似球形,粒径在250～300nm,PS内核表面被粒径在5～10nm的CeO2纳米颗粒均匀包覆,壳层的厚度为10～20nm.抛光后的硅热氧化层表面在5μm×5μm范围内粗糙度Ra值和RMS值分别为0.188nm和0.238nm,抛光速率达到461.1nm/min. 展开更多
关键词 PS/CeO2 复合磨料 核-壳结构 包覆 化学机械抛光
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Sm掺杂核-壳结构介孔SiO2@CeO2复合颗粒的制备和抛光性能 认领 引用 被引量：6
14
作者 陈爱莲 王婉莹 +2 位作者 马翔宇 蔡文杰 陈杨 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期919-926,共8页
在低模量介孔SiO2(Mesoporous silica, mSiO2)微球表面负载Sm掺杂CeO2纳米粒子,制备了具有均匀完整核-壳结构的非刚性mSiO2@Ce1-xSmxO2(x=0, 0.23)复合颗粒。借助XRD、 SEM、 HRTEM、 STEM-EDX Mapping、 Raman光谱和N2吸-脱附等技术对... 在低模量介孔SiO2(Mesoporous silica, mSiO2)微球表面负载Sm掺杂CeO2纳米粒子,制备了具有均匀完整核-壳结构的非刚性mSiO2@Ce1-xSmxO2(x=0, 0.23)复合颗粒。借助XRD、 SEM、 HRTEM、 STEM-EDX Mapping、 Raman光谱和N2吸-脱附等技术对产物进行结构表征,利用AFM和三维光学轮廓仪评价Sm元素掺杂处理对mSiO2@Ce1-xSmxO2(x=0, 0.23)复合颗粒抛光效果的影响。讨论了Sm掺杂复合磨粒的高效无损超精密抛光机制。结果表明:掺杂处理可使mSiO2@Ce1-xSmxO2(x=0, 0.23)复合颗粒的抛光效率提高近36%,达到84 nm/min,同时获得具有原子量级精度的加工表面,抛光后SiO2薄膜的粗糙度平均值和均方根分别为0.14和0.17 nm。 展开更多
关键词 CeO2 掺杂 复合磨粒 核-壳结构 抛光
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pH值对CeO2/SiO2纳米复合磨粒分散性的影响 认领 引用 被引量：3
15
作者 陈国美 周凌 +5 位作者 倪自丰 徐来军 杜春宽 陈凤 苏敏 赵永武 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2020年第5期45-50,共6页
以胶体SiO2溶液作硅源,采用均相沉淀工艺制备壳–核结构完整的CeO2/SiO2纳米复合磨粒。采用X射线衍射仪和透射电子显微镜对复合磨粒样品进行物相组成分析和微观形貌观察;通过粒径分布、Zeta电位分析,研究水相分散系中pH值对CeO2/SiO2复... 以胶体SiO2溶液作硅源,采用均相沉淀工艺制备壳–核结构完整的CeO2/SiO2纳米复合磨粒。采用X射线衍射仪和透射电子显微镜对复合磨粒样品进行物相组成分析和微观形貌观察;通过粒径分布、Zeta电位分析,研究水相分散系中pH值对CeO2/SiO2复合磨粒分散性的影响。结果表明:所制备的CeO2/SiO2复合磨粒为壳–核包覆结构完整的纳米微球,粒径约110 nm,内核为无定形SiO2,壳层为立方萤石型CeO2;CeO2/SiO2复合磨粒的等电位点pH值约为5,其值由SiO2等电位点向CeO2等电位点明显偏移。CeO2/SiO2复合磨粒在酸性水相介质中分散性差,容易出现严重的团聚现象;而在碱性环境下,CeO2/SiO2复合磨粒分散性良好。 展开更多
关键词 SiO2 CeO2 纳米复合磨粒 pH值 分散性
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CeO_2-SiO_2复合氧化物的制备及性能表征 认领 引用 被引量：6
16
作者 慕利娟 张忠义 +3 位作者 张立业 陈传东 王婷婷 赵增祺 《稀土》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期12-16,共5页
