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SiO2/4H-SiC界面氮化退火 认领 引用 被引量：1
1
作者 赵艳黎 李诚瞻 +2 位作者 陈喜明 王弋宇 申华军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期215-218,共4页
通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层。为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载流子迁移率的SiC MOSFET器件产品的栅极氧化层退火条件,研究了不同退火条件下的SiO2/SiC界面电学特性参数... 通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层。为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载流子迁移率的SiC MOSFET器件产品的栅极氧化层退火条件,研究了不同退火条件下的SiO2/SiC界面电学特性参数。制作了MOS电容和横向MOSFET器件,通过表征SiO2栅氧化层C-V特性和MOSFET器件I-V特性,提取平带电压、C-V磁滞电压、SiO2/SiC界面态密度和载流子沟道迁移率等电学参数。实验结果表明,干氧氧化形成SiO2栅氧化层后,在1 300℃通入N2退火30 min,随后在相同温度下进行NO退火120 min,为最佳栅极氧化层退火条件,此时,SiO2/SiC界面态密度能够降低至2.07×1012cm-2·e V-1@0.2 e V,SiC MOSFET沟道载流子迁移率达到17 cm2·V-1·s-1。 展开更多
关键词 SiO2/4H-SiC 氮化退火 界面态密度 平带电压 C-V磁滞电压 迁移率
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SiO_2/4H-SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究 认领 引用 被引量：3
2
作者 王德君 赵亮 +3 位作者 朱巧智 马继开 陈素华 王海波 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2008年第5期944-949,共6页
采用角依赖X射线光电子谱技术（ADXPS）对高温氧化SiO2／4H—SiC（0001）界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究．通过控制1％浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间，制备出超薄膜（1～1．5nm）样品，同时借助标准物对照分析，提高了谱峰分解的... 采用角依赖X射线光电子谱技术（ADXPS）对高温氧化SiO2／4H—SiC（0001）界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究．通过控制1％浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间，制备出超薄膜（1～1．5nm）样品，同时借助标准物对照分析，提高了谱峰分解的可靠性．结果显示，高温氧化形成的SiO2／4H-SiC（0001）界面，同时存在着Si^，Si^2＋，Si^3＋ 3种低值氧化物，变角分析表明，一个分层模型适合于描述该过＋渡区的成分分布．建立了过渡区的原子级模型并计算了氧化膜厚度．结合过渡区各成分含量的变化及电容-电压（C-V）测试分析，揭示了过渡区成分与界面态的直接关系． 展开更多
关键词 SiO2/SiC界面 4H—SiC ADXPS 界面态 缺陷
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Investigation of a 4H-SiC metal-insulationsemiconductor structure with an A1203/SiO2 stacked dielectric 认领 引用 被引量：1
3
作者 汤晓燕 宋庆文 +4 位作者 张玉明 张义门 贾仁需 吕红亮 王悦湖 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第8期494-497,共4页
Atomic layer deposited （ALD） Al2O3/dry-oxidized ultrathin SiO2 films as a high-k gate dielectric grown on 8° off-axis 4H-SiC （0001） epitaxial wafers are investigated in this paper. The metal-insulation-semico... Atomic layer deposited （ALD） Al2O3/dry-oxidized ultrathin SiO2 films as a high-k gate dielectric grown on 8° off-axis 4H-SiC （0001） epitaxial wafers are investigated in this paper. The metal-insulation-semiconductor （MIS） capacitors, respectively with different gate dielectric stacks （Al2O3/SiO2, Al2O3, and SiO2） are fabricated and compared with each other. The I-V measurements show that the Al2O3/SiO2 stack has a high breakdown field （≥12 MV/cm） comparable to SiO2, and a relatively low gate leakage current of 1 × 10-7 A/cm2 at an electric field of 4 MV/cm comparable to Al2O3. The 1-MHz high frequency C-V measurements exhibit that the Al2O3/SiO2 stack has a smaller positive flat-band voltage shift and hysteresis voltage, indicating a less effective charge and slow-trap density near the interface. 展开更多
