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Self-powered horizontally structured n–n heterojunction photodetector based on Si–GaN/β-Ga2O3 for UV detection 认领 引用
1
作者 Muzi Li Maolin Zhang +3 位作者 Xueqiang Ji Shan Li Lili Yang Weihua Tang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2026年第2期639-646,共8页
With the rapid advancement of optoelectronic technology,high-performance photodetectors are increasingly in demand in fields such as environmental monitoring,optical communication,and defense systems,where ultraviolet... With the rapid advancement of optoelectronic technology,high-performance photodetectors are increasingly in demand in fields such as environmental monitoring,optical communication,and defense systems,where ultraviolet detection is critical.However,conventional semiconductor materials suffer from limited UV-visible detection capabilities owing to their narrow bandgaps and high dark currents.To address these challenges,wide-bandgap semiconductors have emerged as promising alternatives.Here,we fabricated a horizontally structured n–n heterojunction photodetector by growingβ-Ga2O3 on Si–GaN via plasma-enhanced chemical vapor deposition.The device exhibits a self-powered photocurrent of 3.5 nA at zero bias,enabled by the photovoltaic effect of the space charge region.Under 254-nm and 365-nm illumination,it exhibits rectification behavior,achieving a responsivity of 0.475 m A/W(0 V,220??W/cm~2 at 254 nm)and 257.6 mA/W(-5 V),respectively.Notably,the photodetector demonstrates a high photocurrent-to-dark current ratio of 10~5 under-5-V bias,highlighting its potential for self-powered and high-performance UV detection applications. 展开更多
关键词 Si–GaN/β-Ga2O3 horizontally structured n–n heterojunction self-powered
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Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤 认领 引用 被引量：1
2
作者 范隆 郝跃 余学峰 《西安电子科技大学学报》 EI CAS 北大核心 2003年第4期433-436,共4页
从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对... 从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对总剂量辐射损伤的明显特性差异.在抗总剂量电离辐射能量上,双绝缘栅介质结构甚至劣于常规非加固工艺的单介质Si/SiO2系统结构.同时,对辐射感生界面态的能量分布随辐照总剂量的变化进行了分析,发现试验的3种样品都存在一类深能级界面态,位于中带以上约80meV的位置,该类界面态随辐照剂量的增加最明显. 展开更多
关键词 氧化物电荷 界面态 能量分布 MOS电容 总剂量辐射损伤 Si/SiO2 Si/SiO2/Si3N4
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具有优良性能的三维多孔Zn/Si双掺杂Al(PO3)3涂层负载的Na3V2(PO4)3 /C钠离子电池 认领 引用
3
作者 俸锦旺 雷炳新 《材料科学》 2025年第1期140-148,共9页
Na3V2(PO4)3(NVP)作为一种多正离子正极材料,在储能领域展现出巨大的潜力。然而,由于其内在导电性差和严重的结构退化,其应用受到了限制。在本研究中,我们采用球磨和煅烧技术的协同混合,制造出了一种Zn/Si双掺杂NVP正极材料... Na3V2(PO4)3(NVP)作为一种多正离子正极材料,在储能领域展现出巨大的潜力。然而,由于其内在导电性差和严重的结构退化,其应用受到了限制。在本研究中,我们采用球磨和煅烧技术的协同混合,制造出了一种Zn/Si双掺杂NVP正极材料(Na3V _(1.96 )Zn _(0.04 )(PO4) _(2.9 )(SiO4)_( 0.1 )/C)。此外,这种材料的表面还通过湿法工艺附着了一层热稳定的Al(PO3)3层。多孔Na3V _(1.96 )Zn _(0.04 )(PO4) _(2.9 )(SiO4)_( 0.1 )/C@Al(PO3)3正极表现出卓越的稳定性,即使在5C的倍率下循环1000次,容量仍能保持90.8%。此外,在10 C和20 C的较高倍率下,正极的初始容量分别达到94.1 mAh·g−1和84.89 mAh·g−1,而在2000次循环后,其容量分别保持在86.19 mAh·g−1和76.54 mAh·g−1。通过Zn/Si共掺杂显著提高了电池的低倍率性能,并且通过Al(PO3)3改性显著提高了电池的高倍率性能。多孔Na3V _(1.96 )Zn _(0.04 )(PO4) _(2.9 )(SiO4)_( 0.1 )/C@Al(PO3)3材料表现出较强的倍率性能和显著的循环稳定性,突出了其在高性能储能应用方面的巨大潜力。因此,本研究提出了一种通过表面改性和双掺杂技术来提高电化学性能的特殊方法。 展开更多
