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Heuristic tabu search scheduling algorithm for wet-etching systems in semiconductor wafer fabrications 认领 引用
1
作者 周炳海 Li Xin 《High Technology Letters》 EI CAS 2013年第2期111-116,共6页
To improve overall equipment efficiency(OEE) of a semiconductor wafer wet-etching system,a heuristic tabu search scheduling algorithm is proposed for the wet-etching process in the paper,with material handling robot c... To improve overall equipment efficiency(OEE) of a semiconductor wafer wet-etching system,a heuristic tabu search scheduling algorithm is proposed for the wet-etching process in the paper,with material handling robot capacity and wafer processing time constraints of the process modules considered.Firstly,scheduling problem domains of the wet-etching system(WES) are assumed and defined,and a non-linear programming model is built to maximize the throughput with no defective wafers.On the basis of the model,a scheduling algorithm based on tabu search is presented in this paper.An improved Nawaz,Enscore,and Ham(NEH) heuristic algorithm is used as the initial feasible solution of the proposed heuristic algorithm.Finally,performances of the proposed algorithm are analyzed and evaluated by simulation experiments.The results indicate that the proposed algorithm is valid and practical to generate satisfied scheduling solutions. 展开更多
关键词 wet-etching systems （ WES ） semiconductor wafer fabrications tabu search scheduling problems residency constraints
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Oxidation-based wet-etching method for Al Ga N/Ga N structure with different oxidation times and temperatures 认领 引用 被引量：2
2
作者 Yang Liu Jin-Yan Wang +5 位作者 Zhe Xu Jin-Bao Cai Mao-Jun Wang Min Yu Bing Xie Wen-Gang 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第1期1-5,共5页
In this article, a detailed analysis of the wet- etching technique for AIGaN/GaN heterostructure using dry thermal oxidation followed by a wet alkali etching was performed. The experimental results show that the oxida... In this article, a detailed analysis of the wet- etching technique for AIGaN/GaN heterostructure using dry thermal oxidation followed by a wet alkali etching was performed. The experimental results show that the oxida- tion plays a key role in the wet-etching method and the etching depth is mainly determined by the oxidation tem- perature and time. The correlation of etching roughness with oxidation time and temperature was investigated. It is found that there exists a critical oxidation temperature in the oxidation process. Finally, a physical explanation of the oxidation procedure for A1GaN layer was given. 展开更多
