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多孔羰基铁/SiO2/聚吡咯核壳结构复合材料的制备及电磁特性 认领 引用 被引量：9
1
作者 谢明达 田晓霞 +1 位作者 屈绍波 程花蕾 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1261-1270,共10页
首先对羰基铁进行点腐蚀得到多孔羰基铁,然后采用St?ber法和原位聚合法将SiO_2和导电高分子聚吡咯包覆在多孔羰基铁表面,制备多孔羰基铁/SiO_2/聚吡咯电磁复合吸波材料。采用XRD、SEM、TEM、FT-IR对样品结构、微观形貌进行了表征,在网... 首先对羰基铁进行点腐蚀得到多孔羰基铁,然后采用St?ber法和原位聚合法将SiO_2和导电高分子聚吡咯包覆在多孔羰基铁表面,制备多孔羰基铁/SiO_2/聚吡咯电磁复合吸波材料。采用XRD、SEM、TEM、FT-IR对样品结构、微观形貌进行了表征,在网络分析仪中采用同轴法测试样品电磁参数,并根据传输线理论研究了2~18 GHz微波频段内吡咯含量及涂层厚度对样品吸波性能的影响。实验结果表明:制备的多孔羰基铁/SiO_2/聚吡咯复合电磁吸波材料具有核壳结构;随着吡咯加入量的增加,吸波材料吸收峰逐渐向低频方向移动;当涂层厚度为3.5 mm、吡咯加入量为6%(w/w)时,在9.44~17.56 GHz范围内反射率均低于-10 d B,频带宽度为8.12 GHz,损耗反射率达到-23 d B。良好的吸波性能归因于复合物有效的阻抗匹配特性及多重界面极化效应,多孔羰基铁/SiO_2/聚吡咯是一种轻质、宽频、强吸收的吸波材料。 展开更多
关键词 多孔羰基铁 SiO2过渡层 聚吡咯 核壳结构 电磁特性
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阶段升温工艺对SiO2改性Al颜料包覆性能的影响 认领 引用 被引量：1
2
作者 司政凯 张―梦 +6 位作者 闫丽伟 苏向东 张燕黎 曹林方 江慧 王―巍 刘燕刚 《涂料工业》 CAS CSCD 北大核心 2020年第11期45-50,共6页
研究了正硅酸乙酯(TEOS)在片状铝颜料表面水解缩聚形成SiO2包覆膜制备Al颜料的反应过程,重点探讨了两阶段升温变化对包覆性能的影响。FE-SEM和刮板试验结果表明:第一阶段温度50℃,第二阶段80℃时,能在片状铝颜料表面形成一层均匀、致密... 研究了正硅酸乙酯(TEOS)在片状铝颜料表面水解缩聚形成SiO2包覆膜制备Al颜料的反应过程,重点探讨了两阶段升温变化对包覆性能的影响。FE-SEM和刮板试验结果表明:第一阶段温度50℃,第二阶段80℃时,能在片状铝颜料表面形成一层均匀、致密且遮盖性高、光泽高的SiO2薄膜;EDS和粒径分布测试结果表明:与未包覆的铝颜料相比,SiO2包覆的Al颜料表面硅元素含量增加了1.48%,氧元素含量由1.81%增加到4.60%,SiO2包覆的Al颜料的D50增大了约15%,表明在铝颜料表面形成的SiO2包覆膜非常薄;在pH为9的弱碱性溶液中,220 h后析出的H2体积仅为未包覆铝颜料的2.2%,具有良好的耐弱碱性。 展开更多
关键词 铝颜料 包覆机理 SiO2薄膜 阶段温度 耐碱性
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SiO2薄膜对太阳电池电学性能的影响 认领 引用 被引量：2
3
作者 胡宇 孟凡英 +2 位作者 汪建强 李翔 黄建华 《上海交通大学学报》 EI CAS 北大核心 2009年第11期1828-1831,共4页
研究了SiO2薄膜对晶体硅片的钝化作用及其对太阳电池电学性能的影响.基于PC1D软件,对SiO2/SiNx双层膜结构的硅太阳电池进行模拟,分析了硅片前表面复合速率和体寿命对电学特性的影响.模拟结果表明,当前表面复合速率大于104cm/s时,电池输... 研究了SiO2薄膜对晶体硅片的钝化作用及其对太阳电池电学性能的影响.基于PC1D软件,对SiO2/SiNx双层膜结构的硅太阳电池进行模拟,分析了硅片前表面复合速率和体寿命对电学特性的影响.模拟结果表明,当前表面复合速率大于104cm/s时,电池输出特性线性衰降;当体寿命小于30μs时,电池的开路电压和短路电流随体寿命的增加而线性增加.对比研究了SiO2、SiNx和SiO2/SiNx3种薄膜对晶体硅片的钝化效果.结果表明,SiO2/SiNx钝化的硅片在退火处理后有效少子寿命提高,具有这种双层膜的太阳电池短路电流、开路电压、光电转换效率和量子效率都有明显改善. 展开更多
