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HfO_2/SiO_2高反射膜的缺陷及其激光损伤 认领 引用 被引量：21
1
作者 胡建平 陈梅 +1 位作者 付雄鹰 柴林 《强激光与粒子束》 EI CAS 北大核心 2001年第5期529-532,共4页
用原子力、Normaski和扫描电子显微镜等分析仪器 ,对高损伤阈值薄膜常采用的 Hf O2 /Si O2 薄膜进行了表面显微图象研究 ,分析了薄膜常见的表面缺陷 ,如节瘤 ,孔洞和划痕等。薄膜表面缺陷的激光损伤实验表明 ,不同缺陷的抗激光损伤能力... 用原子力、Normaski和扫描电子显微镜等分析仪器 ,对高损伤阈值薄膜常采用的 Hf O2 /Si O2 薄膜进行了表面显微图象研究 ,分析了薄膜常见的表面缺陷 ,如节瘤 ,孔洞和划痕等。薄膜表面缺陷的激光损伤实验表明 ,不同缺陷的抗激光损伤能力大不相同 ,节瘤缺陷最低 ,约为 1 5 J/ cm2 ,薄膜的损伤阈值主要由其决定 ,孔洞的激光损伤能力与节瘤相比较高 ,约为节瘤的 2～ 3倍。节瘤缺陷在低能量密度的激光损伤所形成的孔洞 ,与镀制过程中形成的孔洞形貌相似 ,激光再损伤能力也相似。 展开更多
关键词 HfO2/SiO2高反射薄膜 表面缺陷 激光损伤 原子电子显微镜 SEM 显微分析
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采用HfO_2/SiO_2溶胶-凝胶薄膜制备衍射光栅 认领 引用 被引量：4
2
作者 谢永军 赵福华 +2 位作者 魏伟 赵小侠 赵卫 《光子学报》 EI CAS 北大核心 2008年第1期133-135,共3页
采用溶胶-凝胶方法制备了具有光敏性的HfO2/SiO2溶胶-凝胶薄膜,并利用其光敏性制备了衍射光栅.采用XPS分析了薄膜的成份,证实了Hf元素的存在.并用椭偏仪测试了薄膜的折射率,结果证实了HfO2的加入确实提高了体系的折射率.利用其光敏性,采... 采用溶胶-凝胶方法制备了具有光敏性的HfO2/SiO2溶胶-凝胶薄膜,并利用其光敏性制备了衍射光栅.采用XPS分析了薄膜的成份,证实了Hf元素的存在.并用椭偏仪测试了薄膜的折射率,结果证实了HfO2的加入确实提高了体系的折射率.利用其光敏性,采用X射线作曝光光源通过掩模进行曝光,利用曝光部分与未曝光部分的溶解度差,在薄膜上制备了高为0.8μm、周期为1μm的衍射光栅. 展开更多
关键词 信息光学 HfO2/SiO2溶胶-凝胶 光栅 光敏
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具有辐射聚合能力的HfO_2/SiO_2溶胶-凝胶玻璃的制备及其X射线光刻性能研究 认领 引用 被引量：2
3
作者 赵福华 谢永军 +2 位作者 许素莲 刘刚 付绍军 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2006年第7期1376-1379,共4页
采用溶胶-凝胶方法制备了一种新颖的具有辐射聚合能力的H fO2/S iO2凝胶薄膜.并采用X射线作曝光光源对薄膜进行了曝光,通过FTIR的测试,分析了薄膜曝光前后的结构变化.结果表明,该材料具有良好的辐射聚合能力.采用XPS分析了薄膜的成分,... 采用溶胶-凝胶方法制备了一种新颖的具有辐射聚合能力的H fO2/S iO2凝胶薄膜.并采用X射线作曝光光源对薄膜进行了曝光,通过FTIR的测试,分析了薄膜曝光前后的结构变化.结果表明,该材料具有良好的辐射聚合能力.采用XPS分析了薄膜的成分,并证实了H f元素的存在.用椭偏仪测试了薄膜的折射率,结果证实,加入H fO2提高了体系的折射率.利用其辐射聚合能力,采用X射线通过掩模板进行曝光,利用曝光部分与未曝光部分在溶剂中的溶解度差,在薄膜上制备了高为0.8μm、周期为1μm的衍射光栅,进一步证实了材料具有良好的辐射聚合能力. 展开更多
关键词 HfO2/SiO2 溶胶-凝胶 辐射聚合 光栅
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HfO_2/SiO_2多层高反膜脉冲YAG激光预处理机理的研究 认领 引用 被引量：2
4
作者 周业为 谢建 +1 位作者 李育德 曾传相 《激光杂志》 EI CAS 北大核心 2000年第2期13-13,16,共1页
本文研究了HfO2 /SiO2 多层高反膜脉冲YAG激光预处理提高抗激光损伤阈值的机理。通过分析和计算 ,我们提出了一种物理模型 ,即热扩散模型。由于扩散结果 ,导致HfO2 膜层的折射率增加 ,致使HfO2 、SiO2 膜层交界处光驻波波峰降低 。
关键词 HfO2/SiO2 多层高反膜 激光预处理 YAG激光
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HfO_2/SiO_2增透膜激光诱导损伤形貌分析 认领 引用 被引量：1
5
作者 罗康 蒲云体 +4 位作者 乔曌 刘志超 罗晋 朱基亮 马平 《广州化工》 CAS 2015年第4期90-92,共3页