关键词 4H-SiC Al2O3 high-k dielectric
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用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成 认领 引用 被引量：4
4
作者 赵亮 王德君 +2 位作者 马继开 陈素华 王海波 《半导体技术》 CAS 北大核心 2008年第2期121-125,共5页
利用X射线光电子谱（XPS）研究了高温氧化形成的Si02／4H．SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜（1～1．5nm）样品，并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明，高温氧化Si02／4H．SiC界面，类石墨碳较... 利用X射线光电子谱（XPS）研究了高温氧化形成的Si02／4H．SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜（1～1．5nm）样品，并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明，高温氧化Si02／4H．SiC界面，类石墨碳较多，除Si^＋成分外，还存在Si^2＋和Si^3＋两种低值氧化物。三种工艺处理后界面成分含量的对比，指出界面成分可通过合理工艺有效控制，以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善。 展开更多
关键词 二氧化硅/碳化硅 4H-碳化硅 X射线光电子谱 超薄氧化膜
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Saturation thickness of stacked SiO2in atomic-layer-deposited Al2O3gate on 4H-SiC 认领 引用
5
作者 邵泽伟 徐弘毅 +2 位作者 王珩宇 任娜 盛况 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第8期397-403,共7页
High-k materials as an alternative dielectric layer for SiC power devices have the potential to reduce interfacial state defects and improve MOS channel conduction capability.Besides,under identical conditions of gate... High-k materials as an alternative dielectric layer for SiC power devices have the potential to reduce interfacial state defects and improve MOS channel conduction capability.Besides,under identical conditions of gate oxide thickness and gate voltage,the high-k dielectric enables a greater charge accumulation in the channel region,resulting in a larger number of free electrons available for conduction.However,the lower energy band gap of high-k materials leads to significant leakage currents at the interface with Si C,which greatly affects device reliability.By inserting a layer of SiO2between the high-k material and Si C,the interfacial barrier can be effectively widened and hence the leakage current will be reduced.In this study,the optimal thickness of the intercalated SiO2was determined by investigating and analyzing the gate dielectric breakdown voltage and interfacial defects of a dielectric stack composed of atomic-layer-deposited Al2O3layer and thermally nitride SiO2.Current-voltage and high-frequency capacitance-voltage measurements were performed on metal-oxide-semiconductor test structures with 35 nm thick Al2O3stacked on 1 nm,2 nm,3 nm,6 nm,or 