关键词 二氧化硅 钝化 双层膜 太阳电池
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高粘度SiO2材料烧蚀传热机理及试验验证 认领 引用 被引量：5
4
作者 俞继军 姜贵庆 李仲平 《空气动力学学报》 EI 北大核心 2008年第4期462-465,共4页
通过对高粘度SiO2材料的烧蚀及传热分析,建立了硅基材料的固体层-液体层的耦合烧蚀计算方法。给出了材料烧蚀过程中烧蚀速度、液层厚度、液层温度及固体温度的表达式及求解方法,并把计算结果与电弧加热器平板烧蚀试验的液层厚度分布及... 通过对高粘度SiO2材料的烧蚀及传热分析,建立了硅基材料的固体层-液体层的耦合烧蚀计算方法。给出了材料烧蚀过程中烧蚀速度、液层厚度、液层温度及固体温度的表达式及求解方法,并把计算结果与电弧加热器平板烧蚀试验的液层厚度分布及烧蚀量的精确测量结果进行了对比。结果表明新模型的液层厚度及烧蚀量与实验结果符合很好。 展开更多
关键词 烧蚀 SiO2材料 液层
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GaAs基底TiO2/SiO2减反射膜的反射率性能分析 认领 引用 被引量：8
5
作者 肖祥江 涂洁磊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期69-73,共5页
本文设计并制备了适用于砷化镓(GaAs)多结太阳电池的TiO2/SiO2双层减反射膜,通过实测反射谱来验证了理论设计的正确性。利用编程分析了TiO2、SiO2单层膜的厚度及其折射率对双层膜系反射率的影响。结果显示,在短波范围(300～600 nm),TiO... 本文设计并制备了适用于砷化镓(GaAs)多结太阳电池的TiO2/SiO2双层减反射膜,通过实测反射谱来验证了理论设计的正确性。利用编程分析了TiO2、SiO2单层膜的厚度及其折射率对双层膜系反射率的影响。结果显示,在短波范围(300～600 nm),TiO2膜厚对反射率的影响要大于SiO2,而SiO2折射率对反射率的影响比TiO2大;在中波范围(600～900 nm),随着单层膜的厚度和折射率的增加,双层膜系反射率存在一个最小值,变化趋势是先降低,而随后增加。同时,计算结果得到SiO2和TiO2的最优物理膜厚分别为78.61 nm和50.87 nm,此时在短波段中心波长λ1=450 nm处最小反射率为0.0034%,在中波段中心波长λ2=750 nm处最小反射率为0.495%。采用电子束蒸发法在GaAs基底上淀积TiO2/SiO2双层膜,厚度分别为78 nm和50 nm。实测短波和中波相应的反射率极小值分别为0.37%和2.95%,与理论结果吻合较好。 展开更多
关键词 GaAs多结太阳电池 TiO2/SiO2双层减反射膜 电子束蒸发 折射率
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SiO2薄膜涂覆层数对304不锈钢抗高温氧化性能的影响 认领 引用 被引量：2
6
作者 马静 王瑞阳 温宁 《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2021年第1期75-81,共7页
为提高304不锈钢的抗高温氧化性能,以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用溶胶-凝胶法,在不锈钢表面制备了SiO2薄膜,通过氧化动力学,XRD,SEM和EDS分析,研究了涂覆层数对不锈钢900℃抗高温氧化性能的影响。结果表明,SiO2薄膜与不锈钢基体的附着... 为提高304不锈钢的抗高温氧化性能,以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用溶胶-凝胶法,在不锈钢表面制备了SiO2薄膜,通过氧化动力学,XRD,SEM和EDS分析,研究了涂覆层数对不锈钢900℃抗高温氧化性能的影响。结果表明,SiO2薄膜与不锈钢基体的附着性良好,促进了不锈钢表面发生选择性氧化,生成保护作用的Cr2O3和NiCr2O4氧化层,不锈钢的抗高温氧化性能显著提高,其中涂覆3层SiO2薄膜试样的抗高温氧化性能最佳,经900℃循环氧化100 h后氧化增重与氧化剥落仅为未涂覆试样的58.1%和41.4%。SiO2薄膜涂覆有效提高了不锈钢的抗高温氧化性能,是表面处理方法应用于高温环境的又一尝试,为溶胶-凝胶法制备其他薄膜提供了借鉴和参考。 展开更多