用电子束蒸发法制备了Hf O2/Si O2增透膜样品,并进行退火。测量未退火样品与退火样品的透射光谱,发现退火样品的光谱明显向短波方向移动,原因是退火后薄膜中的吸附水被去除。使用Nd:YAG激光器在"S-on-1"模式下对样品进行了激... 用电子束蒸发法制备了Hf O2/Si O2增透膜样品,并进行退火。测量未退火样品与退火样品的透射光谱,发现退火样品的光谱明显向短波方向移动,原因是退火后薄膜中的吸附水被去除。使用Nd:YAG激光器在"S-on-1"模式下对样品进行了激光诱导损伤处理。两种样品的损伤形貌均主要是损伤坑。考虑到损伤的成因是基底的亚表面微裂纹中的吸收颗粒吸收激光能量后导致裂纹扩大,最终形成损伤坑。基于这种损伤机制,退火对损伤没有明显影响。通过显微镜在损伤形貌中观察到了冲击波传输形成的波动条纹。 展开更多
关键词 增透膜 激光诱导损伤 损伤形貌 HfO2/SiO2
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Effect of standing-wave field distribution on femosecond laser-induced damage of HfO_2/SiO_2 mirror coating 认领 引用 被引量：5
6
作者 陈顺利 赵元安 +1 位作者 贺洪波 邵建达 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第8期94-97,共4页
Single-pulse and multi-pulse damage behaviors of ＂standard＂ （with A/4 stack structure） and ＂modified＂ （with reduced standing-wave field） HfO2/SiO2 mirror coatings are investigated using a commercial 50-fs, 800... Single-pulse and multi-pulse damage behaviors of ＂standard＂ （with A/4 stack structure） and ＂modified＂ （with reduced standing-wave field） HfO2/SiO2 mirror coatings are investigated using a commercial 50-fs, 800-nm Ti：sapphire laser system. Precise morphologies of damaged sites display strikingly different features when the samples are subjected to various number of incident pulses, which are explained reasonably by the standing-wave field distribution within the coatings. Meanwhile, the single-pulse laser-induced damage threshold of the ＂standard＂ mirror is improved by about 14% while suppressing the normalized electric field intensity at the outmost interface of the HfO2 and SiO2 layers by 37%. To discuss the damage mechanism, a theoretical model based on photoionization, avalanche ionization, and decays of electrons is adopted to simulate the evolution curves of the conduction-band electron densitv during r^ulse dHratian. 展开更多
关键词 SiO Effect of standing-wave field distribution on femosecond laser-induced damage of HfO2/SiO2 mirror coating wave
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大尺寸1064nm波段HfO_2/SiO_2高损伤阈值窄带滤光片的研制 认领 引用 被引量：4
7
作者 吴晓鸣 李辛 +1 位作者 王一坚 焦宏飞 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2016年第4期206-212,共7页
对大型固体激光装置中的关键器件—大尺寸1064 nm波段Hf O2/Si O2窄带滤光片进行了研究,分析了监控波长对信噪比和光源稳定性的影响。通过优化监控参数,设备监控精度可达到镀制窄带滤光片的需求。制备过程中的薄膜光谱分析表明:随着蒸... 对大型固体激光装置中的关键器件—大尺寸1064 nm波段Hf O2/Si O2窄带滤光片进行了研究,分析了监控波长对信噪比和光源稳定性的影响。通过优化监控参数,设备监控精度可达到镀制窄带滤光片的需求。制备过程中的薄膜光谱分析表明:随着蒸镀过程的进行,氧化铪(Hf O2)的实际厚度会逐渐小于设计值,而二氧化硅(Si O2)的实际厚度则会逐渐大于设计值;这种变化趋势导致的厚度误差会严重影响带通的波形;另外掩模板造成的厚度误差也是影响带通波纹的重要因素之一。通过分析研究和优化以上因素,制备了半峰全宽为5 nm、通光口径达200 mm×200 mm、在1064 nm处损伤阈值高于19.5 J/cm^2(3 ns)的窄带滤光元件。 展开更多