关键词 Wet-etching AIGaN/GaN Atomic forcemicroscopy Rapid thermal annealing
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Effect of internal structure of a batch-processing wet-etch reactor on fluid flow and heat transfer 认领 引用
3
作者 Qinghang Deng Junqi Weng +2 位作者 Lei Zhou Guanghua Ye Xinggui Zhou 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第8期177-186,共10页
Batch-processing wet-etch reactors are the key equipment widely used in chip fabrication,and their performance is largely affected by the internal structure.This work develops a three-dimensional computational fluid d... Batch-processing wet-etch reactors are the key equipment widely used in chip fabrication,and their performance is largely affected by the internal structure.This work develops a three-dimensional computational fluid dynamics(CFD)model considering heat generation of wet-etching reactions to investigate the fluid flow and heat transfer in the wet-etch reactor.The backflow is observed below and above the wafer region,as the flow resistance in this region is high.The temperature on the upper part of a wafer is higher due to the accumulation of reaction heat,and the average temperature of the side wafer is highest as its convective heat transfer is weakest.Narrowing the gap between wafer and reactor wall can force the etchant to flow in the wafer region and then facilitate the convective heat transfer,leading to better within-wafer and wafer-to-wafer etch uniformities.An inlet angle of 60°balances fluid by-pass and mechanical energy loss,and it yields the best temperature and etch uniformities.The batch with 25wafers has much wider flow channels and much lower flow resistance compared with that with 50wafers,and thus it shows better temperature and etch uniformities.These results and the CFD model should serve to guide the optimal design of batch-processing wet-etch reactors. 展开更多
关键词 Wet-etch reactor Batch-processing Computational fluid dynamics Reaction heat Internal structure Etch uniformity
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SOI Waveguides Fabricated by Wet-Etching Method 认领 引用
4
作者 王小龙 严清峰 +2 位作者 刘敬伟 陈少武 余金中 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2003年第10期1025-1029,共5页
