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Local corrosion mechanism of SiO2-based refractories caused by slag movement near solid–liquid–gas interface in different slag systems 认领 引用 被引量：1
1
作者 Zhang-fu YUAN Shan-shan XIE +2 位作者 Xiang-tao YU Yan-gang ZHANG Rong-yue WANG 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第9期1975-1982,共8页
Slag movement on SiO2-based prism refractories in different slag systems was observed. The cross section shape evolution mechanism was discussed. Two types of shape evolution appear. For PbO-SiO2 slag whose surface te... Slag movement on SiO2-based prism refractories in different slag systems was observed. The cross section shape evolution mechanism was discussed. Two types of shape evolution appear. For PbO-SiO2 slag whose surface tension improves with SiO2 concentration, slag film flows up along four edges under axial Marangoni shear force and wettability. Then, it flows down along four lateral faces under gravity. Corrosion rate at edges is larger than that on lateral faces due to different SiO2 solubilities of ascending and descending flow. Prism cross section shape changes from square to round. For FetO-SiO2 slag whose surface tension reduces with the increase of SiO2 concentration, slag film flows up under the inflence of wettability. Then, it flows down under Marangoni shear force and gravity. Compared to four edges, slag is mainly up and down on four lateral faces due to larger surface tension and size. So, prism cross section shape keeps square. 展开更多
关键词 Marangoni convection slag film local corrosion solid-liquid-gas interface SiO2-based refractories
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AFM and XPS Study on the Surface and Interface States of CuPc and SiO_2 Films 认领 引用
2
作者 陈金伙 王永顺 +2 位作者 朱海华 胡加兴 张福甲 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2006年第8期1360-1366,共7页
A CuPc/SiO2 sample is fabricated. Its morphology is characterized by atomic force microscopy, and the electron states are investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. In order to investigate these spectra in deta... A CuPc/SiO2 sample is fabricated. Its morphology is characterized by atomic force microscopy, and the electron states are investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. In order to investigate these spectra in detail, all of these spectra are normalized to the height of the most intense peak,and each component is fitted with a single Gaussian function. Analysis shows that the O element has great bearing on the electron states and that SiO2 layers produced by spurting technology are better than those produced by oxidation technology. 展开更多
关键词 CuPc/SiO2 X-ray photoelectron spectroscopy surface and interface analysis
