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氮掺杂碳量子点促进Bi2MoO6/g-C3N4的可见光驱动电荷转移以高效降解环丙沙星 认领 引用
1
作者 王晓云 陈礼洪 +2 位作者 陈可轩 傅俊浩 付爱民 《环境科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2026年第2期158-175,共18页
以水热法制备了氮掺杂碳量子点(N-CQDs),并进一步合成了N-CQDs@Bi2MoO6/g-C3N4(NCD@BMCN)间接Z型异质结光催化材料,通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、紫外-可见光漫反射光谱(UV-Vis DRS)、X... 以水热法制备了氮掺杂碳量子点(N-CQDs),并进一步合成了N-CQDs@Bi2MoO6/g-C3N4(NCD@BMCN)间接Z型异质结光催化材料,通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、紫外-可见光漫反射光谱(UV-Vis DRS)、X射线光电子能谱(XPS)、电化学阻抗(EIS)、时间分辨荧光衰减光谱(TRFL)等手段对NCD@BMCN的形貌及其化学性能进行表征.研究发现NCD可显著缩小纳米复合材料的带隙,NCD@BMCN具有高比表面积、高光电流密度和低电荷转移电阻,因此有着出色的电荷转移效率,从而增强了CIP的光降解能力.降解实验表明,当NCD@BMCN投加量为1.0 g·L-1,CIP浓度为50 mg·L-1,在pH=8条件下,经可见光照射30 min可以实现CIP的降解率达到98.2%,反应速率常数为0.14 min-1,TOC去除率为87.2%;复合材料经6次重复使用对CIP的降解率仍能达到95.5%;水中有机物及阴离子浓度与CIP降解率呈负相关;通过淬灭实验及电顺磁共振分析可知降解CIP的过程中,主要的活性物种为·OH、·O2-,其贡献率分别为93.57%、87.86%降解机理主要是由于NCD@BMCN具有间接Z型结构,NCD既能作为光吸收体产生更多e-、h+以增强光催化活性,又能抑制电荷载流子复合过程.高效实现了光激发条件下e--h+的界面转移和空间分离,抑制了光生载流子的复合,使光催化性能显著提升.高效液相色谱-质谱检测发现,NCD@BMCN对CIP的光降解过程主要包括脱氟、脱酸、脱甲基化、羟基化、开环、脱胺基等反应,并最终将CIP氧化为CO2、H2O和小分子有机物. 展开更多
关键词 氮掺杂碳量子点(N-CQDs) Bi2MoO6/g-C3N4 电荷桥接 定向电荷转移 光催化性能 环丙沙星(CIP)
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The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO_2-Si_3N_4 films 认领 引用 被引量：3
2
作者 高博 刘刚 +5 位作者 王立新 韩郑生 宋李梅 张彦飞 腾瑞 吴海舟 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第3期393-398,共6页
Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconductor（VDMOS） devices with composite SiO2-Si3N4 film gates are investigated.The relationships amon... Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconductor（VDMOS） devices with composite SiO2-Si3N4 film gates are investigated.The relationships among the important electrical parameters of the samples with different thickness SiO2-Si3N4 films,such as threshold voltage,breakdown voltage,and on-state resistance in accumulated dose,are discussed.The total dose experiment results show that the breakdown voltage and the on-state resistance barely change with the accumulated dose.However,the relationships between the threshold voltages of the samples and the accumulated dose are more complex,and not only positively drift,but also negatively drift.At the end of the total dose experiment,we select the group of samples which have the smaller threshold voltage shift to carry out the single event effect studies.We find that the samples with appropriate thickness ratio SiO2-Si3N4 films have a good radiation-hardening ability.This method may be useful in solving both the SEGR and the total dose problems with the composite SiO2-Si3N4 films. 展开更多