SOI waveguides fabricated by wet-etching method are demonstrated.The single mode waveguide and 1×2 3dB MMI splitter are analyzed and designed by three dimensional beam propagation method to correct the error of e... SOI waveguides fabricated by wet-etching method are demonstrated.The single mode waveguide and 1×2 3dB MMI splitter are analyzed and designed by three dimensional beam propagation method to correct the error of effective index method and guided mode method.The devices are fabricated.Excellent performances,such as low propagation loss of -1.37dB/cm,low excess loss of -2.2dB,and good uniformity of 0.3dB,are achieved. 展开更多
关键词 SOI wet-etching multimode interference single mode waveguide
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Two-step gate-recess process combining selective wet-etching and digital wet-etching for InAIAs/InGaAs InP-based HEMTs 认领 引用
5
作者 Ying-hui ZHONG Shu-xiang SUN +5 位作者 Wen-bin WONG Hai-li WANG Xiao-ming LIU Zhi-yong DUAN Peng DING Zhi JIN 《Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering》 SCIE EI CSCD 2017年第8期1180-1185,共6页
A two-step gate-recess process combining high selective wet-etching and non-selective digital wet-etching techniques has been proposed for InAlAs/InGaAs InP-based high electron mobility transistors （HEMTs）. High etc... A two-step gate-recess process combining high selective wet-etching and non-selective digital wet-etching techniques has been proposed for InAlAs/InGaAs InP-based high electron mobility transistors （HEMTs）. High etching-selectivity ratio of InGaAs to InA1As material larger than 100 is achieved by using mixture solution of succinic acid and hydrogen peroxide （H202）. Selective wet-etching is validated in the gate-recess process of InA1As/InGaAs InP-based HEMTs, which proceeds and auto- matically stops at the InA1As barrier layer. The non-selective digital wet-etching process is developed using a separately controlled oxidation/de-oxidation technique, and during each digital etching cycle 1.2 nm InAIAs material is removed. The two-step gate-recess etching technique has been successfully incorporated into device fabrication. Digital wet-etching is repeated for two cycles with about 3 nm InAIAs barrier layer being etched off. InP-based HEMTs have demonstrated superior extrinsic trans- conductance and RF characteristics to devices fabricated during only the selective gate-recess etching process because of the smaller gate to channel distance. 展开更多
关键词 High electron mobility transistors （HEMTs） Gate-recess Digital wet-etching Selective wet-etching
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单晶硅各向异性刻蚀特性分析及形貌仿真研究 认领 引用
6