关键词 材料失效与保护 溶胶-凝胶法 SiO2薄膜 涂覆层数 高温氧化 选择氧化
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改性SiO2杂化层相变微胶囊的制备与表征 认领 引用 被引量：10
7
作者 王鑫 方建华 +4 位作者 吴江 刘坪 冯彦寒 刘娜 林旺 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期1431-1438,共8页
以相变温度为32℃的石蜡为芯材,三聚氰胺-甲醛树脂/改性SiO2杂化层为壁材,采用原位聚合法制备相变微胶囊。使用接触角测定仪考察了KH-570对纳米SiO2的有机改性效果;运用扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)分析了微胶囊表面形貌及壳... 以相变温度为32℃的石蜡为芯材,三聚氰胺-甲醛树脂/改性SiO2杂化层为壁材,采用原位聚合法制备相变微胶囊。使用接触角测定仪考察了KH-570对纳米SiO2的有机改性效果;运用扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)分析了微胶囊表面形貌及壳层表面的元素分布;采用差示扫描量热仪(DSC)测定了相变微胶囊的热性能参数。结果表明:使用KH-570有机改性的纳米SiO2颗粒制备杂化层能显著提升微胶囊的热稳定性与使用耐久性。当改性SiO2质量分数为3%时,制得的微胶囊呈光滑球形,SiO2颗粒在胶囊壳层表面分散均匀,其相变焓为135.1J/g,相变过程滞后,并且微胶囊芯材在有机溶剂中的渗透率由66.1%降至45.8%,经历1000次热循环后的质量与相变焓损失率仅为7%与24.4%。 展开更多
关键词 纳米SiO2 微胶囊 相变材料 三聚氰胺-甲醛树脂 杂化层 渗透率
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Al@SiO2@Al2O3双层复合材料的可控合成及其耐腐蚀与力学性能 认领 引用
8
作者 陈颖 李晓斌 +3 位作者 胡程程 刘长江 陈祥迎 韩夏 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期49-57,共9页
为了有效提高铝颜料的耐腐蚀与力学性能,通过一种温和有效的Sol-Gel法,首先在铝颜料表面包覆一层SiO2,再通过异丙醇铝水解产生A12O3,从而制备了 Al@ SiO2@ Al2O3的双层复合材料。利用扫描电镜、EDS谱、红外光谱、X射线衍射等分析手段对... 为了有效提高铝颜料的耐腐蚀与力学性能,通过一种温和有效的Sol-Gel法,首先在铝颜料表面包覆一层SiO2,再通过异丙醇铝水解产生A12O3,从而制备了 Al@ SiO2@ Al2O3的双层复合材料。利用扫描电镜、EDS谱、红外光谱、X射线衍射等分析手段对包覆前后的铝颜料的微观形貌及包覆层成分进行分析和表征;通过析氢试验来考察样品的耐腐蚀性能;并将双层包覆的铝颜料添加到PVC树脂中,研究铝颜料对PVC树脂的拉伸性能和硬度的影响。结果表明:表面包覆质量分数约10%的SiO2和4%的A12O3,室温条件下,反应时间为4 h,Al2O3能够在铝颜料表面形成表面光滑、致密的包覆层,在浓度为0.5 mol/L的盐酸中,缓蚀效率达84.6%;添加0.10%(质量分数,下同)铝颜料,PVC树脂的拉伸强度提高45.77%,断裂伸长率提高46.55%,硬度提高27.05%;添加0.15%铝颜料时PVC树脂的光泽度有89.7Gs. 展开更多
关键词 铝颜料 SiO2/Al2O3 双层包覆 PVC树脂 耐蚀性 力学性能
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Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰对ZnO-TFTs性能的影响 认领 引用
9