关键词 power VDMOS device total dose effects single event effects composite SiO2-Si3N4 films
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基于Ag掺杂g-C3N4/SnO2复合材料的低温高响应乙醇气体传感器 认领 引用
3
作者 郭晓丽 叶祉旭 《传感器技术与应用》 2026年第3期585-599,共15页
开发高性能乙醇气体传感器在食品安全、医疗诊断与工业安全等领域具有重要意义。本文通过水热法成功制备了二维层状材料石墨氮化碳(g-C3N4)修饰的二氧化锡(SnO2)复合材料。得益于更小的纳米球状结构提供的丰富活性位点和形成的II型异质... 开发高性能乙醇气体传感器在食品安全、医疗诊断与工业安全等领域具有重要意义。本文通过水热法成功制备了二维层状材料石墨氮化碳(g-C3N4)修饰的二氧化锡(SnO2)复合材料。得益于更小的纳米球状结构提供的丰富活性位点和形成的II型异质结有效促进了界面电荷转移与气体分子吸附过程。所得的5wt% g-C3N4/SnO2传感器在100 ppm乙醇气体检测中表现出高响应值(Ra/Rg = 40.7),低检测限(0.3 ppm),最佳工作温度为200℃以及优异的选择性。相比于SnO2传感器而言最佳工作温度降低了175℃且响应值翻倍。在将g-C3N4成功引入到SnO2的基础上,进一步引入粒径Ag纳米颗粒,所制备的3wt% Ag-5wt% g-C3N4/ SnO2复合材料展现出最优异的气敏性能,其最佳工作温度为150℃,在100 ppm乙醇气氛中的响应值提升至45.6,与5wt% g-C3N4/SnO2二元复合材料相比,其最佳工作温度进一步降低了50℃。本研究为开发低工作温度、高灵敏度与高选择性的乙醇气体传感器提供了一种有效的材料设计策略。 展开更多
关键词 乙醇气体传感器 SnO2 g-C3N4 异质结 Ag掺杂
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肖特基势垒二极管SiO_2-Si_3N_4复合钝化膜研究 认领 引用 被引量：1
4
作者 石霞 孙俊峰 顾晓春 《半导体技术》 CAS 北大核心 2010年第4期344-348,共5页
对Si肖特基势垒二极管的钝化技术进行了研究。研究了不同淀积温度、气体流量、射频功率以及气体压力等工艺技术条件下,淀积PECVD SiO_2和LPCVD Si_3N_4膜的介电强度E、介电常数ε_r、耐压V、针孔密度、漏电流I、内应力σ、片间均匀性以... 对Si肖特基势垒二极管的钝化技术进行了研究。研究了不同淀积温度、气体流量、射频功率以及气体压力等工艺技术条件下,淀积PECVD SiO_2和LPCVD Si_3N_4膜的介电强度E、介电常数ε_r、耐压V、针孔密度、漏电流I、内应力σ、片间均匀性以及片内均匀性等性能。研究了PECVD SiO_2膜的增密技术。提出了一种应力小、漏电流小且抗辐照能力较好的PECVD SiO_2/LPCVD Si_3N_4复合介质膜钝化工艺方法和技术条件,提高了肖特基势垒二极管的性能。 展开更多
关键词 SiO2-Si3N4复合介质膜 钝化技术 漏电流 应力 增密
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Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2系材料烧结性能及反应过程研究 认领 引用 被引量：3
5
作者 金胜利 李亚伟 李楠 《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2003年第5期262-266,共5页
以氮化硅、活性氧化铝微粉和氧化硅微粉为原料,研究了在焦炭保护条件下,Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2系材料经1500℃、1600℃和1650℃烧成时的烧结性能和物相变化,同时借助SEM、EDX和XRD等手段对其显微结构和反应过程进行了观察和分析。结果表... 以氮化硅、活性氧化铝微粉和氧化硅微粉为原料,研究了在焦炭保护条件下,Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2系材料经1500℃、1600℃和1650℃烧成时的烧结性能和物相变化,同时借助SEM、EDX和XRD等手段对其显微结构和反应过程进行了观察和分析。结果表明,随着烧成温度的升高,Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2系材料的体积密度下降,显气孔率增加,同时烧成后试样的质量损失大大增加,尤其是经1650℃烧成的试样,显气孔率在40％以上,质量损失大于20％。XRD物相分析显示,1500℃时,产物中生成Si_2N_2O,高于1650℃时,生成SiC相,与热力学计算结果一致。同时,高温下大量的N_2(g)及SiO(g)逸出试样表面,可能是导致试样质量损失、结构松散、显气孔率增加的主要原因。切开经高温烧成的试样发现,其截面由中心致密区、过渡区和边缘的松散区3部分组成,含氮物相的形状由中心部位发育良好的柱状,演变成过渡区的针状或须状,直至松散区时消失。这种松散区所占面积和松散程度取决于试样的组成和烧成温度。 展开更多
关键词 Si3N4-Al2O3-SiO2系材料 烧结性能 反应过程 氮化硅 活性氧化铝微粉 氧化硅微粉 原料
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纳米固体超强酸SO_2-4/SnO_2-La_2O_3-SiO_2制备及催化反应研究 认领 引用 被引量：3
6
作者 张密林 丁立国 刘文彬 《化工科技》 CAS 2004年第1期44-46,共3页