关键词 Na3V2(PO4)3 Zn/Si共掺杂 表面改性 高倍率性能 长循环寿命
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无压烧结制备Si_3N_4/SiO_2复合材料 认领 引用 被引量：10
4
作者 徐常明 王士维 +1 位作者 黄校先 郭景坤 《无机材料学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2006年第4期935-938,共4页
以无压烧结工艺制备了Si3N4／SiO2复合材料．实验结果表明:Si3N4颗粒对石英基体的析晶起到了抑制作用和增韧补强作用．Si3N4含量为5vol％的样品在1370℃烧结2h后,抗弯强度达到96．2MPa,断裂韧性为2．4MPa·m1／2,介电常数和介电损... 以无压烧结工艺制备了Si3N4／SiO2复合材料．实验结果表明:Si3N4颗粒对石英基体的析晶起到了抑制作用和增韧补强作用．Si3N4含量为5vol％的样品在1370℃烧结2h后,抗弯强度达到96．2MPa,断裂韧性为2．4MPa·m1／2,介电常数和介电损耗分别在3．63-3．68和1．29-1．75×10-3之间． 展开更多
关键词 天线罩 无压烧结 Si3N4/SiO2复合材料 力学性能 介电性能
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SiO_2/(Si_3N_4+BN)透波材料表面涂层的防潮性能和透波性能研究 认领 引用 被引量：11
5
作者 李俊生 张长瑞 +2 位作者 王思青 曹峰 王衍飞 《涂料工业》 CAS 2007年第1期5-7,10,共3页
SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料表面制备了防潮涂层，取得较好的防... SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料表面制备了防潮涂层，取得较好的防潮效果。涂装后SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料在40℃、90％的高温高湿条件下放置15d的吸水率约0．30％；在大气环境下（温度27-30℃，湿度45-60％）的吸水率小于0．01％。涂层对SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的透波率影响较小，涂装后材料的透波率仍然能保持在85％以上。 展开更多
关键词 SiO2/(Si3N4+BN) 透波率 防潮涂层 吸水率
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用于微机电系统的SiO_2/Si_3N_4驻极体的制备及电荷稳定性 认领 引用 被引量：3
6
作者 肖慧明 温中泉 +1 位作者 张锦文 陈钢进 《功能材料》 EI CAS 北大核心 2007年第8期1297-1299,1303,共3页
驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极... 驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极体,探讨了器件加工工艺及存储环境对双层膜驻极体电荷稳定性的影响。结果表明,电晕充电后SiO2/Si3N4双层膜的电荷存储稳定性明显优于SiO2单层膜;传统的电晕注极方法仅适用于大面积驻极体的制备,但对微米量级的材料表面不适用;微器件制备的工艺流程对驻极体电荷稳定性有显著影响,但存储环境对热极化驻极体电荷稳定性的影响很小。 展开更多
关键词 驻极体 微型发电机 SiO2/Si3N4双层膜 电荷稳定性 微器件加工
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The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO_2-Si_3N_4 films 认领 引用 被引量：3
7
作者 高博 刘刚 +5 位作者 王立新 韩郑生 宋李梅 张彦飞 腾瑞 吴海舟 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第3期393-398,共6页
Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconductor（VDMOS） devices with composite SiO2-Si3N4 film gates are investigated.The relationships amon... Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconductor（VDMOS） devices with composite SiO2-Si3N4 film gates are investigated.The relationships among the important electrical parameters of the samples with different thickness SiO2-Si3N4 films,such as threshold voltage,breakdown voltage,and on-state resistance in accumulated dose,are discussed.The total dose experiment results show that the breakdown voltage and the on-state resistance barely change with the accumulated dose.However,the relationships between the threshold voltages of the samples and the accumulated dose are more complex,and not only positively drift,but also negatively drift.At the end of the total dose experiment,we select the group of samples which have the smaller threshold voltage shift to carry out the single event effect studies.We find that the samples with appropriate thickness ratio SiO2-Si3N4 films have a good radiation-hardening ability.This method may be useful in solving both the SEGR and the total dose problems with the composite SiO2-Si3N4 films. 展开更多
关键词 power VDMOS device total dose effects single event effects composite SiO2-Si3N4 films