作者 张辉 钱珺 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2026年第2期241-252,共12页
单晶硅各向异性湿法刻蚀特征表现较为复杂且极易受刻蚀条件及掩膜形状的影响,这导致其刻蚀结构面演化过程和形貌结构难以实现准确预测和控制。本研究基于单晶硅全晶面刻蚀速率和掩膜刻蚀结构的实验数据,详细分析了各向异性刻蚀机理及掩... 单晶硅各向异性湿法刻蚀特征表现较为复杂且极易受刻蚀条件及掩膜形状的影响,这导致其刻蚀结构面演化过程和形貌结构难以实现准确预测和控制。本研究基于单晶硅全晶面刻蚀速率和掩膜刻蚀结构的实验数据,详细分析了各向异性刻蚀机理及掩膜刻蚀成型过程,并利用Level-Set插值方法构建了单晶硅刻蚀形貌仿真模型(Si-LST),实现了利用少量晶面刻蚀速率精确插值全晶面刻蚀速率及任意掩膜下刻蚀形貌的精确模拟。结果表明,Si-LST针对凹膜、凸膜及复合掩膜均有较高的仿真精度,可以为单晶硅微结构加工成型和表面质量控制提供高效的工艺设计辅助。 展开更多
关键词 单晶硅 湿法刻蚀 各向异性 刻蚀机理 形貌模拟
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基于改进灰狼算法的磁悬浮离心泵优化设计 认领 引用
7
作者 赵伟国 路一帆 《农业机械学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2026年第1期280-289,共10页
为了提高磁悬浮离心泵的水力效率,选取某型号的磁悬浮离心泵为研究对象,在流量15 L/min、转速6000 r/min的工况下以泵的效率最大值作为优化目标,基于泵的基本方程采用Plackett-Burman试验设计筛选出对效率影响最为显著几何参数,最终选... 为了提高磁悬浮离心泵的水力效率,选取某型号的磁悬浮离心泵为研究对象,在流量15 L/min、转速6000 r/min的工况下以泵的效率最大值作为优化目标,基于泵的基本方程采用Plackett-Burman试验设计筛选出对效率影响最为显著几何参数,最终选出叶片进口边交点节圆直径、节圆切线与工作面切线的夹角、叶片工作面型线半径、叶片背面型线半径、前盖板轴面投影线与竖直方向的夹角作为优化变量。采用最优拉丁超立方设计方法设计了50组试验方案,并结合数值模拟的方法计算出相应的扬程和效率,引入RBF神经网络进行训练得到优化变量与优化目标之间的近似模型,最后利用改进后的灰狼算法进行寻优。结果表明:经过优化,磁悬浮离心泵的扬程提高了0.06 m,水力效率提高了0.56个百分点,同时流量-扬程曲线变得更加平滑,使泵的运行更加稳定;优化后叶轮流道变宽,流道内的压力梯度变小,漩涡在径向收缩,叶片工作面的漩涡几乎消失,流动状况有所改善;叶轮流道内湍动能分布更加合理,同时低湍动能区域增加,流动损失减少,叶片做功能力提高,水力效率也因此提高。 展开更多
关键词 磁悬浮离心泵 改进灰狼算法 RBF神经网络 水力效率 湿法刻蚀清洗设备
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一种高功率638nm红光半导体激光器 认领 引用 被引量：2
8
作者 黄建华 孙玉润 +3 位作者 朱鲁江 于淑珍 张瑞英 董建荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2026年第2期125-131,共7页
研制了一种80μm脊宽的双脊波导AlGaInP/GaAs高功率638 nm波长红光半导体激光器。为抑制宽条型激光器高功率工作的腔面光学灾变损伤,通过Zn杂质扩散诱导GaInP/AlGaInP量子阱混杂,在器件腔面构建了非吸收窗口(NAW)结构,有效提高了器件的... 研制了一种80μm脊宽的双脊波导AlGaInP/GaAs高功率638 nm波长红光半导体激光器。为抑制宽条型激光器高功率工作的腔面光学灾变损伤,通过Zn杂质扩散诱导GaInP/AlGaInP量子阱混杂,在器件腔面构建了非吸收窗口(NAW)结构,有效提高了器件的输出功率。此外,结合干法刻蚀与湿法腐蚀工艺刻蚀脊条间隔离沟道,有效降低了脊侧壁损伤并获得较为陡直的侧壁形貌。制备了宽度520μm、腔长1500μm的常规结构和NAW结构两类激光器,在脉冲电流下测试其输出特性。结果显示,室温下NAW结构激光器在3 A时最大输出功率达2.31 W,相较常规器件提升了近2倍。NAW结构激光器的特征温度为91 K,波长随电流和温度的漂移系数分别为2.08 nm/A和0.22 nm/K。 展开更多
关键词 红光激光器 量子阱混杂 非吸收窗口(NAW) 干法刻蚀 湿法腐蚀
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Si粉和过硫酸铵对湿法刻蚀制备隔离腔的影响 认领 引用
9
作者 郭耀祖 杨正兵 +4 位作者 潘祺 杜江 雷凯 周文斌 舒平 《半导体光电》 CAS 北大核心 2026年第3期496-501,共6页
基于标准CMOS工艺的微测辐射热计具有传感器与读出电路可一体化集成、工艺简单、成本低以及适合大规模成像阵列制备的优势,其中post-CMOS是制备该类微测辐射热计热隔离腔的关键工艺。文章系统研究了湿法刻蚀工艺中,Si粉和过硫酸铵含量... 基于标准CMOS工艺的微测辐射热计具有传感器与读出电路可一体化集成、工艺简单、成本低以及适合大规模成像阵列制备的优势,其中post-CMOS是制备该类微测辐射热计热隔离腔的关键工艺。文章系统研究了湿法刻蚀工艺中,Si粉和过硫酸铵含量对制备热隔离腔的影响。研究发现,当使用5 wt%的四甲基氢氧化铵溶液刻蚀衬底Si时,在溶液中加入Si粉能有效抑制金属Al电极的腐蚀,添加过硫酸铵能够抑制刻蚀过程中产生的氢气泡对刻蚀进程的阻碍作用,从而显著提高衬底Si的刻蚀表面的平整度。实验结果表明,在四甲基氢氧化铵溶液中,Si粉的最佳浓度为16×10-3 g/mL,过硫酸铵的最佳浓度为4×10-3 g/mL。通过该优化后的刻蚀溶液,成功制备了具有良好悬空效果的CMOS微测辐射热计阵列结构,为后续器件性能的提升提供了重要工艺保障。 展开更多