化学沉淀法制备了SiO2和CeO2以及复合氧化物CeO2-SiO2等纳米粉体。对粉体的形貌及物相结构、粒径大小通过TEM及XRD进行了检测分析。SiO2粉体为无定形结构,粒径约500 nm,立方萤石型结构的CeO2及复合氧化物CeO2-SiO2的平均粒径小于10 nm,... 化学沉淀法制备了SiO2和CeO2以及复合氧化物CeO2-SiO2等纳米粉体。对粉体的形貌及物相结构、粒径大小通过TEM及XRD进行了检测分析。SiO2粉体为无定形结构,粒径约500 nm,立方萤石型结构的CeO2及复合氧化物CeO2-SiO2的平均粒径小于10 nm,说明复合氧化物的合成过程抑制了粒径的长大。制备了SiO2/CeO2质量比分别为5%、10%、15%、20%的复合氧化物,煅烧温度为400℃～1000℃,结果显示随着SiO2比例的增加,CeO2的特征峰在逐渐减弱,半高宽变宽,粒径变小;随着煅烧温度的升高,特征峰强度增加,半高宽变窄,颗粒的晶型发育越来越完善,但样品的粒径变大。 展开更多
关键词 CeO2-SiO2复合氧化物 化学沉淀法 物相结构
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CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料的制备及其对蓝宝石抛光性能的影响 认领 引用 被引量：2
17
作者 张雷 王海倩 +1 位作者 所世兴 于少明 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期3021-3027,共7页
以硅溶胶为原料,通过化学沉淀法对硅溶胶进行铈锆改性,制备出抛光用单分散的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料。考察了不同铈锆掺杂量的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片抛光性能的影响,研究了CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片的... 以硅溶胶为原料,通过化学沉淀法对硅溶胶进行铈锆改性,制备出抛光用单分散的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料。考察了不同铈锆掺杂量的CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片抛光性能的影响,研究了CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料对蓝宝石晶片的抛光机理。通过透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)-能谱仪(EDS)、X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)对样品的组成、形貌等进行表征。以所制备的复合磨料对蓝宝石晶片进行抛光,利用原子力显微镜(AFM)检测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度。结果表明:CeO_2/ZrO_2硅溶胶复合磨料中最佳的铈锆掺杂量为:铈掺杂量为1.5wt%,锆掺杂量为1.0wt%,材料去除速率可以达到36.1 nm/min,表面粗糙度可以达到0.512 nm,而相同条件下纯硅溶胶抛光后的蓝宝石表面粗糙度为1.59 nm,材料去除速率为18.4nm/min,该复合磨料表现出较好的抛光性能。 展开更多
关键词 CeO2/ZrO2硅溶胶 复合磨料 化学沉淀法 蓝宝石抛光 单分散
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CeO_2/SiO_2复合磨粒合成与表征 认领 引用 被引量：2
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作者 徐来军 倪自丰 +2 位作者 陈国美 白亚雯 赵永武 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期3855-3858,共4页
以SiO_2溶胶作内核,分别以(NH_4)_2Ce(NO_3)_6、CO(NH_2)_2混合溶液与Ce(NO_3)_3·6H_2O、HMT混合溶液作壳层前驱体,均相沉淀工艺制备了两种不同的CeO_2/SiO_2复合磨粒。利用XRD、TEM和FT-IR对比了两种磨粒的物相组成、纳米形貌和... 以SiO_2溶胶作内核,分别以(NH_4)_2Ce(NO_3)_6、CO(NH_2)_2混合溶液与Ce(NO_3)_3·6H_2O、HMT混合溶液作壳层前驱体,均相沉淀工艺制备了两种不同的CeO_2/SiO_2复合磨粒。利用XRD、TEM和FT-IR对比了两种磨粒的物相组成、纳米形貌和化学结构,并对包覆机理进行了解释;结果表明:以(NH_4)_2Ce(NO_3)_6、CO(NH_2)_2为原料制备的CeO_2/SiO_2复合磨粒包覆程度低;以Ce(NO_3)_3·6H_2O、HMT为原料制备的CeO_2/SiO_2复合磨粒为壳-核包覆结构完整的纳米微球,粒径约110 nm,核层为无定形SiO_2,壳层为立方萤石型CeO_2颗粒,CeO_2壳层与SiO_2内核之间存在Si-O-Ce化学键,形成了稳定的壳核结构。 展开更多
