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Electron Cyclotron Resonance Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition of Amorphous Al_2O_3 Thin Films 认领 引用 被引量：2
1
作者 熊玉卿 桑利军 +3 位作者 陈强 杨丽珍 王正铎 刘忠伟 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第1期52-55,共4页
Without extra heating, Al2O3 thin films were deposited on a hydrogen-terminated Si substrate etched in hydrofluoric acid by using a self-built electron cyclotron resonance （ECR） plasma-assisted atomic layer depositi... Without extra heating, Al2O3 thin films were deposited on a hydrogen-terminated Si substrate etched in hydrofluoric acid by using a self-built electron cyclotron resonance （ECR） plasma-assisted atomic layer deposition （ALD） device with Al（CH3）3 （trimethylaluminum; TMA） and O2 used as precursor and oxidant, respectively. During the deposition process, Ar was in- troduced as a carrier and purging gas. The chemical composition and microstructure of the as-deposited Al2O3 films were characterized by using X-ray diffraction （XRD）, an X-ray photo- electric spectroscope （XPS）, a scanning electron microscope （SEM）, an atomic force microscope （AFM） and a high-resolution transmission electron microscope （HRTEM）. It achieved a growth rate of 0.24 nm/cycle, which is much higher than that deposited by thermal ALD. It was found that the smooth surface thin film was amorphous alumina, and an interfacial layer formed with a thickness of ca. 2 nm was observed between theAl2O3 film and substrate Si by HRTEM. We conclude that ECR plasma-assisted ALD can growAl2O3 films with an excellent quality at a high growth rate at ambient temperature. 展开更多
关键词 ECR ALD Al2O3thin film TMA HRTEM
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Synthesis of free-standing Ga_2O_3 films for flexible devices by water etching of Sr_3Al_2O_6 sacrificial layers 认领 引用 被引量：1
2
作者 Xia Wang Zhen-Ping Wu +5 位作者 Wei Cui Yu-Song Zhi Zhi-Peng Li Pei-Gang Li Dao-You Guo Wei-Hua Tang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期166-170,共5页
Flexible electronic devices have attracted much attention due to their practical and commercial value. Integration of thin films with soft substrate is an effective way to fabricate flexible electronic devices. Ga_2O_... Flexible electronic devices have attracted much attention due to their practical and commercial value. Integration of thin films with soft substrate is an effective way to fabricate flexible electronic devices. Ga_2O_3 thin films deposited directly on soft substrates would be amorphous mostly. However, the thickness of the thin film obtained by mechanical exfoliation method is difficult to control and the edge of the film is fragile and easy to be