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Fabrication of IBAD-MgO and PLD-CeO2 Layers for YBCO Coated Conductors 认领 引用 被引量：2
1
作者 牟晴晴 刘林飞 李贻杰 《Chinese Physics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第7期206-209,共4页
MgO thin films with different textures are fabricated by the ion beam assisted （IBAD） method on the Y2O3/Al2O3 buffered C276 tape. Then a CaO2 layer is directly grown on the IBAD-MgO film by the pulsed laser deposit... MgO thin films with different textures are fabricated by the ion beam assisted （IBAD） method on the Y2O3/Al2O3 buffered C276 tape. Then a CaO2 layer is directly grown on the IBAD-MgO film by the pulsed laser deposition （PLD） method. Effects of lBAD-MgO texture, substrata temperature and thickness on the grain alignment of the CeO2 layer are investigated. Film characterization is performed by x-ray diffraction and atomic force microscopy. It is found that the orientation and texture degree of the CaO2 layer are very sensitive to the IBAD-MgO texture. By optimizing the IBAD-MgO texture, CeO2 has pure （002） orientation and excellent biaxial texture deposited in a broad substrata temperature range. In addition, the PLD-CeO2 layer has a thickness effect. Under the optimized experimental condition, the PLD-CeO2 layer has a high in-plane texture of △φ = 2.9° and a smooth surface with an rms surface roughness of less than 2nm. The critical current density Jc of a 0.4μm-thick YBCO film deposited on the CeO2 layer is 6.25 × 106 A/cm2 at 77K and a self-field. 展开更多
关键词 Fabrication of IBAD-MgO and PLD-CeO2 Layers for YBCO Coated Conductors PLD MgO
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Si(100)衬底上CeO_2薄膜的脉冲激光制备及性能研究 认领 引用 被引量：3
2
作者 陈勇 杨志民 张心强 《稀有金属》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期709-714,共6页
用CeO2陶瓷靶材,使用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上制备了CeO2薄膜。研究了衬底温度、沉积氧压对薄膜性能的影响,实验制备出了高度(111)取向的CeO2薄膜。使用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜进行晶体结构的表... 用CeO2陶瓷靶材,使用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上制备了CeO2薄膜。研究了衬底温度、沉积氧压对薄膜性能的影响,实验制备出了高度(111)取向的CeO2薄膜。使用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜进行晶体结构的表征。结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜中的残余宏观应力(拉应力)及微观应力逐渐减小,薄膜结晶质量不断提高,而沉积氧压对此影响较小。RHEED图像显示使用PLD方法在Si衬底上沉积的薄膜具备较高的结晶性及原子级平整的表面。使用原子力显微镜(AFM)对样品进行表面粗糙度分析,发现不同温度下生长的薄膜均具有光滑的表面,方均根粗糙度(RMS)均在0.4 nm以下。使用Keithley4200半导体测试仪、椭偏仪对薄膜进行电性能及光学性能分析,发现衬底温度对薄膜的电学性能有显著影响,并且CeO2薄膜结晶状态与电学性能有直接的联系。 展开更多
关键词 CeO2 薄膜 脉冲激光沉积(PLD)
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