关键词 光学器件 波动光学 窄带滤光片 HfO2/SiO2薄膜
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Multiscale analysis of single- and multiple-pulse laser-induced damages in HfO_2/SiO_2 multilayer dielectric films at 532 nm 认领 引用 被引量：2
8
作者 刘文文 魏朝阳 +1 位作者 易葵 邵建达 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第9期53-57,共5页
Nanosecond single- and multiple-pulse laser damage studies on HfOffSiO2 high-reflection （HR） coatings are performed at 532 nm. For single-pulse irradiation, the damage is attributed to the defects and the electric i... Nanosecond single- and multiple-pulse laser damage studies on HfOffSiO2 high-reflection （HR） coatings are performed at 532 nm. For single-pulse irradiation, the damage is attributed to the defects and the electric intensity distribution in the multilayer thin films. When the defect density in the irradiated area is high, delami- nation is observed. Other than the 1064 nm laser damage, the plasma scalding of the 532 nm laser damage is not pits-centered for normal incidence, and the size of the plasma scalding has no relation to the defect density and position, but increases with the laser fluence. For multiple-pulse irradiations, some damage sites show deeper precursors than those from the single-shot irradiation due to the accumulation effects. The cumulative laser- induced damages behave as pits without the presence of plasma scalding, which is unaffected by the laser fluence and shot numbers. The damage morphologies and depth information both confirm the fatigue effect of a HfO2/SiO2 HR coating under 532 nm laser irradiation. 展开更多
关键词 Multiscale analysis of single and multiple-pulse laser-induced damages in HfO2/SiO2 multilayer dielectric films at 532 nm
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Damage characteristics of HfO_2/SiO_2 high reflector at 45° incidence in 1-on-1 and N-on-1 tests 认领 引用 被引量：1
9
作者 刘晓凤 李大伟 +3 位作者 赵元安 李笑 凌秀兰 邵建达 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS 2010年第1期41-44,共4页