关键词 SiO2 CeO2 复合磨粒 壳核结构
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NO催化氧化用CeO2/SiO2复合氧化物研究 认领 引用 被引量：2
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作者 王加俊 常仕英 +3 位作者 赵云昆 段耀宗 于飞 杨冬霞 《稀土》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期1-8,共8页
以正硅酸乙酯为硅源,Ce（NO3）3·6H2O为铈源,通过溶胶-凝胶一步法合成CeO2/SiO2纳米复合氧化物。通过N2-吸脱附、X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪、化学吸附仪等技术对复合氧化物的物相结构、形... 以正硅酸乙酯为硅源,Ce（NO3）3·6H2O为铈源,通过溶胶-凝胶一步法合成CeO2/SiO2纳米复合氧化物。通过N2-吸脱附、X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪、化学吸附仪等技术对复合氧化物的物相结构、形貌、尺寸、化学价态、氧化还原特性进行分析。结果表明,通过该合成方法可获得高分散、球状、孔隙发达的CeO2/SiO2复合氧化物;复合氧化物粒径在40 nm～70 nm,CeO2粒径尺寸在4 nm～6 nm之间;孔结构以中孔为主,优化了纯CeO2和纯SiO2的大孔结构;CeO2与SiO2间发生了显著的相互作用形成了化学键,有效提高了CeO2的氧化还原特性。 展开更多
关键词 CeO2/SiO2 复合氧化物 氧化还原性 NO氧化
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不同粒径核壳结构聚苯乙烯(PS)-CeO_2复合磨料的制备、表征及其化学机械抛光性能 认领 引用 被引量：2
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作者 陆锦霞 陈志刚 隆仁伟 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1777-1784,共8页
以无皂乳液聚合法制备的不同粒径聚苯乙烯(Ploystrene,PS)微球为内核,以硝酸铈和六亚甲基四胺为原料,采用液相工艺制备具有核壳结构的PS-CeO2复合微球。利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、场发射扫描电镜(FESEM)、傅里叶转换... 以无皂乳液聚合法制备的不同粒径聚苯乙烯(Ploystrene,PS)微球为内核,以硝酸铈和六亚甲基四胺为原料,采用液相工艺制备具有核壳结构的PS-CeO2复合微球。利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、场发射扫描电镜(FESEM)、傅里叶转换红外光谱仪(FT-IR)和热重分析仪(TGA)等对样品的成分、物相结构、形貌、粒径以及团聚情况进行表征。将所制备的PS-CeO2复合微球作为磨料用于二氧化硅介质层的化学机械抛光,用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌,测量表面粗糙度。结果表明:所制备的3种PS微球呈单分散规则球形,粒径分别约为120、170和240 nm;3种PS-CeO2复合微球具有核壳结构,粒径分别约为140、190和260 nm,CeO2壳厚约为10 nm。随着PS-CeO2复合磨料粒径的减小,抛光表面粗糙度随之降低,经样品F1抛光后表面在10μm×10μm面积范围内粗糙度的平均值(Ra)及其均方根(Rms)分别为0.372和0.470 nm。 展开更多
关键词 PS-CeO2复合磨料 核壳结构 化学机械抛光
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