9 nm thick nitride SiO2.Measurement results indicated that the current conducted through the oxides was affected by the thickness of the nitride oxide and the applied electric field.Finally,a saturation thickness of stacked SiO2that contributed to dielectric breakdown and interfacial band offsets was identified.The findings in this paper provide a guideline for the SiC gate dielectric stack design with the breakdown strength and the interfacial state defects considered. 展开更多
关键词 4H-SiC SiO2/Al2O3stacks saturation thickness dielectric breakdown
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Joining of SiO2 ceramic and TC4 alloy by nanoparticles modified brazing filler metal 认领 引用 被引量：17
6
作者 Hong BIAN Yanyu SONG +3 位作者 Duo LIU Yuzhen LEI Xiaoguo SONG Jian CAO 《Chinese Journal of Aeronautics》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第1期383-390,共8页
Nano-Al2O3 particles modified Ag Cu Ni filler was adopted to braze the SiO2 ceramic and TC4.The effects of filler size as well as the brazing temperature on the interfacial microstructure and mechanical property of th... Nano-Al2O3 particles modified Ag Cu Ni filler was adopted to braze the SiO2 ceramic and TC4.The effects of filler size as well as the brazing temperature on the interfacial microstructure and mechanical property of the joints were investigated.Nanoscale filler reduced the phases dimension and promoted the homogeneous distribution of microstructure,obtaining a higher joint strength when compared to microscale filler.The increase of brazing temperature made the accelerating dissolution and diffusion of Ti,which promoted the increase of thickness of Ti4O7+TiSi2 layer adjacent to SiO2 ceramic and diffusion layer zone nearby TC4 alloy.The hypoeutectic structure was produced in the brazing seam due to the high Ti content.The maximum shear strength of^40 MPa was obtained at 950°C for 10 min. 展开更多
关键词 Brazing Microstructure Nanoparticles modified filler SiO2 ceramic TC4
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磁性纳米TiO_2/SiO_2/Fe_3O_4光催化剂的制备及表征 认领 引用 被引量：43
7
作者 廖振华 陈建军 +2 位作者 姚可夫 赵方辉 李荣先 《无机材料学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2004年第4期749-754,共6页
以纳米Fe3O4磁粉为核心,采用溶胶-凝胶法制备了TiO2/SiO2/Fe3O4复合光催化剂。用XRD、TEM及元素分析对其结构和表面形貌进行了表征。以具有偶氮染料结构的甲基橙水溶液为目标反应物,评价其光催化活性。结果表明,所制TiO2/SiO2/Fe3O4样... 以纳米Fe3O4磁粉为核心,采用溶胶-凝胶法制备了TiO2/SiO2/Fe3O4复合光催化剂。用XRD、TEM及元素分析对其结构和表面形貌进行了表征。以具有偶氮染料结构的甲基橙水溶液为目标反应物,评价其光催化活性。结果表明,所制TiO2/SiO2/Fe3O4样品为双层包覆型结构,SiO2为中间层,最外层是锐钛矿型的TiO2。该复合光催化剂对甲基橙溶液有较高的光催化活性,并具有可利用其磁性回收重用的特点,应用前景广泛。 展开更多
关键词 TiO2/SiO2/Fe3O4 包覆 磁性 光催化
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助熔剂对绿色荧光粉Ba_2SiO_4:Eu2+颗粒形貌及发光性能的影响 认领 引用 被引量：17
8