关键词 微测辐射热计 post-CMOS 湿法刻蚀 隔离腔
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基于湿法刻蚀的图案化非晶薄带GMI效应研究 认领 引用
10
作者 祝梦娇 杨真 +3 位作者 罗松 耿兆杰 殷旭 雷冲 《微纳电子技术》 CAS 2026年第2期131-139,共9页
以商业化Co基非晶薄带为研究对象,采用湿法刻蚀工艺制备了线条图案化(曲折S1、平行S2、交叉S3)和边缘图案化(平直P1、双凸P2、双凹P3、凹凸P4)两类传感器,系统研究了不同图案结构对巨磁阻抗(GMI)效应的影响。实验结果表明:在线条图案化... 以商业化Co基非晶薄带为研究对象,采用湿法刻蚀工艺制备了线条图案化(曲折S1、平行S2、交叉S3)和边缘图案化(平直P1、双凸P2、双凹P3、凹凸P4)两类传感器,系统研究了不同图案结构对巨磁阻抗(GMI)效应的影响。实验结果表明:在线条图案化结构中,交叉结构(S3)在8 MHz频率和10 Oe(1 Oe=79.5775 A/m)磁场条件下获得最佳GMI效应,达45.67%;平行结构(S2)次之,为41.47%。在边缘图案化结构中,双凸结构(P2)表现最优,在15 MHz和5 Oe条件下GMI效应为26.8%。研究发现,湿法刻蚀技术能有效避免传统激光加工的热损伤问题,更好地保持材料的本征软磁特性。交叉结构通过增强条带间磁耦合作用,双凸结构通过优化边缘场分布,分别使GMI效应获得显著提升。该研究为基于湿法刻蚀工艺的高性能GMI传感器设计提供了重要的实验依据。 展开更多
关键词 巨磁阻抗(GMI)效应 Co基非晶薄带 湿法刻蚀 图案化传感器 磁耦合
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Electrical characteristics of a vertical light emitting diode with n-type contacts on a selectively wet-etching roughened surface 认领 引用 被引量：2
11
作者 汪炼成 郭恩卿 +2 位作者 刘志强 伊晓燕 王国宏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期61-64,共4页
Low resistance and thermally stable n-type contacts to N-polar GaN are essentially important for vertical light emitting diodes （VLEDs）. The electrical characteristics of VLEDs with n-type contacts on a roughened an... Low resistance and thermally stable n-type contacts to N-polar GaN are essentially important for vertical light emitting diodes （VLEDs）. The electrical characteristics of VLEDs with n-type contacts on a roughened and flat N-polar surface have been compared. VLEDs with contacts deposited on a roughened surface exhibit lower leakage currents yet a higher operating voltage. Based on this, a new scheme by depositing metallization contacts on a selectively wet-etching roughened surface has been developed. Excellent electrical and optical characteristics have been achieved with this method. An aging test further confirmed its stability. 展开更多
关键词 metallization contacts wet etching surface roughening polarization
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湿法刻蚀辅助飞秒激光加工蓝宝石通孔 认领 引用
12
作者 汪梦健 燕超月 +1 位作者 孙盛芝 邱建荣 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2026年第1期38-43,共6页
本研究提出一种基于湿法刻蚀辅助的飞秒激光加工方法,用于蓝宝石材料的高质量通孔制备。采用波长1030nm、脉冲宽度300 fs的飞秒激光系统,通过旋切工艺,系统研究了重复频率25kHz~500kHz、单脉冲能量200~400nJ、层间距1~4μm等参数对通孔... 本研究提出一种基于湿法刻蚀辅助的飞秒激光加工方法,用于蓝宝石材料的高质量通孔制备。采用波长1030nm、脉冲宽度300 fs的飞秒激光系统,通过旋切工艺,系统研究了重复频率25kHz~500kHz、单脉冲能量200~400nJ、层间距1~4μm等参数对通孔成形质量的影响规律,并探讨了氢氟酸溶液浓度(40 HF)辅助刻蚀对加工缺陷的修复作用。实验结果表明:当采用层间距4μm、重复频率200kHz、单脉冲能量400nJ的激光参数组合时,配合25 h超声辅助刻蚀处理,可在50μm厚蓝宝石基片上获得锥度仅为509°的微通孔。相较于未刻蚀样品,该工艺使孔壁锥度从825°降至509°,同时有效消除了激光诱导热影响区并清除了表面沉积层。本研究为蓝宝石精密结构的湿法辅助飞秒激光加工提供了重要的工艺参考。 展开更多