damaged. In this work, we fabricated free-standing Ga_2O_3 thin films using the water-soluble perovskite Sr_3Al_2O_6 as a sacrificial buffer layer. The obtained Ga_2O_3 thin films were polycrystalline. The thickness and dimension of the films were controllable. A flexible Ga_2O_3solar-blind UV photodetector was fabricated by transferring the free-standing Ga_2O_3 film on a flexible polyethylene terephthalate substrate. The results displayed that the photoelectric performances of the flexible Ga_2O_3 photodetector were not sensitive to bending of the device. The free-standing Ga_2O_3 thin films synthesized through the method described here can be transferred to any substrates or integrated with other thin films to fabricate electronic devices. 展开更多
关键词 free-standing Ga2O3 thin film crystalline Sr3Al2O6 flexible photodetector
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Effect of Al_2O_3 Buffer Layers on the Properties of Sputtered VO_2 Thin Films 认领 引用 被引量：1
3
作者 Dainan Zhang Tianlong Wen +2 位作者 Ying Xiong Donghong Qiu Qiye Wen 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2017年第3期52-59,共8页
VO_2 thin films were grown on silicon substrates using Al_2O_3 thin films as the buffer layers. Compared with direct deposition on silicon, VO_2 thin films deposited on Al_2O_3 buffer layers experience a significant i... VO_2 thin films were grown on silicon substrates using Al_2O_3 thin films as the buffer layers. Compared with direct deposition on silicon, VO_2 thin films deposited on Al_2O_3 buffer layers experience a significant improvement in their microstructures and physical properties. By optimizing the growth conditions, the resistance of VO_2 thin films can change by four orders of magnitude with a reduced thermal hysteresis of 4 °C at the phase transition temperature. The electrically driven phase transformation was measured in Pt/Si/Al_2O_3/VO_2/Au heterostructures. The introduction of a buffer layer reduces the leakage current and Joule heating during electrically driven phase transitions. The C–V measurement result indicates that the phase transformation of VO_2 thin films can be induced by an electrical field. 展开更多
关键词 Al2O3 Buffer layers Atomic layer deposition VO2 thin films Heterostructure
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Research of Trap and Electron Density Distributions in the Interface of Polyimide/Al2O3 Nanocomposite Films Based on IDC and SAXS 认领 引用 被引量：1
4
作者 Yuan-Yuan Liu Jing-Hua Yin +4 位作者 Xiao-Xu Liu Duo Sun Ming-Hua Chen Zhong-Hua Wu Bo Su 《Chinese Physics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第4期116-119,共4页