作者 叶伟 崔立堃 常红梅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期1344-1351,共8页
具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO 2 修饰的Bi 1.5 Zn 1.0 Nb 1.5 O 7 作为栅绝缘层的ZnO... 具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO 2 修饰的Bi 1.5 Zn 1.0 Nb 1.5 O 7 作为栅绝缘层的ZnO-TFTs结构,分析了SiO 2 修饰对栅绝缘层和ZnO-TFTs性能的影响.结果表明,使用SiO 2 修饰后,栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能得到显著提高,使得ZnO-TFTs在下一代显示领域中具有非常广泛的应用前景.栅绝缘层的漏电流密度从4.5×10^-5 A/cm^2 降低到7.7×10^-7 A/cm^2 ,粗糙度从4.52nm降低到3.74nm,ZnO-TFTs的亚阈值摆幅从10V/dec降低到2.81V/dec,界面态密度从8×10^13 cm^-2 降低到9×10 12 cm^-2 ,迁移率从0.001cm^2 /(V·s)升高到0.159cm^2 /(V·s). 展开更多
关键词 SiO2薄膜 氧化锌薄膜晶体管 修饰层 Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7薄膜 射频磁控溅射
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SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响 认领 引用 被引量：2
10
作者 任世荣 陈新亮 +4 位作者 张存善 孙建 张晓丹 耿新华 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期843-847,共5页
利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO(In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层在室温生长。SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜。实验获得的具有SiO2... 利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO(In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层在室温生长。SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜。实验获得的具有SiO2阻挡层的IWO薄膜的电子迁移率μ～54.5 cm.2V-.1s-1,电阻率ρ～5.86×10-4Ω.cm,电子载流子浓度n～1.95×1020 cm-3,400～1600 nm光谱区域内的平均透过率～76%。 展开更多
关键词 电子束沉积技术 SiO2阻挡层 IWO薄膜 高迁移率
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分层状多孔SiO2负载Ni基催化剂用于甲烷二氧化碳重整反应的研究 认领 引用 被引量：1
11
作者 孟昭俊 王自军 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期104-109,共6页
以"膨胀-酸化"改性处理蛭石(VTM)制备的二维层状多孔纳米片(EXVTM-SiO2)为载体,采用浸渍法制备负载量不同的Ni/EXVTM-SiO2催化剂用于甲烷重整反应。通过BET、XRD、XRF、SEM、H2-TPR、TEM、TG等对催化剂进行表征,在常压750℃... 以"膨胀-酸化"改性处理蛭石(VTM)制备的二维层状多孔纳米片(EXVTM-SiO2)为载体,采用浸渍法制备负载量不同的Ni/EXVTM-SiO2催化剂用于甲烷重整反应。通过BET、XRD、XRF、SEM、H2-TPR、TEM、TG等对催化剂进行表征,在常压750℃条件下进行300 min稳定性实验。结果表明,10%Ni/EXVTM-SiO2表现出较好的催化活性及稳定性,其CO2、CH4的初始转化率分别为92%、55%。这主要是由于10%Ni/EXVTM-SiO2催化剂具有大的比表面积、较好的金属分散性,从而使催化剂具有一定的抗积碳和抗烧结性。 展开更多