制备纳米SO2-4/SnO2 La2O3 SiO2固体超强酸催化剂,讨论了在纳米载体SiO2的存在下,Sn、Si摩尔比、焙烧温度对乙酸转化率的影响,并与SO2-4/SnO2 SiO2催化剂进行了对比,讨论了金属La3+对固体超强酸的影响。实验表明,SO2-4/SnO2 La2O3 SiO2... 制备纳米SO2-4/SnO2 La2O3 SiO2固体超强酸催化剂,讨论了在纳米载体SiO2的存在下,Sn、Si摩尔比、焙烧温度对乙酸转化率的影响,并与SO2-4/SnO2 SiO2催化剂进行了对比,讨论了金属La3+对固体超强酸的影响。实验表明,SO2-4/SnO2 La2O3 SiO2催化剂在焙烧温度为450℃,n(Sn)∶n(Si)=0.5时,乙酸的转化率达到98.1%。 展开更多
关键词 固体超强酸催化剂 酯化反应 催化剂 纳米SiO2 催化反应 SO4^2-/SnO2-La2O3-SiO2 焙烧温度 摩尔比
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Strategically designing and fabricating nitrogen and sulfur Co-doped g-C3N4 for accelerating photocatalytic H2 evolution 认领 引用 被引量：6
7
作者 Haitao Wang Lianglang Yu +2 位作者 Jiahe Peng Jing Zou Jizhou Jiang 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2025年第5期111-119,共9页
Doping engineering is an effective strategy for graphitic carbon nitride(g-C3N4)to improve its photocat-alytic hydrogen evolution reaction(HER)performance.In this work,a novel nitrogen and sulfur co-doped g-C_(3... Doping engineering is an effective strategy for graphitic carbon nitride(g-C3N4)to improve its photocat-alytic hydrogen evolution reaction(HER)performance.In this work,a novel nitrogen and sulfur co-doped g-C3N4(N,S-g-C3N4)is elaborately designed on the basis of theoretical predictions of first-principle density functional theory(DFT).The calculated Gibbs free energy of adsorbed hydrogen(ΔGH∗)for N,S-g-C3N4 at the N-doping active sites is extremely close to zero(0.01 eV).Inspired by the theoretical predictions,the N,S-g-C3N4 is successfully fabricated through ammonia-rich pyrolysis synthesis strategy,in which ammonia is in-situ obtained by pyrolyzing melamine.Subsequent characterizations indicate that the N,S-g-C3N4 possesses high specific surface area,outstanding light utilization,good hydrophilicity,and efficient carrier transfer efficiency.Consequently,the N,S-g-C3N4 displays an extremely high H2 evolution rate of 8269.9μmol g−1 h−1,achieves an apparent quantum efficiency(AQE)of 3.24%,and also possesses outsatnding durability.Theoretical calculations further demonstrate that N and S dopants can not only introduce doping energy level to reduce the band gap,but also induce charge redistribution to facilitate hydrogen adsorption,thus promoting the photocatalytic HER process.Moreover,femtosecond transient absorption(fs-TA)spectroscopy further corroborates the efficient photogenerated carrier transport of N,S-g-C3N4.This research highlights a promising and reliable strategy to achieve superior photocatalytic activity,and exhibits significant guidance for precise designing high-efficiency photocatalysts. 展开更多
关键词 Theoretical predictions g-C3N4 N and S co-doping Photocatalytic H2evolution