作者 李雪静 梁玉军 +3 位作者 杨帆 夏章艮 李云丽 黄文珠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期817-823,共7页
采用高温固相法在弱还原气氛下合成了Ba2SiO4∶Eu2+绿色荧光粉,利用X射线衍射、扫描电子显微镜和荧光分光光度计考察了不同助熔剂对Ba2SiO4∶Eu2+荧光粉的结晶度、物相纯度、颗粒形貌和发光强度的影响,并详细讨论了不同助熔剂在荧光粉... 采用高温固相法在弱还原气氛下合成了Ba2SiO4∶Eu2+绿色荧光粉,利用X射线衍射、扫描电子显微镜和荧光分光光度计考察了不同助熔剂对Ba2SiO4∶Eu2+荧光粉的结晶度、物相纯度、颗粒形貌和发光强度的影响,并详细讨论了不同助熔剂在荧光粉制备过程中的作用机理。结果表明:不加助熔剂时样品存在BaSi2和SiO2杂相;利用NH4F、Na2CO3或H3BO3作为助熔剂时会抑制BaSi2杂相的形成,而BaF2作助熔剂可以得到纯的斜方晶系。与未加助熔剂合成的荧光粉相比,添加质量分数为2%的BaF2、NH4F或Na2CO3后合成样品的发光强度分别提高了138%,81%和34%;而质量分数为2%的H3BO3作助熔剂时,荧光粉的发光强度反而降低了14%。BaF2作助熔剂合成的荧光粉颗粒形貌接近球形,以NH4F、Na2CO3或H3BO3作助熔剂合成的荧光粉颗粒形貌分别为不规则片状、纺锤体形和不规则多边形大颗粒。 展开更多
关键词 Ba2SiO4:Eu2+ 固相法 助熔剂 荧光粉
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Effect of SiO2 addition on NH4HSO4 decomposition and SO2 poisoning over V2O5-MoO3/TiO2-CeO2 catalyst 认领 引用 被引量：11
9
作者 Chengqiang Zheng Teng Cheng +2 位作者 Linjun Yang Hao Wu Hongmei Fan 《Journal of Environmental Sciences》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第5期279-291,共13页
The deposition of NH4 HSO4 and the poisoning effect of SO2 on SCR catalyst are the main obstacles that restrict the industrial application of CeO2-doped SCR catalysts.In this work,deposited NH4 HSO4 decomposition beha... The deposition of NH4 HSO4 and the poisoning effect of SO2 on SCR catalyst are the main obstacles that restrict the industrial application of CeO2-doped SCR catalysts.In this work,deposited NH4 HSO4 decomposition behavior and SO2 poisoning over V2 O5-MoO3/TiO2 catalysts modified with CeO2 and SiO2 were investigated.By the means of characterization analysis,it was found that the addition of SiO2 into VMo/Ti-Ce had an impact on the interaction existed between catalyst surface atoms and NH4 HSO4.Temperatureprogrammed methods and in situ diffused reflectance infrared Fourier transform spectroscopy(DRIFTS)experiments indicated that the doping of SiO2 promoted the decomposition of deposited NH4 HSO4 on VMo/Ti-Ce catalyst surface by reducing the thermal stability of NH4 HSO4 and enhancing the NH4 HSO4 reactivity with NO in low temperature.And this improvement may be the reason for the better catalytic activity than VMo/Ti-Ce in the case of NH4 HSO4 deposition.Accompanied with cerium sulfate species generated over catalyst surface,the conversion of SO2 to SO3 was inhibited in SiCe mixed catalyst.The addition of SiO2 could promote the decomposition of cerium sulfate,which may be a potential strategy to enhance the resistance of SO2 poisoning over CeO2-modifed catalysts. 展开更多
关键词 CeO2-doped SCR catalyst SiO2 addition NH4HSO4 decomposition SO2 poisoning Cerium sulfate
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Sr_2SiO_4:Eu3+发光材料的制备及其光谱特性 认领 引用 被引量：27