P-polarization high reflectors are deposited by e-beam from hafnia and silica. 1-on-1 and N-on-1 tests at 1064-nm wavelength with P-polarization at 45° incidence are carried out on these samples. Microscope and s... P-polarization high reflectors are deposited by e-beam from hafnia and silica. 1-on-1 and N-on-1 tests at 1064-nm wavelength with P-polarization at 45° incidence are carried out on these samples. Microscope and scanning electron microscope are applied to investigate the damage morphologies in both 1-on-1 and N-on^l tests. It is found that the laser damage threshold is higher in N-on-1 tests and nodular defect is the main inducement that leads to the damage because nodular ejection with plasma scalding is the typical damage morphology. Similar damage morphology observed in the two tests indicates that the higher laser damage threshold in N-on-1 test is attributed to the mechanical stabilization process of nodular defects, owing to the gradually increased laser fluence radiation. Based on the typical morphology study, some process optimizations are given. 展开更多
关键词 test incidence in 1-on-1 and N-on-1 tests Damage characteristics of HfO2/SiO2 high reflector at 45 high
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HfO_2/SiO_2光学薄膜激光损伤阈值的测量 认领 引用 被引量：8
10
作者 胡建平 《光电子．激光》 EI CAS 北大核心 2002年第4期356-358,共3页
参照国际标准 ISO112 5 4及其规范 ,组建了小口径 10 6 4 nm激光的损伤阈值测量装置 ,能对各种光学元件 ,包括高反膜、偏振膜及增透膜等进行 10 6 4 nm激光损伤阈值测量。按损伤阈值测量国际标准的要求 ,测量了由 Hf O2 / Si O2 镀制的 ... 参照国际标准 ISO112 5 4及其规范 ,组建了小口径 10 6 4 nm激光的损伤阈值测量装置 ,能对各种光学元件 ,包括高反膜、偏振膜及增透膜等进行 10 6 4 nm激光损伤阈值测量。按损伤阈值测量国际标准的要求 ,测量了由 Hf O2 / Si O2 镀制的 10 6 4 nm高反膜、偏振膜及增透膜的激光损伤阈值 ,分析了它们的激光损伤特性 ,对于 10 ns的 10 6 4 nm激光脉冲 ,高反膜的损伤阈值为 12 .8J/ cm2 ,偏振膜为 9.8J/cm2 ,增透膜为 9.2 J/ cm2 ;对于 2 0 ns、1ns的激光脉冲 ,高反膜的损伤阈值分别为 15 .3J/ cm2和 5 .75 J/cm2 。高反膜的损伤阈值对于 ns激光脉冲符合时间定标率τ0 .35。 展开更多
关键词 光学薄膜 激光 损伤阈值 测量 HfO2/SiO2薄膜
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离子束溅射制备氧化物薄膜沉积速率调整方法 认领 引用 被引量：3
11
作者 刘华松 傅翾 +7 位作者 季一勤 张锋 陈德应 姜玉刚 刘丹丹 王利栓 冷健 庄克文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第7期2192-2197,共6页
采用正交试验设计方法,系统研究了离子束溅射HfO2、Ta2O5和SiO2薄膜的沉积速率与工艺参数(基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量)之间的关联性。采用正交表L9(34)设计了9组实验,采用时间监控的离子束溅射沉积方法,分别制备HfO2、Ta2O... 采用正交试验设计方法,系统研究了离子束溅射HfO2、Ta2O5和SiO2薄膜的沉积速率与工艺参数(基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量)之间的关联性。采用正交表L9(34)设计了9组实验,采用时间监控的离子束溅射沉积方法,分别制备HfO2、Ta2O5和SiO2薄膜,并对三种薄膜的27个样品采用椭圆偏振法测量并计算物理厚度,继而获得沉积速率。实验结果表明:对Ta2O5和SiO2薄膜沉积速率影响的工艺参数相同,影响权重从大到小依次为离子束流、离子束压、氧气流量和基板温度;对HfO2薄膜沉积速率影响的工艺参数按权重从大到小依次为离子束流、离子束压、基板温度和氧气流量。研究结果为调整HfO2、Ta2O5和SiO2薄膜沉积速率提供了依据。 展开更多
关键词 离子束溅射 HfO2薄膜 Ta2O5薄膜 SiO2薄膜 沉积速率
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