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N-g-C3N4/CoS2复合材料的制备及其光催化产氢性能 认领 引用 被引量：1
8
作者 陈建军 周诗园 +3 位作者 黄雨晨 尤红歌 郑添祥 李永宇 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2025年第4期1991-1999,共9页
氮化碳(CN)是目前最具发展前景的非金属催化剂之一,但由于其特殊的电子结构导致分子内载流子分离效率较差,其光催化活性不理想。为了改善其光催化性能,首先以尿素和柠檬酸为原料,利用高温缩合方法得到N掺杂的g-C3N4(NCN)。然后通... 氮化碳(CN)是目前最具发展前景的非金属催化剂之一,但由于其特殊的电子结构导致分子内载流子分离效率较差,其光催化活性不理想。为了改善其光催化性能,首先以尿素和柠檬酸为原料,利用高温缩合方法得到N掺杂的g-C3N4(NCN)。然后通过光沉积的方法成功制备了CoS2修饰的NCN光催化复合材料(NCN/CoS2)。CoS2的引入有效增强了氮化碳的光生载流子分离效率。同时N的掺杂有效调控氮化碳的带隙,拓宽了氮化碳的可见光响应范围。光催化产氢结果显示,在可见光照射(λ>420 nm)下,NCN/10CoS2复合材料具有最佳的光催化产氢性能(73.8μmol·g-1·h-1),分别为NCN(15.0μmol·g-1·h-1)和CN/10CoS2(7.1μmol·g-1·h-1)的4.9倍和10.4倍。 展开更多
关键词 g-C3N4 N掺杂 CoS2 光催化 产氢
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SiO_2-Si_3N_4-SiO_2复合梁谐振式压力传感器结构设计与分析 认领 引用
9
作者 李新 薛阳 李春风 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2015年第8期13-15,共3页
提出了一种采用SiO2-Si3N4-SiO2复合谐振梁结构的谐振式压力传感器。采用有限元分析技术分别对谐振梁和传感器芯片结构进行了电热分析、模态分析以及谐响应分析,最后对SiO2-Si3N4-SiO2复合梁谐振式压力传感器的工艺进行了探讨,表明通过... 提出了一种采用SiO2-Si3N4-SiO2复合谐振梁结构的谐振式压力传感器。采用有限元分析技术分别对谐振梁和传感器芯片结构进行了电热分析、模态分析以及谐响应分析,最后对SiO2-Si3N4-SiO2复合梁谐振式压力传感器的工艺进行了探讨,表明通过多晶硅牺牲层技术能更好地得到Si O2-Si3N4-Si O2复合谐振梁,具有良好的选频特性。 展开更多
关键词 有限元 SiO2-Si3 N4-SiO2复合梁 压力传感器
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Si_3N_4-Al_2O_3-SiO_2体系高温还原条件下的物相变化 认领 引用
10
作者 陈俊红 宋文 +2 位作者 崔艳玲 孙加林 李勇 《耐火材料》 CAS 北大核心 2009年第4期253-255,共3页
以闪速燃烧合成的Si3N4(w(Si3N4)≥95%,粒度≤0.044mm)、α-Al2O3微粉(w(Al2O3)≥99%,d50=1.2μm)及SiO2微粉(w(SiO2)≥92%,粒度≤1μm)为原料,按照m(Si3N4):m(Al2O3):m(SiO2)=4:4:2比例混合,液压成型为Φ20mm×20mm试样在埋炭(不... 以闪速燃烧合成的Si3N4(w(Si3N4)≥95%,粒度≤0.044mm)、α-Al2O3微粉(w(Al2O3)≥99%,d50=1.2μm)及SiO2微粉(w(SiO2)≥92%,粒度≤1μm)为原料,按照m(Si3N4):m(Al2O3):m(SiO2)=4:4:2比例混合,液压成型为Φ20mm×20mm试样在埋炭(不接触焦炭)条件下分别于1300、1400、1500、1600℃保温6h处理后进行XRD分析。结果表明:1300℃的新生物相主要为Si2N2O和方石英,SiO2微粉方石英化明显;1400℃的新生物相主要为Si2N2O、方石英和O’-SiAlON;1500℃的新生物相为Si2N2O、方石英、O’-SiAlON、X相及莫来石;与1500℃相比,1600℃的新生物相没有变化,但是Si2N2O、O’-SiAlON、X相及莫来石的生成量增加明显,方石英生成量显著减少。 展开更多
关键词 Si3N4-Al2O3-SiO2体系 0’-SiAION X相 莫来石
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Novel 3D-on-2D g-C3N4/AgInxSyheterojunction photocatalyst for simultaneous and stoichiometric production of H2and H2O2from water splitting under visible light 认领 引用 被引量：1
11
作者 Hualin Jiang Wenxi Ye +4 位作者 Huitao Zhen Xubiao Luo Vyacheslav Fominski Long Ye Pinghua Chen 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2025年第2期448-453,共6页