关键词 膨胀-酸化 甲烷重整 蛭石 层状多孔SiO2 镍基催化剂
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一种新型的Cu-LBMS@SiO2纳米复合材料的合成及缓释性能研究 认领 引用
12
作者 王辉 杨海峰 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第8期85-90,共6页
水滑石类层状化合物因具有易于聚集特点,使其在医药等方面的应用受到限制。利用水热合成法,将层状氢氧化苯甲酸铜(Cu-LBMS)不加任何交联剂直接沉积到SiO2微球上,制备了一种新型核壳结构的纳米复合材料Cu-LBMS@SiO2,并将其用于缓释给药... 水滑石类层状化合物因具有易于聚集特点,使其在医药等方面的应用受到限制。利用水热合成法,将层状氢氧化苯甲酸铜(Cu-LBMS)不加任何交联剂直接沉积到SiO2微球上,制备了一种新型核壳结构的纳米复合材料Cu-LBMS@SiO2,并将其用于缓释给药系统。制备的纳米复合微球通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和红外光谱(FT-IR)等方法进行表征和分析,SEM结果表明该复合微球的形貌为疏松多孔的球形,XRD和FT-IR进一步证明了该纳米复合材料的形成。最后以槲皮素为模型药物,探讨了该纳米复合微球对槲皮素的载药性能及体外的释药性。结果表明:Cu-LBMS@SiO2纳米复合微球对槲皮素的载药量比Cu-LBMS高31.49mg/g,其体外释药主要集中在5~7h,在7h的累积释药量达到91.56%,其缓释效果明显优于Cu-LBMS和其物理混合物。 展开更多
关键词 层状氢氧化苯甲酸铜 Cu-LBMS@SiO2 槲皮素 载药性能 缓释性能
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SiO2薄膜在电荷陷阱型V-NAND中的应用及制备方法 认领 引用
13
作者 周影影 张刘超 《功能材料与器件学报》 CAS 2019年第4期240-246,共7页
电荷陷阱型V-NAND技术具有较低的单位存储成本,优异的写入与读取速度,高可靠性等优点被越来越广泛地使用。SiO2在V-NAND中被广泛用作隔离氧化层,隧穿氧化层,介电层以及离子注入掩模等。本文阐述了电荷陷阱型V-NAND基本存储单元的物理和... 电荷陷阱型V-NAND技术具有较低的单位存储成本,优异的写入与读取速度,高可靠性等优点被越来越广泛地使用。SiO2在V-NAND中被广泛用作隔离氧化层,隧穿氧化层,介电层以及离子注入掩模等。本文阐述了电荷陷阱型V-NAND基本存储单元的物理和能带结构,并对写入与擦除过程电子隧穿过程进行分析;对位成本缩减技术(BICS)和阵列存储单元兆级晶体管技术(TCAT)的存储区域的物理结构进行对比,对其存储单元的立体结构进行分析。重点介绍热氧化法,化学气相沉积法和原子层沉积法制备SiO2薄膜的原理的性质,并对三种方法制备SiO2薄膜的物理和电性特征进行分析。 展开更多
关键词 电荷陷阱型V-NAND SiO2薄膜 热氧化法 化学气相沉积法 原子层沉积法
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SOI高温压力传感器的研究现状 认领 引用 被引量：10
14
作者 张书玉 张维连 +1 位作者 张生才 姚素英 《河北工业大学学报》 CAS 2005年第2期14-19,共6页
SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方... SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方法-特别是硅片直接键合技术(SDB),简单介绍了SOI压力传感器的优势、制作工艺以及SOI压力传感器的发展现状. 展开更多
关键词 压力传感器 SOI SiO2层 各向异性腐蚀 硅片直接键合 硅单晶片