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Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2系材料烧结性能及反应过程研究 认领 引用 被引量：3
8
作者 金胜利 李亚伟 李楠 《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2003年第5期262-266,共5页
以氮化硅、活性氧化铝微粉和氧化硅微粉为原料,研究了在焦炭保护条件下,Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2系材料经1500℃、1600℃和1650℃烧成时的烧结性能和物相变化,同时借助SEM、EDX和XRD等手段对其显微结构和反应过程进行了观察和分析。结果表... 以氮化硅、活性氧化铝微粉和氧化硅微粉为原料,研究了在焦炭保护条件下,Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2系材料经1500℃、1600℃和1650℃烧成时的烧结性能和物相变化,同时借助SEM、EDX和XRD等手段对其显微结构和反应过程进行了观察和分析。结果表明,随着烧成温度的升高,Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2系材料的体积密度下降,显气孔率增加,同时烧成后试样的质量损失大大增加,尤其是经1650℃烧成的试样,显气孔率在40％以上,质量损失大于20％。XRD物相分析显示,1500℃时,产物中生成Si_2N_2O,高于1650℃时,生成SiC相,与热力学计算结果一致。同时,高温下大量的N_2(g)及SiO(g)逸出试样表面,可能是导致试样质量损失、结构松散、显气孔率增加的主要原因。切开经高温烧成的试样发现,其截面由中心致密区、过渡区和边缘的松散区3部分组成,含氮物相的形状由中心部位发育良好的柱状,演变成过渡区的针状或须状,直至松散区时消失。这种松散区所占面积和松散程度取决于试样的组成和烧成温度。 展开更多
关键词 Si3N4-Al2O3-SiO2系材料 烧结性能 反应过程 氮化硅 活性氧化铝微粉 氧化硅微粉 原料
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Construction of SiO2-TiO2/g-C3N4 composite photocatalyst for hydrogen production and pollutant degradation: Insight into the effect of SiO2 认领 引用 被引量：1
9
作者 Sijia Sun Hao Ding +5 位作者 Lefu Mei Ying Chen Qiang Hao Wanting Chen Zhuoqun Xu Daimei Chen 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2020年第9期2287-2294,共8页
Using low-cost precipitated silica(SiO2) as the carrier,a ternary SiO2-TiO2/g-C3N4 composite photocatalyst was prepared via the sol-gel method associated with a wet-grinding process.The asprepared composite exhibits p... Using low-cost precipitated silica(SiO2) as the carrier,a ternary SiO2-TiO2/g-C3N4 composite photocatalyst was prepared via the sol-gel method associated with a wet-grinding process.The asprepared composite exhibits photocatalytic hydrogen production and pollutant degradation performance under solar-like irradiation.The effect of SiO2 carrier on the properties of the heterostructure between TiO2 and g-C3N4(CN) was systematically studied.It is found that SiO2 has important effects on promoting the interaction between TiO2 and CN.The particle size of TiO2 and CN was obviously reduced during the calcination process due to the effects of SiO2.Especially,the TiO2 particles exhibit monodispersed state with particle size below 10 nm(quantum dots),resulting in the improvement of the contact area and the interaction betweenTiO2 and CN,and leading to the formation of efficient TiO2/CN Zscheme heterostructure in SiO2-TiO2/CN.Besides,the introduction of SiO2 can increase the specific surface area and light absorption of SiO2-TiO2/CN,further promoting the photocatalytic reaction.As expected,the optimum SiO2-TiO2/CN composite exhibits 12.3,3.1 and 2.9 times higher photocatalytic hydrogen production rate than that of SiO2-TiO2,CN and TiO2/CN under solar-like irradiation,while the photocatalytic active component in SiO2-TiO2/CN is only about 60 wt%.Moreover,the rhodamine B degradation rate of SiO2-TiO2/CN is also higher than that of SiO2-TiO2,CN and TiO2/CN. 展开更多
关键词 SiO2 carrier Heterostructure Photocatalyst g-C3N4 TiO2