The distributions of traps and electron density in the interfaces between polyimide （PI） matrix and Al2O3 nanoparticles are researched using the isothermal decay current and the small-angle x-ray scattering （SAXS）... The distributions of traps and electron density in the interfaces between polyimide （PI） matrix and Al2O3 nanoparticles are researched using the isothermal decay current and the small-angle x-ray scattering （SAXS） tests. According to the electron density distribution for quasi two-phase mixture doped by spherical nanoparticles, the electron densities in the interfaces of PI/Al2O3 nanocomposite films are evaluated. The trap level density and carrier mobility in the interface are studied. The experimental results show that the distribution and the change rate of the electron density in the three layers of interface are different, indicating different trap distributions in the interface layers. There is a maximum trap level density in the second layer, where the maximum trap level density for the nanocomposite film doped by 25 wt% is 1.054 × 10^22 eV·m^-3 at 1.324eV, resulting in the carrier mobility reducing. In addition, both the thickness and the electron density of the nanocomposite film interface increase with the addition of the doped Al2O3 contents. Through the study on the trap level distribution in the interface, it is possible to further analyze the insulation mechanism and to improve the performance of nano-dielectric materials. 展开更多
关键词 AI PI Research of Trap and Electron Density Distributions in the Interface of Polyimide/Al2O3 Nanocomposite Films Based on IDC and SAXS IDC Al
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The microwave response of MgB2 /Al2O3 superconducting thin films 认领 引用
5
作者 史力斌 王云飞 +8 位作者 柯于洋 张国华 罗胜 张雪强 李春光 黎红 何豫生 于增强 王福仁 《Chinese Physics B》 CAS 2007年第3期799-804,共6页
Microwave characteristics of MgB2/Al2O3 superconducting thin films were investigated by coplanar resonator technique. The thin films studied have different grain sizes resulting from different growth techniques. The e... Microwave characteristics of MgB2/Al2O3 superconducting thin films were investigated by coplanar resonator technique. The thin films studied have different grain sizes resulting from different growth techniques. The experimental results can be described very well by a grain-size model which combines coplanar resonator theory and Josephson junction network model. It was found that the penetration depth and surface resistance of thin films with smaller grain sizes are larger than those of thin films with larger grain sizes. 展开更多
关键词 MgB2/Al2O3 thin films surface resistance penetration depth grain-size model
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ZrO_2增韧Al_2O_3陶瓷的力学性能和增韧机制 认领 引用 被引量：19
6