10
作者 李盼来 杨志平 +2 位作者 王志军 熊志军 郭庆林 《物理化学学报》 SCIE CAS 北大核心 2008年第1期179-182,共4页
采用溶胶-凝胶法制备了Sr2SiO4:Eu3+发光材料.测量了Sr2SiO4∶Eu3+材料的激发与发射光谱,发射光谱主峰位于618nm处;监测618nm发射峰时,所得激发光谱主峰分别为320、397、464和518nm.研究了Sr2SiO4∶Eu3+材料在618nm的主发射峰强度随Eu3... 采用溶胶-凝胶法制备了Sr2SiO4:Eu3+发光材料.测量了Sr2SiO4∶Eu3+材料的激发与发射光谱,发射光谱主峰位于618nm处;监测618nm发射峰时,所得激发光谱主峰分别为320、397、464和518nm.研究了Sr2SiO4∶Eu3+材料在618nm的主发射峰强度随Eu3+浓度的变化情况.结果显示,随Eu3+浓度的增大,发射峰强度先增大;当Eu3+浓度为7%时(x),峰值强度最大;而后随Eu3+浓度的增大,峰值强度减小.在Eu3+浓度为7%的情况下,研究了电荷补偿剂Li+的掺杂浓度(x(Li+))对Sr2SiO4∶Eu3+材料发射光谱强度的影响.结果显示,随x(Li+)的增大,材料发射光谱强度先增大后减小,当x(Li+)为8%时,峰值强度最大. 展开更多
关键词 白光LED Sr2SiO4∶Eu^3+ 发射光谱 激发光谱 锂离子
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Photoluminescent properties of Sr_2SiO_4:Eu3+ and Sr_2SiO_4:Eu2+ phosphors prepared by solid-state reaction method 认领 引用 被引量：18
11
作者 乔艳敏 张鑫博 +2 位作者 叶晓 陈艳 郭海 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS 2009年第2期323-326,共4页
Eu2＋ and （or） Eu3＋ doped Sr2SiO4 phosphors particles were synthesized by a conventional solid-state reaction technique, and their structural and optical properties were investigated. The X-ray diffraction （XRD） ... Eu2＋ and （or） Eu3＋ doped Sr2SiO4 phosphors particles were synthesized by a conventional solid-state reaction technique, and their structural and optical properties were investigated. The X-ray diffraction （XRD） results showed that the obtained phosphors were composed of orthorhombic α′-Sr2SiO4 and monoclinic β-Sr2SiO4 phase. When excited under 256 nm, Sr2SiO4：Eu3＋ phosphors showed intense emission in the red region. Sr2SiO4：Eu3＋ phosphors exhibited white emissions （x=0.30, y=0.40, Tc=6500 K） ranging from 425 to 650 nm when it was excited by near-ultraviolet （near-UV） light, indicating that Sr2SiOn：Eu2＋ was a good light-conversion phosphor candidate for near-UV chip. 展开更多
关键词 Sr2SiO4：Eu2＋ white light-emitting diodes （LED） rare earths
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SiO_2玻璃陶瓷与TC4钛合金的活性钎焊 认领 引用 被引量：17
12
作者 刘多 张丽霞 +1 位作者 何鹏 冯吉才 《焊接学报》 EI CAS 北大核心 2009年第2期117-120,共4页
分别采用活性钎料AgCuTi和TiZrNiCu对SiO2陶瓷和TC4钛合金进行了钎焊连接,使用扫描电镜和X射线衍射等手段对接头的界面组织和力学性能进行了研究.结果表明,采用两种钎料均能够实现对SiO2陶瓷和TC4钛合金的连接;SiO2/TiZrNiCu/TC4接头的... 分别采用活性钎料AgCuTi和TiZrNiCu对SiO2陶瓷和TC4钛合金进行了钎焊连接,使用扫描电镜和X射线衍射等手段对接头的界面组织和力学性能进行了研究.结果表明,采用两种钎料均能够实现对SiO2陶瓷和TC4钛合金的连接;SiO2/TiZrNiCu/TC4接头的典型界面为SiO2/Ti2O+Zr3Si2+Ti5Si3/(Ti,Zr)+Ti2O+TiZrNiCu/Ti基固溶体/TiZrNiCu+Ti基固溶体+Ti2(Cu,Ni)/TC4;SiO2/AgCuTi/TC4接头的典型界面为SiO2/TiSi2+Ti4O7/TiCu+Cu2Ti4O/Ag基固溶体+Cu基固溶体/TiCu/Ti2Cu/Ti+Ti2Cu/TC4.当钎焊温度为880℃和保温时间为5min时,SiO2/TiZrNiCu/TC4接头的最高抗剪强度为23MPa;当钎焊温度为900℃和保温时间为5min时,SiO2/AgCuTi/TC4接头的最高抗剪强度为27MPa. 展开更多
关键词 SiO2陶瓷 TC4钛合金 钎焊 界面结构 抗剪强度
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Sr_2SiO_4:Dy3+材料制备及发光特性 认领 引用 被引量：18