关键词 飞秒激光制造 微孔加工 湿法辅助刻蚀 蓝宝石 旋切法 锥度
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超疏水涂层及其在建筑领域的研究进展 认领 引用
13
作者 祝锡爇 高莉宁 +3 位作者 李立 张佩 白江蕊 何锐 《化学世界》 CAS 2026年第1期10-19,共10页
由于气候环境的变化,建筑物外表面极易受到腐蚀和老化,这不仅会大大降低建筑物的使用寿命,还存在很大的安全隐患。综述了近年来超疏水润湿理论的进展,归纳了润湿理论模型,总结了最常用的制备超疏水涂层的方法,包括模板法、溶胶-凝胶法... 由于气候环境的变化,建筑物外表面极易受到腐蚀和老化,这不仅会大大降低建筑物的使用寿命,还存在很大的安全隐患。综述了近年来超疏水润湿理论的进展,归纳了润湿理论模型,总结了最常用的制备超疏水涂层的方法,包括模板法、溶胶-凝胶法、刻蚀法和沉积法等。最后综述了超疏水涂层在建筑领域的研究进展,并对其应用提出了展望。 展开更多
关键词 超疏水 涂层 润湿理论 溶胶-凝胶法 刻蚀法
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双面菱形错位结构硅基肖特基探测器的制备与研究 认领 引用
14
作者 李欣洋 邹继军 +1 位作者 刘宝鑫 黄元美 《计量与测试技术》 2026年第4期1-4,共4页
以本征晶向高纯N型双面抛光硅片为衬底,设计以湿法刻蚀工艺制备的双面菱形错位结构肖特基探测器(菱形孔边长为1mm,孔深控制在300mm左右;衬底两面以沉积金(Au)与铝(Al)作为电极),并采用半导体测试仪4200-SCS对其进行电学性能表征。结果显... 以本征晶向高纯N型双面抛光硅片为衬底,设计以湿法刻蚀工艺制备的双面菱形错位结构肖特基探测器(菱形孔边长为1mm,孔深控制在300mm左右;衬底两面以沉积金(Au)与铝(Al)作为电极),并采用半导体测试仪4200-SCS对其进行电学性能表征。结果显示,15V反偏电压下,其漏电流为0.4μA;-30V电压下,电容值为1.62pF。 展开更多
关键词 菱形错位结构 湿法刻蚀 硅微结构
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面向MEMS应用的PMN-PT压电单晶的湿法刻蚀工艺研究 认领 引用 被引量：1
15
作者 张慧慧 李令英 +8 位作者 钱波 孙立凯 宋尔冬 宫占江 鲁丽 林迪 朱莉莉 袁志钟 焦杰 《压电与声光》 CAS 北大核心 2025年第6期1071-1077,共7页
该文主要研究了铌镁酸铅钛酸铅Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(简称PMN-PT)压电单晶的湿法刻蚀工艺。针对微机电系统(MEMS)器件中PMN-PT层的图形化需求,采用4种湿法化学刻蚀工艺配方,最终选择以体积比φ(HF):φ(HNO3):φ(H2... 该文主要研究了铌镁酸铅钛酸铅Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(简称PMN-PT)压电单晶的湿法刻蚀工艺。针对微机电系统(MEMS)器件中PMN-PT层的图形化需求,采用4种湿法化学刻蚀工艺配方,最终选择以体积比φ(HF):φ(HNO3):φ(H2O)=1:2:10为基础刻蚀液,并添加占总体积1/50的H2O2作为氧化剂。实验表明,该优化配方可实现2.8μm/min稳定的纵向刻蚀速率,形成刻蚀角度46.6°的清晰结构轮廓,且刻蚀比较小。这为MEMS领域PMN-PT单晶的精密图形化提供了可靠和低成本解决方案。 展开更多
关键词 PMN-PT 湿法刻蚀 刻蚀速率 微机电系统(MEMS) 压电单晶
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蓝宝石MEMS光纤动态压力传感器技术研究 认领 引用 被引量：1
16
作者 姜晓龙 窦雁巍 +3 位作者 程振乾 孙志强 毕佳宇 邵志强 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第8期124-127,共4页
首次提出了一种蓝宝石MEMS光纤动态压力传感器。利用有限元分析软件设计了蓝宝石MEMS敏感结构,采用湿法腐蚀和直接键合工艺制作了蓝宝石F-P敏感结构。为了快速提取出压力信息,提出了采用基于光强-干涉自补偿解调方法对传感器进行解调。... 首次提出了一种蓝宝石MEMS光纤动态压力传感器。利用有限元分析软件设计了蓝宝石MEMS敏感结构,采用湿法腐蚀和直接键合工艺制作了蓝宝石F-P敏感结构。为了快速提取出压力信息,提出了采用基于光强-干涉自补偿解调方法对传感器进行解调。搭建了动态压力测试平台,在室温环境下对传感器执行了10Hz~1kHz的动态压力测试和固有频率测试。测试结果表明,在10Hz~1kHz频率范围内,传感器的幅值灵敏度相对误差优于±0.5%,传感器的固有频率为430kHz。 展开更多
关键词 动态压力传感器 湿法腐蚀 直接键合 自补偿解调方法
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嵌入式薄膜应变传感器的铣削力测量刀具系统结构设计与优化 认领 引用
17
作者 闫旭辉 宋相弢 武文革 《工具技术》 北大核心 2025年第6期140-148,共9页