Photocatalytic H2production from water splitting is a promising candidate for solving the increasing energy crisis and environmental issues.Herein we report a novel g-C3N4/Ag InxSyS-scheme heterojunctio... Photocatalytic H2production from water splitting is a promising candidate for solving the increasing energy crisis and environmental issues.Herein we report a novel g-C3N4/Ag InxSyS-scheme heterojunction photocatalyst for water splitting into stoichiometric H2and H2O2under visible light.The catalyst was prepared by depositing 3D bimetallic sulfide(Ag InxSy)nanotubes onto 2D g-C3N4nanosheets.Owing to the special 3D-on-2D configuration,the photogenerated carriers could be rapidly transferred and effectively separated through the abundant interfacial heterostructures to avoid recombination,and therefore excellent performance for visible light-driven water splitting could be obtained,with a 24-h H2evolution rate up to 237μmol g-1h-1.Furthermore,suitable band alignment enables simultaneous H2and H2O2production in a 1:1 stoichiometric ratio.H2and H2O2were evolved on the conduction band of g-C3N4and on the valance band of Ag InxSy,respectively.The novel 3D-on-2D configuration for heterojunction construction proposed in this work provided alternative research ideas toward photocatalytic reaction. 展开更多
关键词 Photocatalysis Water splitting g-C3N4 Silver indium sulfide H2production H2O2production
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SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析 认领 引用
12
作者 黄君凯 易清明 +2 位作者 刘伟平 钟雨乐 张坤 《固体电子学研究与进展》 EI CAS 北大核心 2003年第2期236-240,共5页
采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模... 采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 。 展开更多
关键词 金属—氮化硅—二氧化硅—硅结构 存储陷阱分布 高频容—压特性 SiO2—Si3N4栅介质膜 陷阱特性 非挥发性存储器
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无压烧结制备Si_3N_4/SiO_2复合材料 认领 引用 被引量：10
13
作者 徐常明 王士维 +1 位作者 黄校先 郭景坤 《无机材料学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2006年第4期935-938,共4页
以无压烧结工艺制备了Si3N4／SiO2复合材料．实验结果表明:Si3N4颗粒对石英基体的析晶起到了抑制作用和增韧补强作用．Si3N4含量为5vol％的样品在1370℃烧结2h后,抗弯强度达到96．2MPa,断裂韧性为2．4MPa·m1／2,介电常数和介电损... 以无压烧结工艺制备了Si3N4／SiO2复合材料．实验结果表明:Si3N4颗粒对石英基体的析晶起到了抑制作用和增韧补强作用．Si3N4含量为5vol％的样品在1370℃烧结2h后,抗弯强度达到96．2MPa,断裂韧性为2．4MPa·m1／2,介电常数和介电损耗分别在3．63-3．68和1．29-1．75×10-3之间． 展开更多
关键词 天线罩 无压烧结 Si3N4/SiO2复合材料 力学性能 介电性能
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聚酰亚胺/纳米Al2O3-SiO2和聚酰亚胺/纳米Si3N4杂化材料的结构与性能研究 认领 引用 被引量：1
14
作者 刘瑾 李真 查思怡 《中国塑料》 CAS 北大核心 2007年第5期11-15,共5页
将纳米Al2O3-SiO2、Si3N4分别均匀分散于聚酰亚胺（PI）前驱体聚酰胺酸中，经过热亚胺化制备了PI／纳米Al2O3-SiO2和PI／纳米鼠N4杂化材料。通过傅里叶变换红外光谱仪、X射线衍射仪、高温微量热天平、静态热机械分析仪和差示热分析仪对... 将纳米Al2O3-SiO2、Si3N4分别均匀分散于聚酰亚胺（PI）前驱体聚酰胺酸中，经过热亚胺化制备了PI／纳米Al2O3-SiO2和PI／纳米鼠N4杂化材料。通过傅里叶变换红外光谱仪、X射线衍射仪、高温微量热天平、静态热机械分析仪和差示热分析仪对杂化材料的微观结构及热性能进行了研究，结果表明，杂化材料中聚酰亚胺和无机纳米粒子之间存在相互作用，形成了复合相态结构；加入纳米Al2O3，SiO2、Si3N4后杂化材料的热稳定性均高于纯聚酰亚胺，但并不完全随无机纳米粒子含量的增加而提高；与纯PI相比，在90～130℃的温度范围内PI-8％Al2O3-SiO2、PI-8％鼠Si3N4热膨胀系数分别降低了约11％和47％，加入8％纳米Al2O3-SiO2、Si3N4后杂化材料的热导率分别提高了约8％和13％。PI／纳米Al2O3-SiO2、Si3N4杂化材料不仅保留了PI原有的优异性能，而且充分发挥了纳米无机粒子对PI的特殊改性性能。 展开更多