13
作者 李盼来 杨志平 +1 位作者 王志军 郭庆林 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2008年第3期457-460,共4页
采用高温固相法制备了Sr2SiO4:Dy3+发光材料.在365nm紫外光激发下,测得Sr2SiO4:Dy3+材料的发射光谱为一个多峰宽谱,主峰分别为486,575和665nm;监测575nm的发射峰,所得材料的激发光谱为一个多峰宽谱,主峰分别为331,361,371,397,435,461和... 采用高温固相法制备了Sr2SiO4:Dy3+发光材料.在365nm紫外光激发下,测得Sr2SiO4:Dy3+材料的发射光谱为一个多峰宽谱,主峰分别为486,575和665nm;监测575nm的发射峰,所得材料的激发光谱为一个多峰宽谱,主峰分别为331,361,371,397,435,461和478nm.研究了Dy3+掺杂浓度对Sr2SiO4:Dy3+材料发射光谱强度的影响.研究结果显示,随着Dy3+浓度的增大,黄、蓝发射峰比值(Y/B)也逐渐增大;随着Dy3+浓度的增大,575nm发射峰强度先增大后减小.加入电荷补偿剂Li+,Na+和K+均提高了Sr2SiO4:Dy3+材料的发射光谱强度,其中以Li+的情况最为明显. 展开更多
关键词 白光LED Sr2SiO4:Dy^3+ 发光特性
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热处理温度对纳米CoFe_2O_4/SiO_2复合材料结构和磁性的影响 认领 引用 被引量：9
14
作者 张伯军 陈敬艳 +3 位作者 刘梅 孟祥东 华杰 李海波 《复合材料学报》 EI CAS 北大核心 2008年第3期144-148,共5页
采用溶胶-凝胶法制备了纳米CoFe2O4/SiO2复合材料。利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、振动样品磁强计(VSM)和M ssbauer效应研究了纳米复合材料结构、晶粒尺寸及磁性。结果表明,样品中CoFe2O4的晶粒尺寸随着热处理温度的提高而增加,... 采用溶胶-凝胶法制备了纳米CoFe2O4/SiO2复合材料。利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、振动样品磁强计(VSM)和M ssbauer效应研究了纳米复合材料结构、晶粒尺寸及磁性。结果表明,样品中CoFe2O4的晶粒尺寸随着热处理温度的提高而增加,非晶态SiO2的存在有效地抑制了CoFe2O4晶粒的生长。VSM结果表明,样品的比饱和磁化强度和矫顽力随CoFe2O4晶粒尺寸的增加而变大。M ssbauer效应结果表明,随着热处理温度的提高,样品从超顺磁和磁有序的混合状态转变为完全的磁有序状态。 展开更多
关键词 纳米复合材料 CoFe2O4/SiO2 结构 磁性
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强磁性纳米Fe_3O_4/SiO_2复合粒子的制备及其性能研究 认领 引用 被引量：20
15
作者 陈令允 李凤生 +2 位作者 姜炜 王英会 周建 《材料科学与工程学报》 CAS 北大核心 2005年第5期556-559,567,共4页
本文采用液相沉积法制备出了满足免疫磁珠用磁核的粒径和磁性要求的纳米Fe3O4/SiO2复合粒子。考察了不同的制备条件对复合粒子的粒径和磁性能的影响,并借助不同的分析测试手段对复合粒子的性能进行表征。结果表明:该复合粒子的最佳制备... 本文采用液相沉积法制备出了满足免疫磁珠用磁核的粒径和磁性要求的纳米Fe3O4/SiO2复合粒子。考察了不同的制备条件对复合粒子的粒径和磁性能的影响,并借助不同的分析测试手段对复合粒子的性能进行表征。结果表明:该复合粒子的最佳制备条件为正硅酸乙酯(TEOS)的浓度为0.6mol·L-1,Fe3O4/TEOS物质的量的比为5∶1,反应温度为50°C,搅拌速度为800rpm;在此实验条件下制得的复合粒子的平均粒径在20nm左右,呈球形且分散较均匀,比饱和磁化强度为60.5emu·g-1。 展开更多
关键词 磁性 纳米粒子 Fe3O4/SiO2复合粒子 制备
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Sr2SiO4:Eu^3+荧光粉的燃烧法制备及其发光性能的研究 认领 引用 被引量：22
16
作者 林慧 袁曦明 +3 位作者 李永周 王永钱 王娟娟 庞明 《中国稀土学报》 CAS 北大核心 2010年第1期120-123,共4页
利用H3BO3作为助熔剂、尿素为燃料,采用燃烧法成功制备了发光性能良好的Sr2SiO4:Eu3+红色荧光粉,通过X射线衍射和荧光分光光度计对样品进行了表征。实验结果表明:Sr2SiO4:Eu3+荧光粉的衍射峰发生了偏移,晶格常数减小,Eu3+的加入使得晶... 利用H3BO3作为助熔剂、尿素为燃料,采用燃烧法成功制备了发光性能良好的Sr2SiO4:Eu3+红色荧光粉,通过X射线衍射和荧光分光光度计对样品进行了表征。实验结果表明:Sr2SiO4:Eu3+荧光粉的衍射峰发生了偏移,晶格常数减小,Eu3+的加入使得晶格发生了收缩;同时发现H3BO3的加入有利于α′-Sr2SiO4纯相的形成和(211)晶面的生长;选择H3BO3(1%,2%,3%,5%(质量分数))做助熔剂,有效地提高了Sr2SiO4:Eu3+荧光粉的发光强度;H3BO3用量从1%增加到3%时,位于5D1→7F3跃迁的587 nm的发射峰和5D0→7F2跃迁的622 nm的发射峰逐渐增强。 展开更多
关键词 Sr2SiO4:Eu3+ 燃烧法 红色荧光粉 助熔剂 发光强度 稀土
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白光LED用Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_2:Eu2+,Dy3+发光粉的发光性能 认领 引用 被引量：14
17
作者 沈超 邵起越 +2 位作者 韩学林 董岩 蒋建清 《发光学报》 EI CAS 北大核心 2010年第1期44-48,共5页