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Theoretical Studies on the Si(001)-SiO_2 Interface Structure 认领 引用 被引量：1
3
作者 ZHOU Ming-Xiu YANG Chun +2 位作者 DENG Xiao-Yan YU Wei-Fei LI Jin-Shan 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS 北大核心 2006年第6期647-652,共6页
Novel models （2× 1） of Si（001）-SiO2 interface structure have been established. The method of the first-principle General Gradient Approximation （GGA） is employed to structurally optimize the established the... Novel models （2× 1） of Si（001）-SiO2 interface structure have been established. The method of the first-principle General Gradient Approximation （GGA） is employed to structurally optimize the established theoretical models under the K-point space of periodic boundary condition. The structures after optimization have been analyzed, and the results show that the interfaces present in disordered state and both Si-O-Si and Si=O structures exist. Meanwhile, the bonding of surface structure is analyzed via the graphics of electron localization function（ELF）. 展开更多
关键词 Si/SiO2 DFT interface structure
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SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响 认领 引用 被引量：4
4
作者 徐静平 吴海平 +1 位作者 黎沛涛 韩弼 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2004年第2期200-205,共6页
提出了一种基于器件物理的 4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型 .该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响 ,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应 .利用此模型 ,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁... 提出了一种基于器件物理的 4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型 .该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响 ,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应 .利用此模型 ,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响 ,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素 .其中 ,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值 ,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率 .该模型能较好地应用于器件模拟 . 展开更多
关键词 SiC n—M0sFET SiO2/SiC界面 迁移率
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炭纤维表面SiC/SiO_2抗氧化涂层的溶胶凝胶法制备 认领 引用 被引量：11
5
作者 夏克东 吕春祥 杨禹 《新型炭材料》 CSCD 北大核心 2013年第3期208-214,共7页
采用溶胶凝胶法,并经高温热处理在炭纤维表面制备SiC/SiO2陶瓷涂层。通过X-射线光电子能谱、X-射线衍射、扫描电镜等分析SiC/SiO2涂层的结构与形貌。通过热重分析研究炭纤维涂层前后的抗氧化性能。结果表明,均匀、无裂纹的SiC/SiO2涂层... 采用溶胶凝胶法,并经高温热处理在炭纤维表面制备SiC/SiO2陶瓷涂层。通过X-射线光电子能谱、X-射线衍射、扫描电镜等分析SiC/SiO2涂层的结构与形貌。通过热重分析研究炭纤维涂层前后的抗氧化性能。结果表明,均匀、无裂纹的SiC/SiO2涂层可改善炭纤维的抗氧化性能,而且涂层炭纤维的抗氧化性能随着溶胶浓度和热处理温度的升高而增加。与原始炭纤维相比,具有300nm涂层厚度的炭纤维起始氧化温度提高了200℃。但是当涂层超过一定厚度时,涂层开裂脱落,炭纤维的抗氧化性能降低。SiC/SiO2涂层炭纤维的拉伸强度与原始纤维相比降低了37.7%,在700℃等温氧化90 min,涂层纤维的拉伸强度为1.37GPa,仍保留一定的强度。 展开更多
关键词 溶胶凝胶 炭纤维 抗氧化 SiC SiO2涂层
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SiO_2/4H-SiC(0001)界面过渡区的ADXPS研究 认领 引用 被引量：3
6