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碱矿渣胶凝材料改性手段及相关机理研究进展 认领 引用 被引量：13
15
作者 郝书研 万小梅 +2 位作者 韩序康 吕威 郗文鑫 《混凝土》 CAS 北大核心 2021年第8期91-95,共5页
碱矿渣胶凝材料是一种环境友好型的新型胶凝材料,未来有望成为硅酸盐水泥的替代材料。但是,其硬化过程中往往伴随着较大的体积减缩,有脆化、裂纹等问题,制约其大规模推广与应用,因此,对碱矿渣胶凝材料进行改性是该领域的当前的热点方向... 碱矿渣胶凝材料是一种环境友好型的新型胶凝材料,未来有望成为硅酸盐水泥的替代材料。但是,其硬化过程中往往伴随着较大的体积减缩,有脆化、裂纹等问题,制约其大规模推广与应用,因此,对碱矿渣胶凝材料进行改性是该领域的当前的热点方向之一。从纳米二氧化硅、石墨烯、层状双金属氢氧化物方面综述介绍了近年来国内外研究者改性提升碱矿渣胶凝材料的手段及其相关机理的研究进展。 展开更多
关键词 碱矿渣胶凝材料 纳米二氧化硅 石墨烯 层状双金属氢氧化物 改性机理
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有机-无机复合材料光波导的制备 认领 引用 被引量：3
16
作者 王哲哲 赵高扬 +2 位作者 李美莲 盛淑月 张晓磊 《功能材料》 EI CAS 北大核心 2008年第6期892-895,共4页
有机-无机复合光波导在光通信领域具有重要的应用价值,是目前的研究热点之一。采用溶胶-凝胶法分别制备了膜厚达13μm的光滑平整的PMMA膜和具有紫外感光性的膜厚为1.76μm的SiO2/ZrO2凝胶膜,研究了SiO2/ZrO2凝胶膜的感光性及紫外光照对... 有机-无机复合光波导在光通信领域具有重要的应用价值,是目前的研究热点之一。采用溶胶-凝胶法分别制备了膜厚达13μm的光滑平整的PMMA膜和具有紫外感光性的膜厚为1.76μm的SiO2/ZrO2凝胶膜,研究了SiO2/ZrO2凝胶膜的感光性及紫外光照对两种薄膜折射率的影响。在此基础上,以PMMA膜为包层膜,SiO2/ZrO2凝胶膜为芯层膜,实现了光波导的包芯层复合。利用SiO2/ZrO2凝胶膜的感光性,结合紫外掩模技术,制备了条形的有机-无机复合光波导,理论分析表明该复合条形光波导能够实现入射波长为1.31μm,模数为0,1的传输。 展开更多
关键词 复合光波导 PMMA膜 SiO2/ZrO2凝胶膜 折射率
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SiO_2缓冲层对柔性ITO薄膜特性的影响 认领 引用 被引量：4
17
作者 喻志农 相龙锋 +1 位作者 李玉琼 薛唯 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS 北大核心 2009年第3期443-446,共4页
利用离子辅助蒸发技术在PET塑料衬底上制备柔性ITO薄膜,重点分析了柔性ITO薄膜在增加SiO2缓冲层前后的性能变化。采用X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪、NT100光学轮廓仪等测试手段对薄膜样品进行表征。实验结果表明:... 利用离子辅助蒸发技术在PET塑料衬底上制备柔性ITO薄膜,重点分析了柔性ITO薄膜在增加SiO2缓冲层前后的性能变化。采用X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪、NT100光学轮廓仪等测试手段对薄膜样品进行表征。实验结果表明:增加缓冲层后,柔性ITO薄膜的X射线衍射特征峰的强度增加;薄膜电阻率减小为1.21×10-3?·cm;可见光峰值透过率为85%左右;表面相对光滑;薄膜电阻在一定的弯曲状态保持一定的稳定性。 展开更多
关键词 离子辅助蒸发技术 ITO薄膜 二氧化硅缓冲层
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纳米结构TiO_2/SiO_2的制备、结构与光催化性能 认领 引用 被引量：2
18
作者 陈汝芬 马薇 +1 位作者 宋秀芹 魏雨 《功能材料与器件学报》 EI CAS 北大核心 2006年第4期351-356,共6页