作者 任会兰 龙波 +1 位作者 宁建国 褚亮 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期776-781,共6页
对通过热压烧结法制备的3种陶瓷99.5vol%Al2O3(AD995)、ZrO2(15vol%)/Al2O3和ZrO2(25vol%)/Al2O3的力学性能和增韧机制进行了实验和理论研究。基于复合材料细观力学理论并考虑ZrO2的相变特性,建立了描述ZrO2/Al2O3陶瓷力学性能的本构模... 对通过热压烧结法制备的3种陶瓷99.5vol%Al2O3(AD995)、ZrO2(15vol%)/Al2O3和ZrO2(25vol%)/Al2O3的力学性能和增韧机制进行了实验和理论研究。基于复合材料细观力学理论并考虑ZrO2的相变特性,建立了描述ZrO2/Al2O3陶瓷力学性能的本构模型。结果表明:ZrO2的加入细化了基体Al2O3晶粒,ZrO2/Al2O3陶瓷的致密性得到提高;3种陶瓷试件的破坏呈现小变形到脆性破坏的特点,压缩加载下试件应力-应变曲线近似为线性关系;AD995陶瓷的断裂韧性为5.65 MPa·m1/2,ZrO2(25vol%)/Al2O3陶瓷的断裂韧性为8.42 MPa·m1/2,提高了近50%;随ZrO2增韧相含量的增加,ZrO2/Al2O3陶瓷的弹性模量降低而断裂韧性增加,这一变化趋势与实验结果有良好的一致性。 展开更多
关键词 陶瓷 ZrO2 Al2O3 断裂韧性 增韧机制
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催化精馏专用填料型固体酸SO_42-/ZrO_2-Al_2O_3-Al的研究 认领 引用 被引量：12
7
作者 杜长海 秦永宁 +2 位作者 贺岩峰 马智 吴树新 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS 北大核心 2003年第6期504-508,共5页
为了研制催化精馏专用催化剂 ,采用铝阳极氧化法制备了Al2 O3 Al一体型载体 ,并将活性固体超强酸SO42 -/ZrO2 引入到Al2 O3 Al上 ,得到一种新型催化精馏专用填料式固体酸SO42 -/ZrO2 Al2 O3 Al催化剂 .利用XRD、SEM、BET、XPS、NH3 TPD... 为了研制催化精馏专用催化剂 ,采用铝阳极氧化法制备了Al2 O3 Al一体型载体 ,并将活性固体超强酸SO42 -/ZrO2 引入到Al2 O3 Al上 ,得到一种新型催化精馏专用填料式固体酸SO42 -/ZrO2 Al2 O3 Al催化剂 .利用XRD、SEM、BET、XPS、NH3 TPD等手段对其进行了表征 .结果表明 ,所制得的阳极氧化铝膜厚为 5 6 μm ,SO42 -/ZrO2 Al2 O3 Al固体酸具有比表面积大、酸强度适中的特点 .XRD结果表明 ,ZrO2 在Al2 O3 Al上处于高度分散状态 .将该固体酸用于乙酸 /乙醇酯化反应中 ,显示出较高的催化活性 。 展开更多
关键词 SO4^2-/ZrO2 阳极氧化 Al2O3-Al 填料型固体酸 催化精馏 催化剂
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Al含量对Pt-S_2O_82-/ZrO_2-Al_2O_3型固体超强酸催化剂异构化性能的影响 认领 引用 被引量：21
8
作者 宋华 董鹏飞 张旭 《高等学校化学学报》 SCIE CAS 北大核心 2010年第7期1426-1430,共5页
通过向S2O82-/ZrO2催化剂中同时引入适量的Pt和Al2O3,制备出了具有较高催化性能和高稳定性的Pt-S2O82-/ZrO2-Al2O3型固体超强酸催化剂.以正戊烷异构化反应为探针,考察了Al含量对催化剂的异构化性能的影响,并采用XRD,BET,FTIR,TPR,TG-DTA... 通过向S2O82-/ZrO2催化剂中同时引入适量的Pt和Al2O3,制备出了具有较高催化性能和高稳定性的Pt-S2O82-/ZrO2-Al2O3型固体超强酸催化剂.以正戊烷异构化反应为探针,考察了Al含量对催化剂的异构化性能的影响,并采用XRD,BET,FTIR,TPR,TG-DTA,NH3-TPD和ICP手段对催化剂进行了表征.结果表明,Al能够延迟ZrO2的晶化温度,抑制硫的分解;Al能够增加催化剂的比表面积,增强硫氧键的结合,提高催化剂的还原性能,增加催化剂的酸强度和酸总量.当Al2O3质量分数为2.5%时,Pt-S2O82-/ZrO2-Al2O3固体超强酸催化剂的催化活性最高,正戊烷异构化收率可达60.02%,选择性在98.2%以上. 展开更多
关键词 固体超强酸 催化剂 S2O28-/ZrO2 异构化 Al2O3含量
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浆态床中Cu/ZnO/Al_2O_3/ZrO_2+γ-Al_2O_3双功能催化剂一步法合成二甲醚 认领 引用 被引量：14
9
作者 左宜赞 张强 +4 位作者 安欣 韩明汉 王铁锋 王金福 金涌 《燃料化学学报》 北大核心 2010年第1期102-107,共6页
采用共沉淀法,制备了纤维状CD501甲醇合成催化剂,采用SEM、TEM、XRD和BET等手段对催化剂进行了表征;并将其进一步和γ-Al2O3进行混合,获得了Cu/ZnO/Al2O3/ZrO2+γ-Al2O3双功能催化剂,考察了其在浆态床中一步法合成二甲醚过程的催化特性... 采用共沉淀法,制备了纤维状CD501甲醇合成催化剂,采用SEM、TEM、XRD和BET等手段对催化剂进行了表征;并将其进一步和γ-Al2O3进行混合,获得了Cu/ZnO/Al2O3/ZrO2+γ-Al2O3双功能催化剂,考察了其在浆态床中一步法合成二甲醚过程的催化特性。结果表明,相比商业催化剂(COM)和LP201催化剂,新型的CD501催化剂具有更大的比表面积和Cu/Zn分散性。对于浆态床中一步法合成二甲醚过程,采用CD501与γ-Al2O3双功能催化剂,相比采用COM或LP201与γ-Al2O3双功能催化剂,CO转化率提高了一倍,且经过270 h测试,CO转化率从61%降至57%,二甲醚时空产率从0.54 g/(g.h)降至0.48 g/(g.h),稳定性显著优于COM催化剂。当反应温度为250℃,压力为4.0 MPa,空速为3 000 mL/(g.h),氢碳比为1.0时,该催化剂应用在浆态床一步法合成二甲醚时,CO转化率为61%,DME时空产率达到0.54 g/(g.h)。 展开更多