作者 王德君 赵亮 +3 位作者 朱巧智 马继开 陈素华 王海波 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2008年第5期944-949,共6页
采用角依赖X射线光电子谱技术（ADXPS）对高温氧化SiO2／4H—SiC（0001）界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究．通过控制1％浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间，制备出超薄膜（1～1．5nm）样品，同时借助标准物对照分析，提高了谱峰分解的... 采用角依赖X射线光电子谱技术（ADXPS）对高温氧化SiO2／4H—SiC（0001）界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究．通过控制1％浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间，制备出超薄膜（1～1．5nm）样品，同时借助标准物对照分析，提高了谱峰分解的可靠性．结果显示，高温氧化形成的SiO2／4H-SiC（0001）界面，同时存在着Si^，Si^2＋，Si^3＋ 3种低值氧化物，变角分析表明，一个分层模型适合于描述该过＋渡区的成分分布．建立了过渡区的原子级模型并计算了氧化膜厚度．结合过渡区各成分含量的变化及电容-电压（C-V）测试分析，揭示了过渡区成分与界面态的直接关系． 展开更多
关键词 SiO2/SiC界面 4H—SiC ADXPS 界面态 缺陷
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具有气凝胶结构特征的C/SiO2和C/SiC复合材料研究进展 认领 引用 被引量：5
7
作者 何飞 李亚 +2 位作者 骆金 方旻翰 赫晓东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期449-458,共10页
具有气凝胶结构特征的C/SiO_2和C/SiC复合材料因其多样的结构存在形式和多孔、轻质、耐高温等特性,在高温隔热、吸附、催化、储氢、光电等多种领域具有广泛的应用前景和研究价值。依据硅源与碳源的不同引入方式,本文综述了采用共聚法、... 具有气凝胶结构特征的C/SiO_2和C/SiC复合材料因其多样的结构存在形式和多孔、轻质、耐高温等特性,在高温隔热、吸附、催化、储氢、光电等多种领域具有广泛的应用前景和研究价值。依据硅源与碳源的不同引入方式,本文综述了采用共聚法、浸入法和聚合物先驱体热解法制备的具有气凝胶结构特征的C/SiO_2和C/SiC复合材料的研究现状。借助碳材料与SiO_2两者间的相对存在形式,探讨了这三种工艺方法制备C/SiO_2和C/SiC复合材料的工艺特点,分析了材料所呈现的组织结构特征、合成机理和性能特点,并对其潜在的应用前景进行了展望。硅与碳之间多样的复合方式使C/SiO_2和C/SiC复合材料呈现出多样的材料特征和特性,为相关研究开辟了新的方向。 展开更多
关键词 C/SiO2复合材料 C/SiC复合材料 气凝胶 溶胶-凝胶法 制备 综述
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SiO2结合SiC砖的抗水蒸气氧化性能 认领 引用 被引量：3
8
作者 曹会彦 王建波 +2 位作者 黄志刚 李杰 张新华 《耐火材料》 CAS 北大核心 2020年第1期70-73,共4页
自制了SiO2结合SiC砖,然后参照ASTM C863—2000对其在1000℃水蒸气(水蒸气的通入速率为32 kg·m-3·h-1)中分别保温50、100、150、200、250和300 h进行了氧化试验,检测试样氧化后的质量变化率和体积变化率,以及试样氧化前后的... 自制了SiO2结合SiC砖,然后参照ASTM C863—2000对其在1000℃水蒸气(水蒸气的通入速率为32 kg·m-3·h-1)中分别保温50、100、150、200、250和300 h进行了氧化试验,检测试样氧化后的质量变化率和体积变化率,以及试样氧化前后的显气孔率和孔径分布,并进行了XRD和SEM分析。结果表明:1、自制SiO2结合SiC砖的体积密度、显气孔率和SiC含量与现有的SiC浇注料相当,而抗折强度和耐压强度明显比SiC浇注料的高。2、氧化100 h后试样表面开始出现裂纹;氧化200 h后裂纹增多,变宽。3、随着氧化时间延长至200 h,试样的体积变化率逐渐增大;但氧化250和300 h后又逐渐减小,此乃烧结收缩超过氧化膨胀所致。4、随着氧化时间延长至250 h,试样的质量变化率逐渐增大;但氧化300 h后又减小,可能和氧化后期部分SiO2又转化为SiO气体导致质量损失有关。5、试样显气孔率随氧化时间的变化与质量变化率的变化趋势相反。6、随着氧化时间的延长,氧化后试样中晶相SiO2增多;晶相SiO2与SiC的热膨胀系数失配以及晶相SiO2之间的相变会导致SiC表面的SiO2氧化膜破裂和脱落。提高SiO2结合SiC材料抗水蒸气氧化性的关键在于使SiO2更多地进入玻璃相中。 展开更多
关键词 SiC材料 SiO2结合SiC砖 水蒸气 氧化 物相组成 显微结构
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高温气冷堆燃料元件基体石墨的SiC/SiO2抗氧化涂层研究 认领 引用 被引量：3
9
作者 周家斌 付志强 +4 位作者 王成彪 吕建国 唐春和 梁彤祥 赵宏生 《金属热处理》 CAS 北大核心 2008年第4期27-30,共4页
提高高温气冷堆用石墨的抗氧化性能对改进高温气冷堆的安全性具有重要意义。通过热力学分析确认了SiC/SiO2复合涂层在高温气冷堆正常服役条件和事故条件下均能保证其长期热稳定性。结合气相反应扩散法、泥浆浸渗法和高温氧化法,在高温... 提高高温气冷堆用石墨的抗氧化性能对改进高温气冷堆的安全性具有重要意义。通过热力学分析确认了SiC/SiO2复合涂层在高温气冷堆正常服役条件和事故条件下均能保证其长期热稳定性。结合气相反应扩散法、泥浆浸渗法和高温氧化法,在高温气冷堆燃料元件基体石墨表面制备出SiC/SiO2复合涂层;对涂覆SiC/SiO2复合涂层的高温气冷堆燃料元件基体石墨在各种氧化条件下的氧化行为进行了分析。结果表明在高温气冷堆用石墨可能遇到的多种氧化条件下,SiC/SiO2复合涂层均能够保持长期稳定并显著改善基体石墨的抗氧化性能。 展开更多