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Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析 认领 引用 被引量：1
10
作者 范隆 郝跃 +1 位作者 严荣良 陆妩 《西安电子科技大学学报》 EI CAS 北大核心 2003年第3期302-305,共4页
采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/S... 采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si过渡态键断开有显著作用.并对实验现象进行了机制分析. 展开更多
关键词 Si3N4/SiO2复合栅介质 电离辐照 X光激发电子能谱 氢离子刻蚀 Si过渡态
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Si_3N_4结合SiC制品中SiO_2含量的测定 认领 引用 被引量：2
11
作者 曹海洁 梁献雷 《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2007年第3期236-236,240,共1页
关键词 SiO2含量 碳化硅制品 测定方法 Si3N4 SiC 氮化硅 高温强度 抗热震性
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Fabrication and characterization of SiO2(f)/Si)_3N_4 composites 认领 引用 被引量：4
12
作者 Yongsheng Liu Laifei Cheng Litong Zhang Yongdong Xu Yi Liu 《Journal of University of Science and Technology Beijing》 2007年第5期454-459,共6页
A silicon dioxide fiber-reinforced silicon nitride matrix （SiOJSi3N4） composite used for radomes was prepared by chemical vapor infiltration （CVI） process using the SiCl4-NH3-H2 system. The effects of the process ... A silicon dioxide fiber-reinforced silicon nitride matrix （SiOJSi3N4） composite used for radomes was prepared by chemical vapor infiltration （CVI） process using the SiCl4-NH3-H2 system. The effects of the process conditions, including infiltration temperature, infiltration time, and gas flux were investigated. The energy dispersion spectra （EDS） result showed that the main elements of this composite contained Si, N, and O. The X-ray diffraction （XRD） results indicated that phases of the composite before and after treatment at 1350℃ were all amorphous. A little fiber pull-out was observed on the cross section of the composite by scan electron microscope （SEM）. As a result, the composite exhibited good thermal stability, but an appropriate interface was necessary between the fiber and the matrix. 展开更多
关键词 SiO2/ Si3N4 composite fabrication characterization chemical vapor infiltration
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电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用 认领 引用 被引量：2
13
作者 刘昶时 《固体电子学研究与进展》 EI CAS 2006年第1期16-19,共4页
采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置... 采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于S iO2/S i界面区S i3N4态(结合能B.E.101.8 eV)S i的浓度。同时辐照中所施偏置电场对S iO2/S i界面区S i3N4态键断开有显著作用。文中就实验现象的机制进行了初步探讨。 展开更多
关键词 X光激发电子能谱 氮化硅 二氧化硅-硅 氮化硅态的硅 剂量 偏置
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Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2体系高温还原条件下的物相变化 认领 引用
14
作者 陈俊红 宋文 +2 位作者 崔艳玲 孙加林 李勇 《耐火材料》 CAS 北大核心 2009年第4期253-255,共3页
以闪速燃烧合成的Si3N4(w(Si3N4)≥95%,粒度≤0.044mm)、α-Al2O3微粉(w(Al2O3)≥99%,d50=1.2μm)及SiO2微粉(w(SiO2)≥92%,粒度≤1μm)为原料,按照m(Si3N4):m(Al2O3):m(SiO2)=4:4:2比例混合,液压成型为Φ20mm×20mm试样在埋炭(不... 以闪速燃烧合成的Si3N4(w(Si3N4)≥95%,粒度≤0.044mm)、α-Al2O3微粉(w(Al2O3)≥99%,d50=1.2μm)及SiO2微粉(w(SiO2)≥92%,粒度≤1μm)为原料,按照m(Si3N4):m(Al2O3):m(SiO2)=4:4:2比例混合,液压成型为Φ20mm×20mm试样在埋炭(不接触焦炭)条件下分别于1300、1400、1500、1600℃保温6h处理后进行XRD分析。结果表明:1300℃的新生物相主要为Si2N2O和方石英,SiO2微粉方石英化明显;1400℃的新生物相主要为Si2N2O、方石英和O’-SiAlON;1500℃的新生物相为Si2N2O、方石英、O’-SiAlON、X相及莫来石;与1500℃相比,1600℃的新生物相没有变化,但是Si2N2O、O’-SiAlON、X相及莫来石的生成量增加明显,方石英生成量显著减少。 展开更多