采用高温固相法合成了白光LED用Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu和Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Dy绿色发光粉。研究发现:共掺Dy可以明显地提高Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu发光粉的发光性能,表明Dy3+和Eu2+之间存在着能量传递过程。当Dy3+的最佳掺杂摩尔分数为0.02时... 采用高温固相法合成了白光LED用Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu和Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Dy绿色发光粉。研究发现:共掺Dy可以明显地提高Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu发光粉的发光性能,表明Dy3+和Eu2+之间存在着能量传递过程。当Dy3+的最佳掺杂摩尔分数为0.02时,发光粉505nm处绿光发射的强度约提高12%。通过对Dy3+和Eu2+光谱特性的分析,Dy3+和Eu2+之间的能量传递机制可归因于无辐射交叉弛豫。 展开更多
关键词 白光LED Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+,Dy3+ 发光性能 能量传递
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机械浆H2O2漂白中MgSO4、DTPA和Na2SiO3的作用 认领 引用 被引量：7
18
作者 沈葵忠 房桂干 +2 位作者 储富祥 焦健 李萍 《中国造纸》 EI CAS 北大核心 2008年第7期6-10,共5页
从防止H_2O_2分解角度对MgSO_4、DTPA和Na_2SiO_3的适宜用量进行了探讨,对3种漂白助剂在机械浆H_2O_2漂白中的作用进行了比较,同时对DTPA预处理对H_2O_2漂白的效果进行了评价。在含有过渡金属离子的碱性H_2O_2溶液中,3种助剂适宜用量分... 从防止H_2O_2分解角度对MgSO_4、DTPA和Na_2SiO_3的适宜用量进行了探讨,对3种漂白助剂在机械浆H_2O_2漂白中的作用进行了比较,同时对DTPA预处理对H_2O_2漂白的效果进行了评价。在含有过渡金属离子的碱性H_2O_2溶液中,3种助剂适宜用量分别为:MgSO_4为0.05%～0.1%,DTPA为0.1%～0.5%,Na_2SiO_3为0.5%～3.0%。Na_2SiO_3的使用效果明显好于DTPA。两段H_2O_2漂白的正交实验表明,在影响机械浆H_2O_2漂白的3种助剂中,Na_2SiO_3是最显著的影响因素,其次是DTPA。对机械浆进行DTPA预处理可以改善H_2O_2漂白效果,增加残余H_2O_2和降低浆料的返黄值。DTPA预处理的适宜用量为0.3%～0.5%。 展开更多
关键词 机械制浆 H2O2漂白 MgSO4 DTPA Na2SiO3
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纳米复合材料CoFe_2O_4/SiO_2的制备和表征 认领 引用 被引量：7
19
作者 李海波 陈敬艳 +2 位作者 刘梅 冯明 华杰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2007年第4期614-616,共3页
采用溶胶-凝胶法制备了(CoFe2O4)x/(SiO2)1-x纳米复合材料.利用TG/DTA,XRD和Mssbauer效应研究了热处理过程中干凝胶的变化及样品的结构、晶粒尺寸和磁性.结果表明,随着SiO2含量的增加,样品中CoFe2O4的晶粒尺寸和内磁场逐渐变小,并从... 采用溶胶-凝胶法制备了(CoFe2O4)x/(SiO2)1-x纳米复合材料.利用TG/DTA,XRD和Mssbauer效应研究了热处理过程中干凝胶的变化及样品的结构、晶粒尺寸和磁性.结果表明,随着SiO2含量的增加,样品中CoFe2O4的晶粒尺寸和内磁场逐渐变小,并从磁有序状态转变为超顺磁状态. 展开更多
关键词 纳米复合材料 CoFe2O4/SiO2 XRD Mossbauer效应
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亲水纳米SiO_2对CH_4水合物形成的影响 认领 引用 被引量：12
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作者 孙慧翠 王韧 +5 位作者 徐显广 王建华 蒋国盛 张凌 刘天乐 宁伏龙 《中国石油大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期81-87,共7页
水合物钻井液体系中的纳米颗粒可有效维持井壁稳定并降低钻井液对储层的侵入,但对水合物形成和生长的影响具有不确定性。在相同试验条件(5.0℃,5.0 MPa)下,对蒸馏水及模拟钻井液中CH_4水合物形成的诱导时间、形成量及形成速率进行测试研... 水合物钻井液体系中的纳米颗粒可有效维持井壁稳定并降低钻井液对储层的侵入,但对水合物形成和生长的影响具有不确定性。在相同试验条件(5.0℃,5.0 MPa)下,对蒸馏水及模拟钻井液中CH_4水合物形成的诱导时间、形成量及形成速率进行测试研究,并结合多种试验方法揭示影响机制,模拟钻井液配方为蒸馏水+亲水纳米SiO_2(粒径为30和50 nm,加量为1.0%~5.0%)。结果表明:粒径为50 nm的亲水纳米SiO_2颗粒在模拟钻井液中加量为4.0%时对CH_4水合物的形成具有较强的抑制能力,相比于蒸馏水,这一体系中水合物形成诱导时间延长了74%,形成量减少了21%,形成速率降低了56%。 展开更多
关键词 CH4水合物 水合物钻井液 亲水纳米SiO2 水合物抑制性
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