关键词 高温气冷堆 石墨 SiC/SiO2复合涂层 抗氧化性能
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SiC/SiO_2镶嵌结构薄膜光致发光特性研究 认领 引用 被引量：3
10
作者 石礼伟 李玉国 +2 位作者 王书运 薛成山 庄惠照 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2004年第7期41-43,共3页
采用 SiC/SiO_2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了 SiC/SiO_2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X 射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光性能。结果... 采用 SiC/SiO_2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了 SiC/SiO_2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X 射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光性能。结果表明,样品经高温退火后在 SiO_2基质中有 SiC 纳米颗粒形成。以 280 nm 波长光激发样品薄膜表面,显示出较强的 365 nm 的紫外光发射以及 458 nm 和 490 nm 处的蓝光发射,其发光强度随退火温度从 800℃升高至 1 050℃而增强。其发光归结为薄膜中与 Si-O 相关的缺陷形成的发光中心。 展开更多
关键词 SiC/SiO2复合薄膜 磁控共溅射 光致发光 缺陷
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SiC/SiO_2包覆Fe-Ni合金纳米粒子的制备及应用 认领 引用 被引量：2
11
作者 孙维民 金浩宇 +2 位作者 赵兴凯 史桂梅 郑卓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第22期22151-22154,共4页
采用电弧放电法,在15%CH4+10%SiH4+75%Ar的混合气氛中制备了SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子,并用制备的SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子作为磁性粒子,油酸为表面活性剂,机油为基液制备了磁性润滑油。用XRD、TEM、XPS、红外光谱和氧含量... 采用电弧放电法,在15%CH4+10%SiH4+75%Ar的混合气氛中制备了SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子,并用制备的SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子作为磁性粒子,油酸为表面活性剂,机油为基液制备了磁性润滑油。用XRD、TEM、XPS、红外光谱和氧含量分析等手段研究了SiC/SiO2包覆Fe-Ni合金纳米粒子的相结构、形貌、粒度、表面组成和氧化特性。用粘度计和VSM研究了制备的磁性润滑油的粘度和饱和磁化强度。 展开更多
关键词 SiC/SiO2 纳米粒子 核/壳结构 磁性润滑油
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SiC微/纳米纤维毡增强SiO_2气凝胶复合材料的制备和表征 认领 引用 被引量：8
12
作者 余煜玺 马锐 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期45-50,共6页
以聚碳硅烷为先驱体进行静电纺丝,制备PCS微/纳米纤维毡,通过交联和高温热处理工艺得到柔性无定型SiC微/纳米纤维毡,然后以纤维毡作为增强体,结合溶胶-凝胶和超临界干燥技术,制备SiC微/纳米纤维毡增强SiO_2气凝胶复合材料(SiC/SiO_2)。... 以聚碳硅烷为先驱体进行静电纺丝,制备PCS微/纳米纤维毡,通过交联和高温热处理工艺得到柔性无定型SiC微/纳米纤维毡,然后以纤维毡作为增强体,结合溶胶-凝胶和超临界干燥技术,制备SiC微/纳米纤维毡增强SiO_2气凝胶复合材料(SiC/SiO_2)。结果表明:制备的SiC纤维毡平均直径为1.7μm,横向抗拉强度为0.6MPa,伸长率为6.0%。SiC微/纳米纤维毡与SiO_2气凝胶基体具有较好的相容性,SiC/SiO_2气凝胶复合材料疏水角为132°,比表面积为241.8m2/g,平均孔径为12.0nm,SiC微/纳米纤维毡在增强气凝胶韧性的同时保持了其良好的耐温性和疏水性能。 展开更多
关键词 SiC微/纳米纤维毡 SiO2气凝胶 静电纺丝
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化学气相沉积法制备SiC/SiO2梯度复合涂层的热力学分析 认领 引用 被引量：2
13
作者 付志强 周家斌 +4 位作者 王成彪 唐春和 梁彤祥 赵宏生 ROBIN Jean-charles 《材料工程》 EI CAS 北大核心 2008年第6期68-71,共4页
SiC/SiO2复合涂层是显著改善先进高温气冷用石墨抗氧化性能的一个理想涂层体系，但目前其优化的化学气相沉积工艺还未见诸报道。本研究利用HSC-CHEMISTRY 4.1分析了化学气相沉积工艺对制备的SiC/SiO2复合涂层的影响。分析结果表明：载... SiC/SiO2复合涂层是显著改善先进高温气冷用石墨抗氧化性能的一个理想涂层体系，但目前其优化的化学气相沉积工艺还未见诸报道。本研究利用HSC-CHEMISTRY 4.1分析了化学气相沉积工艺对制备的SiC/SiO2复合涂层的影响。分析结果表明：载气中加入足够的氢气对制备不含杂质的SiC/SiO2复合涂层很有必要；合适的沉积温度为1100-1200℃；最佳反应物浓度为：SiCl4摩尔分数为1%-2%，沉积SiC涂层时CH4与SiCl4的摩尔比为1，沉积SiO2涂层时水蒸气与SiCl4摩尔比为2，通过逐渐改变CVD气氛中的水蒸气与CH4的比例来沉积SiC/SiO2梯度过渡层。 展开更多