关键词 聚酰亚胺 纳米三氧化二铝-二氧化硅 纳米氮化硅 杂化材料 热分析
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用于微机电系统的SiO_2/Si_3N_4驻极体的制备及电荷稳定性 认领 引用 被引量：3
15
作者 肖慧明 温中泉 +1 位作者 张锦文 陈钢进 《功能材料》 EI CAS 北大核心 2007年第8期1297-1299,1303,共3页
驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极... 驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极体,探讨了器件加工工艺及存储环境对双层膜驻极体电荷稳定性的影响。结果表明,电晕充电后SiO2/Si3N4双层膜的电荷存储稳定性明显优于SiO2单层膜;传统的电晕注极方法仅适用于大面积驻极体的制备,但对微米量级的材料表面不适用;微器件制备的工艺流程对驻极体电荷稳定性有显著影响,但存储环境对热极化驻极体电荷稳定性的影响很小。 展开更多
关键词 驻极体 微型发电机 SiO2/Si3N4双层膜 电荷稳定性 微器件加工
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溶胶-凝胶法制备Zn2SiO4:Eu^3+红色荧光粉 认领 引用 被引量：13
16
作者 邬洋 王永生 +4 位作者 何大伟 富鸣 陈震旻 李玥 苗锋 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期890-893,共4页
采用溶胶-凝胶法在Zn2SiO4基质中掺杂Eu3+,合成了红色荧光粉Zn2SiO4∶Eu3+。通过样品的X射线衍射光谱、红外光谱、扫描电镜以及光致发光光谱的测试和表征,研究了Zn2SiO4∶Eu3+的内部结构和发光特性。扫描电镜结果显示样品为球状荧光粉,... 采用溶胶-凝胶法在Zn2SiO4基质中掺杂Eu3+,合成了红色荧光粉Zn2SiO4∶Eu3+。通过样品的X射线衍射光谱、红外光谱、扫描电镜以及光致发光光谱的测试和表征,研究了Zn2SiO4∶Eu3+的内部结构和发光特性。扫描电镜结果显示样品为球状荧光粉,颗粒直径为1~3μm。在395 nm激发下,样品在613 nm处发射出很强的红光。结合荧光光谱,分析了样品的退火温度,Eu3+的浓度,电荷补偿剂Li+的浓度对样品发光强度的影响。研究发现,红色荧光粉Zn2SiO4∶Eu3+的发光强度随退火温度的升高而增加,发光强度随Eu3+和Li+浓度的增加先增大后减小。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 Zn2SiO4∶Eu3+ Eu3+浓度 Li+浓度
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机械浆H2O2漂白中MgSO4、DTPA和Na2SiO3的作用 认领 引用 被引量：7
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作者 沈葵忠 房桂干 +2 位作者 储富祥 焦健 李萍 《中国造纸》 EI CAS 北大核心 2008年第7期6-10,共5页
从防止H_2O_2分解角度对MgSO_4、DTPA和Na_2SiO_3的适宜用量进行了探讨,对3种漂白助剂在机械浆H_2O_2漂白中的作用进行了比较,同时对DTPA预处理对H_2O_2漂白的效果进行了评价。在含有过渡金属离子的碱性H_2O_2溶液中,3种助剂适宜用量分... 从防止H_2O_2分解角度对MgSO_4、DTPA和Na_2SiO_3的适宜用量进行了探讨,对3种漂白助剂在机械浆H_2O_2漂白中的作用进行了比较,同时对DTPA预处理对H_2O_2漂白的效果进行了评价。在含有过渡金属离子的碱性H_2O_2溶液中,3种助剂适宜用量分别为:MgSO_4为0.05%～0.1%,DTPA为0.1%～0.5%,Na_2SiO_3为0.5%～3.0%。Na_2SiO_3的使用效果明显好于DTPA。两段H_2O_2漂白的正交实验表明,在影响机械浆H_2O_2漂白的3种助剂中,Na_2SiO_3是最显著的影响因素,其次是DTPA。对机械浆进行DTPA预处理可以改善H_2O_2漂白效果,增加残余H_2O_2和降低浆料的返黄值。DTPA预处理的适宜用量为0.3%～0.5%。 展开更多
关键词 机械制浆 H2O2漂白 MgSO4 DTPA Na2SiO3
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Effects of calcination temperature on properties of Li_2SiO_3 for precursor of Li_2FeSiO_4 认领 引用 被引量：6
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作者 李向群 郭华军 +4 位作者 李黎明 李新海 王志兴 欧惠 向楷雄 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第3期529-534,共6页