关键词 Si3N4-Al2O3-SiO2体系 0’-SiAION X相 莫来石
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SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析 认领 引用
15
作者 黄君凯 易清明 +2 位作者 刘伟平 钟雨乐 张坤 《固体电子学研究与进展》 EI CAS 北大核心 2003年第2期236-240,共5页
采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模... 采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 。 展开更多
关键词 金属—氮化硅—二氧化硅—硅结构 存储陷阱分布 高频容—压特性 SiO2—Si3N4栅介质膜 陷阱特性 非挥发性存储器
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超薄Si_3N_4/SiO_2(N/O)stack栅介质及器件 认领 引用
16
作者 林钢 徐秋霞 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2005年第1期115-119,共5页
成功制备了EOT(equivalentoxidethickness)为 2 1nm的Si3 N4/SiO2 (N/O)stack栅介质 ,并对其性质进行了研究 .结果表明 ,同样EOT的Si3 N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2 栅介质比较 ,前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远... 成功制备了EOT(equivalentoxidethickness)为 2 1nm的Si3 N4/SiO2 (N/O)stack栅介质 ,并对其性质进行了研究 .结果表明 ,同样EOT的Si3 N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2 栅介质比较 ,前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远优于后者 .在此基础上 ,采用Si3 N4/SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为 0 12 μm的CMOS器件 ,器件很好地抑制了短沟道效应 .在Vds=Vgs=± 1 5V下 ,nMOSFET和pMOSFET对应的饱和电流Ion分别为5 84 3μA/ μm和 - 2 81 3μA/ μm ,对应Ioff分别是 8 3nA/ μm和 - 1 3nA/ μm . 展开更多
关键词 超薄Si3N4/SiO2(N/O)stack栅介质 栅隧穿漏电流 SILC特性 栅介质寿命 CMOS器件
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SiO_2-Si_3N_4-SiO_2复合梁谐振式压力传感器结构设计与分析 认领 引用
17
作者 李新 薛阳 李春风 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2015年第8期13-15,共3页
提出了一种采用SiO2-Si3N4-SiO2复合谐振梁结构的谐振式压力传感器。采用有限元分析技术分别对谐振梁和传感器芯片结构进行了电热分析、模态分析以及谐响应分析,最后对SiO2-Si3N4-SiO2复合梁谐振式压力传感器的工艺进行了探讨,表明通过... 提出了一种采用SiO2-Si3N4-SiO2复合谐振梁结构的谐振式压力传感器。采用有限元分析技术分别对谐振梁和传感器芯片结构进行了电热分析、模态分析以及谐响应分析,最后对SiO2-Si3N4-SiO2复合梁谐振式压力传感器的工艺进行了探讨,表明通过多晶硅牺牲层技术能更好地得到Si O2-Si3N4-Si O2复合谐振梁,具有良好的选频特性。 展开更多
关键词 有限元 SiO2-Si3 N4-SiO2复合梁 压力传感器
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Si_3N_4与TiO_2/SiO_2减反射膜用在单晶硅太阳电池的对比研究 认领 引用
18
作者 何京鸿 刘祖明 +1 位作者 李光明 张树明 《云南师范大学学报（自然科学版）》 2010年第6期54-57,共4页
文章对比分析了Si3N4单层减反射膜与TiO2/SiO2双层减反射膜对单晶硅太阳电池性能的影响,发现Si3N4单层减反射膜单晶硅太阳电池短路电流Isc较高。并对这两种减反射膜的批量产品进行抽样检测,结果表明采用TiO2/SiO2双层减反射膜电池总体品... 文章对比分析了Si3N4单层减反射膜与TiO2/SiO2双层减反射膜对单晶硅太阳电池性能的影响,发现Si3N4单层减反射膜单晶硅太阳电池短路电流Isc较高。并对这两种减反射膜的批量产品进行抽样检测,结果表明采用TiO2/SiO2双层减反射膜电池总体品质(主要从效率看)相当于或略优于Si3N4单层减反射膜太阳电池,说明TiO2/SiO2双层减反射膜仍比较适于单晶硅太阳电池。 展开更多
关键词 Si3N4 TiO2/SiO2 减反射膜
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恒压应力下超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质与SiO_2栅介质寿命比较 认领 引用
19
作者 林钢 徐秋霞 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2004年第12期1717-1721,共5页
以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结... 以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结果表明 ,Si3N4 / Si O2 叠层栅介质比同样 EOT的纯 Si O2 栅介质有更长的寿命 ,这说明 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质有更高的可靠性 . 展开更多
关键词 恒压应力 超薄Si3N4/SiO2 叠层栅介质 超薄SiO2栅介质 栅介质寿命预测
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晶态Si_3N_4/非晶SiO_2同轴纳米线的电子显微学研究 认领 引用
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作者 尤力平 冉广照 《电子显微学报》 CAS 2005年第4期277-277,共1页
关键词 Si3N4 电子显微学 SiO2 纳米线 同轴 场发射电子显微镜 非晶 晶态 微观组织结构
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