关键词 SiC/SiO2复合涂层 化学气相沉积 热力学分析
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Impact of O2post oxidation annealing on the reliability of SiC/SiO2MOS capacitors 认领 引用 被引量：1
14
作者 Peng Liu Ji-Long Hao +5 位作者 Sheng-Kai Wang Nan-Nan You Qin-Yu Hu Qian Zhang Yun Bai Xin-Yu Liu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第7期461-466,共6页
The effects of dry O2post oxidation annealing(POA)at different temperatures on SiC/SiO2stacks are comparatively studied in this paper.The results show interface trap density(Dit)of SiC/SiO2stacks,leakage curr... The effects of dry O2post oxidation annealing(POA)at different temperatures on SiC/SiO2stacks are comparatively studied in this paper.The results show interface trap density(Dit)of SiC/SiO2stacks,leakage current density(Jg),and time-dependent dielectric breakdown(TDDB)characteristics of the oxide,are affected by POA temperature and are closely correlated.Specifically,Dit,Jg,and inverse median lifetime of TDDB have the same trend against POA temperature,which is instructive for SiC/SiO2interface quality improvement.Moreover,area dependence of TDDB characteristics for gate oxide on SiC shows different electrode areas lead to same slope of TDDB Weibull curves. 展开更多
关键词 SiC O2post oxidation annealing interface traps MOS
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纳米SiC和SiO2与玻璃纤维混杂填充PA6的力学性能及摩擦磨损性能 认领 引用 被引量：5
15
作者 张静 何春霞 《材料科学与工程学报》 CAS 北大核心 2008年第6期937-939,共3页
采用注塑成型法制备纳米SiC和SiO2与玻璃纤维混杂填充PA6尼龙复合材料,对PA6复合材料的力学性能和摩擦学性能进行了实验研究,采用扫描电子显微镜观察分析磨损表面形貌。结果表明:纳米SiC或SiO2与玻璃纤维混杂填料能使PA6尼龙复合材料的... 采用注塑成型法制备纳米SiC和SiO2与玻璃纤维混杂填充PA6尼龙复合材料,对PA6复合材料的力学性能和摩擦学性能进行了实验研究,采用扫描电子显微镜观察分析磨损表面形貌。结果表明:纳米SiC或SiO2与玻璃纤维混杂填料能使PA6尼龙复合材料的拉伸强度和表面硬度增大。纳米SiO2与玻璃纤维混杂填料能使复合材料耐磨损性提高,以5%SiO2与玻璃纤维混杂填充耐磨性最佳;而纳米SiC与玻璃纤维混杂填料导致复合材料的磨损量增大,纳米SiC或SiO2与玻璃纤维混杂填充PA6复合材料的摩擦系数都低于尼龙材料。 展开更多
关键词 PA6 纳米SiC纳米SiO2 力学性能 摩擦学性能
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Synthesis and growth mechanism of SiC/SiO2 nanochains by catalyst-free thermal evaporation method in Ar/CO atmosphere 认领 引用 被引量：1
16
作者 Xiang-min XIE Zhe-an SU +4 位作者 Dong HUANG Cheng YANG Ya-feng WANG Ding-yu JIANG Qi-zhong HUANG 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第11期3058-3066,共9页
SiC/SiO2 nanochains were synthesized on a carbon fiber substrate by a catalyst-free thermal evaporation method in the Ar/CO atmosphere.X-ray diffraction(XRD),Fourier-transform infrared spectroscopy(FT-IR),scanning ele... SiC/SiO2 nanochains were synthesized on a carbon fiber substrate by a catalyst-free thermal evaporation method in the Ar/CO atmosphere.X-ray diffraction(XRD),Fourier-transform infrared spectroscopy(FT-IR),scanning electron microscopy(SEM)and transmission