用自组装技术合成了纳米TiO2包覆的SiO2粒子。其中TiO2胶体通过溶胶-凝胶方法得到。讨论了不同晶型负载TiO2的合成条件及光催化性。样品经IR,SEM,XRD等进行表征.实验结果表明:SiO2粒子表面的纳米TiO2具有较好的均匀性;TiO2的含量随覆盖... 用自组装技术合成了纳米TiO2包覆的SiO2粒子。其中TiO2胶体通过溶胶-凝胶方法得到。讨论了不同晶型负载TiO2的合成条件及光催化性。样品经IR,SEM,XRD等进行表征.实验结果表明:SiO2粒子表面的纳米TiO2具有较好的均匀性;TiO2的含量随覆盖层的增加而增多;组装两层样品具有较大的比表面;经100℃干燥可得到不同晶型的纳米TiO2,且锐钛矿型含量较高的纳米TiO2组装粒子具有较好的光催化性能, 展开更多
关键词 纳米结构TiO2/SiO2 逐层自组装 溶胶-凝胶方法 光催化
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电子束蒸发SiO_2薄膜残余应力在不同湿度环境下的对比 认领 引用 被引量：4
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作者 叶晓雯 丁涛 +5 位作者 程鑫彬 沈正祥 王孝东 刘永利 鲍刚华 何文彦 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第3期713-717,共5页
采用电子束蒸发方法在BK7基底上制备SiO2单层膜,通过台式探针轮廓仪分别测量了大气(45%RH)和干燥环境(5%RH)中不同沉积温度下制备的SiO2单层膜残余应力,同时使用分光光度计和原子力显微镜对样品的折射率和表面形貌进行研究。测试结果表... 采用电子束蒸发方法在BK7基底上制备SiO2单层膜,通过台式探针轮廓仪分别测量了大气(45%RH)和干燥环境(5%RH)中不同沉积温度下制备的SiO2单层膜残余应力,同时使用分光光度计和原子力显微镜对样品的折射率和表面形貌进行研究。测试结果表明:SiO2薄膜的残余应力在两个环境中均表现为压应力,且随沉积温度的升高均逐渐增大。干燥环境下与大气环境相比,应力值减小了约100MPa。此外,随沉积温度的升高,薄膜折射率不断增大,表面粗糙度逐渐减小。说明:随着沉积温度的变化,SiO2薄膜的微结构发生了改变。相应地,由水诱发的应力随薄膜致密度的增加而逐渐减小。 展开更多
关键词 SiO2单层膜 沉积温度 残余应力 由水诱发的应力 折射率 表面形貌
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碳化硅直接键合机理及其力学性能研究 认领 引用 被引量：2
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作者 王心心 梁庭 +4 位作者 贾平岗 王涛龙 刘雨涛 张瑞 熊继军 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1282-1287,共6页
随着碳化硅(Si C)材料的MEMS器件在恶劣环境测量中的应用前景和迫切需求,进行了碳化硅的直接键合实验。研究了工艺条件对键合样品力学性能的影响,同时借助激光共聚焦扫描显微镜(CLSM)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和拉曼光谱仪等... 随着碳化硅(Si C)材料的MEMS器件在恶劣环境测量中的应用前景和迫切需求,进行了碳化硅的直接键合实验。研究了工艺条件对键合样品力学性能的影响,同时借助激光共聚焦扫描显微镜(CLSM)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和拉曼光谱仪等对碳化硅键合样品界面的微观结构进行了分析。结果表明:退火温度和加载压力是影响键合效果的关键性因素。当退火温度为1 300℃,加载压力为3 MPa和退火时间为3 h时,此时键合样品的气密性非常好,力学性能达到最佳,键合强度2 MPa。最后通过样品微观界面分析表明碳化硅直接键合的机理为界面氧化硅过渡层的形成及粘性流动与碳化硅和碳化硅的熔融直接键合。 展开更多
关键词 MEMS 碳化硅直接键合 微观结构 碳化硅过渡层 粘性流动 熔融键合
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