Li2SiO3 was synthesized by combination of sol-gel method and calcination at high temperature using Li2CO3, HNO3, Si（OC2H5）4 and C2H5OH as starting materials. The effects of calcination temperature and refluxing syst... Li2SiO3 was synthesized by combination of sol-gel method and calcination at high temperature using Li2CO3, HNO3, Si（OC2H5）4 and C2H5OH as starting materials. The effects of calcination temperature and refluxing system on the composition and properties of lithium silicate were investigated. The samples were characterized by TGA/DTA, XRD, SEM and particle size analysis. Li2FeSiO4 was prepared by the solid-state reaction between Li2SiO3 and FeC2O4·2H2O. The XRD patterns show that the use of refluxing system in the sol-gel preparation can decrease the Li2Si2O5 and Li4SiO4 impurities in the Li2SiO3 sample. The calcination temperature plays an important role in the properties of the Li2SiO3 samples. The sample calcined at 700 °C has high purity of 97% Li2SiO3 and good morphology as precursor of Li2FeSiO4. It consists of primary particles with size of 1-3 μm, and the primary particle clusters form agglomerates with loose and porous appearance. 展开更多
关键词 lithium ion batteries Li2FeSiO4 Li2SiO3 sol-gel method
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新型红色荧光粉Na_2Ca_4(PO_4)_2SiO_4∶Eu3+,Bi3+的制备及发光特性 认领 引用 被引量：6
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作者 肖全兰 刘关喜 +5 位作者 邹少瑜 彭文芳 杨创涛 张蕤 谢丽娟 孟建新 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期332-336,共5页
用高温固相法合成了用于白光LED的Na2Ca4(1-x-y)(PO4)2SiO4∶xEu3+,yBi3+红色荧光粉。研究了助熔剂H3BO3、二次煅烧时间和稀土掺杂量等制备条件对样品发光性质的影响。结果表明,在1 200℃、助熔剂H3BO3加入量为样品质量的3.8%时可得到... 用高温固相法合成了用于白光LED的Na2Ca4(1-x-y)(PO4)2SiO4∶xEu3+,yBi3+红色荧光粉。研究了助熔剂H3BO3、二次煅烧时间和稀土掺杂量等制备条件对样品发光性质的影响。结果表明,在1 200℃、助熔剂H3BO3加入量为样品质量的3.8%时可得到更有利于发光的α-NCPS基质,而且掺入Eu3+、Bi3+之后,基质的晶格结构没有发生明显变化;适宜的二次煅烧时间为1.5 h。Bi3+的共掺杂可以通过能量传递大幅提高Eu3+的发光强度,当Eu3+、Bi3+的摩尔分数分别为x=0.04和y=0.01时,粉体具有最强的红光发射。表明这种荧光粉是一种可很好用于近紫外芯片的白光LED的红色荧光粉。 展开更多
关键词 Na2Ca4(PO4)2SiO4∶Eu3+,Bi3+ 高温固相法 白光LED 红粉
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SiO_2/(Si_3N_4+BN)透波材料表面涂层的防潮性能和透波性能研究 认领 引用 被引量：11
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作者 李俊生 张长瑞 +2 位作者 王思青 曹峰 王衍飞 《涂料工业》 CAS 2007年第1期5-7,10,共3页
SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料表面制备了防潮涂层，取得较好的防... SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料表面制备了防潮涂层，取得较好的防潮效果。涂装后SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料在40℃、90％的高温高湿条件下放置15d的吸水率约0．30％；在大气环境下（温度27-30℃，湿度45-60％）的吸水率小于0．01％。涂层对SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的透波率影响较小，涂装后材料的透波率仍然能保持在85％以上。 展开更多
关键词 SiO2/(Si3N4+BN) 透波率 防潮涂层 吸水率
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