electron microscopy(TEM)revealed that the as-synthesized SiC/SiO2 nanochains are composed of single-crystalline SiC nanowires and amorphous SiO2 beads.The introduction of CO can promote the formation of SiO2,so that the SiC/SiO2 nanochains are subsequently formed during cooling.In addition,the photoluminescence spectrum of SiC/SiO2 nanochains showed a broad emission peak at around 350 nm,which is ascribed to the oxygen discrepancy in the SiO2 beads as well as the SiC/SiO2 interfacial effect.These findings can provide guidance for further study of the vapor growth of 1D SiC-based materials. 展开更多
关键词 synthesis growth mechanism SiC/SiO2 nanochains thermal evaporation method carbon monoxide photoluminescence properties
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核壳结构SiC/SiO_2 纳米线的低温合成与表征 认领 引用 被引量：1
17
作者 赵春荣 杨娟玉 +1 位作者 丁海洋 卢世刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期971-976,共6页
以酚醛树脂(PF)作为碳源,纳米SiO2为硅源,在1300℃氩气气氛下通过碳热还原反应,制备出具有核壳结构的SiC/SiO2纳米线。采用X射线分析衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、拉曼光谱(... 以酚醛树脂(PF)作为碳源,纳米SiO2为硅源,在1300℃氩气气氛下通过碳热还原反应,制备出具有核壳结构的SiC/SiO2纳米线。采用X射线分析衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、拉曼光谱(Raman)对产物的组成、形貌、微观结构等进行了表征。结果表明;SiC/SiO2纳米线长可达数毫米,单根SiC/SiO2纳米线由直径30 nm的β-SiC晶体为内核和厚度约12 nm的无定形SiO2壳层组成;室温下SiC/SiO2纳米线的PL发光峰与β-SiC单晶的发光特征峰相比有蓝移。最后,讨论了核壳结构SiC/SiO2纳米线的生成机制。 展开更多
关键词 SiC SiO2核壳结构纳米线 碳热还原 酚醛树脂 光致发光
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Si_3N_4结合SiC制品中SiO_2含量的测定 认领 引用 被引量：2
18
作者 曹海洁 梁献雷 《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2007年第3期236-236,240,共1页
关键词 SiO2含量 碳化硅制品 测定方法 Si3N4 SiC 氮化硅 高温强度 抗热震性
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SiO_2/蔗糖杂化溶胶制备SiC纤维前驱体 认领 引用 被引量：1
19
作者 宋秋生 史铁钧 《应用化学》 CAS 北大核心 2008年第10期1240-1242,共3页
采用溶胶凝胶法以正硅酸乙酯与蔗糖进行杂化,制得SiO2/蔗糖杂化溶胶,陈化后用拉丝法制得SiO2/蔗糖杂化纤维。研究了杂化溶胶陈化中的黏度变化与成纤性能,采用SEM分析研究了杂化纤维微观形貌。结果表明,SiO2/蔗糖杂化溶胶具有良好的成纤... 采用溶胶凝胶法以正硅酸乙酯与蔗糖进行杂化,制得SiO2/蔗糖杂化溶胶,陈化后用拉丝法制得SiO2/蔗糖杂化纤维。研究了杂化溶胶陈化中的黏度变化与成纤性能,采用SEM分析研究了杂化纤维微观形貌。结果表明,SiO2/蔗糖杂化溶胶具有良好的成纤性能,可通过拉丝制得形态良好的杂化纤维;采用TG和DSC分析研究了杂化纤维热性能。结果表明,通过杂化改善了蔗糖的耐热性能;XRD光谱分析结果表明,杂化纤维为非晶态结构,经800℃处理后有碳化石墨微晶生成。 展开更多
关键词 蔗糖 SiO2 杂化纤维 前驱体 SiC纤维 溶胶凝胶法
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SiC/SiO_2界面形貌对SiC MOS器件沟道迁移率的影响 认领 引用 被引量：1
20
作者 刘莉 杨银堂 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期392-396,共5页
为了研究SiC/SiO_2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在600℃下前烘30min实现.研究结果表明:微结构分析所得的微米量... 为了研究SiC/SiO_2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在600℃下前烘30min实现.研究结果表明:微结构分析所得的微米量级的横向表面粗糙度(峰对峰,谷对谷)不会影响电子平均自由程为纳米数量级的沟道电子在SiC MOS器件沟道中的迁移运动,在高温退火过程中,碳膜的是否存在对表面粗糙度和NMOS电容SiC/SiO_2界面态密度没有影响,而且NMOSFET器件的场效应迁移率没有发生太大的变化. 展开更多
关键词 SiC/SiO2界面粗糙度 界面态密度 场效应迁移率
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