为提高铣削过程中测力系统的灵敏度,提出一种具有弹性梁结构的铣削力测量刀具系统。建立弹性梁的简化力学模型,研究3种铣削力分量作用下弹性梁的应变与力的关系,为后续铣削力测量刀具系统标定试验提供指导。铣削力测量刀具系统由基底、... 为提高铣削过程中测力系统的灵敏度,提出一种具有弹性梁结构的铣削力测量刀具系统。建立弹性梁的简化力学模型,研究3种铣削力分量作用下弹性梁的应变与力的关系,为后续铣削力测量刀具系统标定试验提供指导。铣削力测量刀具系统由基底、过渡层、绝缘层和电阻栅等构成,薄膜应变传感器在该系统中处于中心位置,电阻栅对薄膜应变传感器的性能影响尤为显著。为进一步提高薄膜应变传感器的灵敏度,对基底、过渡层、绝缘层和电阻栅的形状进行优化研究。设计一种新型薄膜应变传感器,该传感器由绝缘层和两端支承在过渡层上的电阻栅构成。针对薄膜应变传感器湿蚀刻过程的流程展开研究,并获得样品。用超景深显微镜、共聚焦显微镜和原子力显微镜观察传感器样品的表面微观形貌。可以看出,电阻栅图边界整齐且尺寸精度高,基本达到设计的预期效果。在搭建的实验平台上对样品的电学性能进行测试,结果表明,与普通薄膜应变传感器相比,样品的应变系数GF提高约60.2%,满足设计要求。 展开更多
关键词 薄膜应变传感器 铣削力 湿蚀刻工艺 性能表征
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从废旧光伏板中回收银的试验研究 认领 引用 被引量：1
18
作者 牛振华 马爱军 +3 位作者 祁万虎 张恩玉 李俞良 鲁兴武 《甘肃冶金》 2025年第2期59-62,共4页
采用氯化胆碱(ChCl)对废旧光伏板浸出,提取其中的有价金属银进行研究,经过一系列试验过程,对浸出剂的用量、pH值、搅拌强度、温度、反应时间等条件进行优化,得到了最优条件下的Ag浸出率,Ag的浸出率高于95%,最大限度实现Ag的回收,提高光... 采用氯化胆碱(ChCl)对废旧光伏板浸出,提取其中的有价金属银进行研究,经过一系列试验过程,对浸出剂的用量、pH值、搅拌强度、温度、反应时间等条件进行优化,得到了最优条件下的Ag浸出率,Ag的浸出率高于95%,最大限度实现Ag的回收,提高光伏板的回收再利用价值。 展开更多
关键词 废旧光伏板回收 有机刻蚀液 银回收 湿法浸出
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压力传感器湿法腐蚀敏感膜的工艺研究 认领 引用 被引量：1
19
作者 闫施锦 王丙寅 +5 位作者 王志强 雷程 冀鹏飞 邱海兵 谭秋林 梁庭 《压电与声光》 CAS 北大核心 2025年第1期63-68,共6页
随着压力传感器的小型化和高频化发展,降低成本并提升制造工艺成为当前研究的关键。该文通过优化硅片湿法腐蚀工艺来降低压力传感器的制造成本,并使其性能更贴近设计要求。首先,深入研究了不同浓度TMAH(四甲基氢氧化铵)对硅片腐蚀效果... 随着压力传感器的小型化和高频化发展,降低成本并提升制造工艺成为当前研究的关键。该文通过优化硅片湿法腐蚀工艺来降低压力传感器的制造成本,并使其性能更贴近设计要求。首先,深入研究了不同浓度TMAH(四甲基氢氧化铵)对硅片腐蚀效果的影响,通过优化腐蚀工艺条件,确定了在80℃下使用质量分数为25%的TMAH作为腐蚀液,最终成功获得了表面粗糙度仅为0.121μm的低粗糙度硅片表面。然后利用有限元模拟技术,对比了质量分数为5%TMAH湿法腐蚀条件下的灵敏度(109.162 mV/MPa)与质量分数为25%TMAH湿法腐蚀条件下的灵敏度(103.276 mV/MPa),而后者更接近设计要求的灵敏度值(100 mV/MPa)。成功总结了高效的湿法腐蚀工艺,并基于该工艺设计了压力传感器的制造流程。预期该流程能以低成本生产出性能更贴近设计要求的压力传感器,为压力传感器的小型化和高频化发展提供了有力的技术支持。 展开更多
关键词 压力传感器 湿法腐蚀 敏感膜 腐蚀形貌 粗糙度
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湿法刻蚀Ag纳米线阵列制备SiO2固态纳米孔薄膜 认领 引用 被引量：1
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作者 辛若晨 李国华 +1 位作者 高俊华 曹鸿涛 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2025年第7期14-21,共8页
相比传统生物纳米孔薄膜,固态纳米孔薄膜在化学、机械及热稳定性方面表现更优,因此在生物探测和生命健康等领域具有广泛应用前景.本文通过多靶磁控共溅射系统制备银(Ag)纳米线阵列-二氧化硅(SiO2)复合超材料薄膜,并采用化学湿法刻蚀... 相比传统生物纳米孔薄膜,固态纳米孔薄膜在化学、机械及热稳定性方面表现更优,因此在生物探测和生命健康等领域具有广泛应用前景.本文通过多靶磁控共溅射系统制备银(Ag)纳米线阵列-二氧化硅(SiO2)复合超材料薄膜,并采用化学湿法刻蚀技术,利用过氧化氢(H2O2)刻蚀液选择性溶解Ag纳米线阵列,成功制备了平均直径约为5 nm的SiO2固态纳米孔阵列薄膜.通过X射线衍射、电感耦合等离子体发射光谱和椭圆偏振光谱等分析手段,证实了Ag纳米线在H2O2溶液中完全溶解,并阐明了Ag纳米线与H2O2的化学反应机理.此外,利用扫描电子显微镜和小角X射线散射仪对SiO2固态纳米孔阵列的形貌及微结构尺寸进行了表征.本研究成功制备了直径小于10 nm的SiO2固态纳米孔阵列结构,为高效制备SiO2固态纳米孔阵列提供了新的思路. 展开更多
关键词 固态纳米孔 化学湿法刻蚀 银纳米线阵列 溶解 磁控溅射
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