关键词 Cu/ZnO/Al2O3/ZrO2催化剂 -γAl2O3 浆态床 二甲醚 甲醇
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共沉淀法制备ZrO_2-Al_2O_3纳米复合氧化物的物相表征 认领 引用 被引量：27
10
作者 梁健 黄惠忠 谢有畅 《物理化学学报》 SCIE CAS 北大核心 2003年第1期30-34,共5页
用Al(NO3)3和ZrO(NO3)2混合溶液,加氨水共沉淀制备了一系列Al2O3含量由低到高的ZrO2-Al2O3复合氧化物,用XRD、XPS、BET等实验手段对其进行了表征.结果表明,随着一种组分含量由低到高,其主要存在形式按形成固溶体-表面单层分散-析出单独... 用Al(NO3)3和ZrO(NO3)2混合溶液,加氨水共沉淀制备了一系列Al2O3含量由低到高的ZrO2-Al2O3复合氧化物,用XRD、XPS、BET等实验手段对其进行了表征.结果表明,随着一种组分含量由低到高,其主要存在形式按形成固溶体-表面单层分散-析出单独晶相的规律变化,而一种组分的加入均使另一种组分的XRD衍射峰明显宽化,晶粒变细;复合氧化物的比表面明显大于两种组分纯样品比表面的简单加和.实验表明体系中两种组分存在相互表面单层分散,即在一定的相对含量范围内,该体系的任一组分的微晶固溶体都既接受另一组分在其表面上的单层分散,同时也在另一组分的微晶固溶体表面上单层分散.相互单层分散和固溶体的生成都可能使高温焙烧时微晶的增大受到抑制,从而维持了样品的高比表面. 展开更多
关键词 共沉淀法 物相表征 ZrO2 Al2O3 纳米复合氧化物 相互单层分散 陶瓷 二氧化锆 三氧化二铝
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Al_2O_3颗粒形貌对注凝成型ZrO_2/Al_2O_3陶瓷性能的影响 认领 引用 被引量：5
11
作者 曾金珍 慕玮 +2 位作者 杨建 万维 丘泰 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期416-422,共7页
采用3种不同形貌的Al2O3原料对注凝成型制备ZrO2/Al2O3(ZTA)陶瓷工艺中悬浮体的流变性能进行了研究。以低毒的单体N,N-二甲基丙烯酰胺(DMAA)制备了ZrO2/Al2O3坯体和陶瓷。讨论了3种不同形貌的Al2O3原浆料的分散剂用量、球磨时间和固含... 采用3种不同形貌的Al2O3原料对注凝成型制备ZrO2/Al2O3(ZTA)陶瓷工艺中悬浮体的流变性能进行了研究。以低毒的单体N,N-二甲基丙烯酰胺(DMAA)制备了ZrO2/Al2O3坯体和陶瓷。讨论了3种不同形貌的Al2O3原浆料的分散剂用量、球磨时间和固含量对浆料流变性的影响。Al2O3粉体呈扁平状有利于降低浆料的黏度,Al2O3粉体呈棒状对生坯强度的提高有利。制得的3种ZrO2/Al2O3坯体颗粒间结合紧密,抗弯强度分别达到21.45,19.87,25.90MPa。Al2O3粉体呈颗粒状有利于最终陶瓷力学性能的提高,陶瓷的抗弯强度及断裂韧性分别为680MPa和7.49MPa·m1/2,453.1MPa和6.8MPa·m1/2,549.4MPa和6.34MPa·m1/2。 展开更多
关键词 注凝成型 黏度 Al2O3 颗粒形貌 ZrO2/Al2O3陶瓷
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Al含量对Pt-SO_42-/ZrO_2-Al_2O_3固体超强酸催化正戊烷异构化性能的影响 认领 引用 被引量：13
12
作者 宋华 董鹏飞 张旭 《物理化学学报》 SCIE CAS 北大核心 2010年第8期2229-2234,共6页
通过向SO24-/ZrO2催化剂中同时引入适量的Pt和Al2O3,制备出了具有较高催化性能和稳定性的Pt-SO24-/ZrO2-Al2O3型固体超强酸催化剂.以正戊烷异构化反应为探针,考察了Al含量对催化剂性能的影响;并采用X射线衍射(XRD)、比表面积测定(BET)... 通过向SO24-/ZrO2催化剂中同时引入适量的Pt和Al2O3,制备出了具有较高催化性能和稳定性的Pt-SO24-/ZrO2-Al2O3型固体超强酸催化剂.以正戊烷异构化反应为探针,考察了Al含量对催化剂性能的影响;并采用X射线衍射(XRD)、比表面积测定(BET)、红外(IR)光谱、程序升温还原(TPR)、热重-差热分析(TG-DTA)和氨-程序升温脱附(NH3-TPD)手段对催化剂进行了表征.结果表明,Al能够提高ZrO2的晶化温度,抑制硫的分解,增加催化剂的比表面积,增强硫氧键的结合,提高催化剂的还原性能,增加催化剂的酸强度和酸总量.当Al2O3含量(质量分数,w)为5.0%时,Pt-SO24-/ZrO2-Al2O3固体超强酸催化剂的催化活性最好,在100h内异戊烷收率可稳定在52.0%以上,选择性在98.2%以上. 展开更多
关键词 固体超强酸 催化剂 SO24-/ZrO2 异构化 Al2O3含量 Pt
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Al_2O_3/WC-10Co/ZrO_2/Ni金属陶瓷的微波烧结 认领 引用 被引量：9
13
作者 史晓亮 杨华 +2 位作者 邵刚勤 段兴龙 熊震 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS 北大核心 2007年第4期623-628,共6页
以纳米WC-10Co复合粉末、YSZ纳米粉末、Al2O3亚微粉末与工业Ni粉为原料,采用微波烧结+热等静压处理制备性能优良的Al2O3/WC-10Co/ZrO2/Ni金属陶瓷,研究微波烧结、微波烧结+热等静压处理对Al2O3/WC-10Co/ZrO2/Ni金属陶瓷的组织结构和力... 以纳米WC-10Co复合粉末、YSZ纳米粉末、Al2O3亚微粉末与工业Ni粉为原料,采用微波烧结+热等静压处理制备性能优良的Al2O3/WC-10Co/ZrO2/Ni金属陶瓷,研究微波烧结、微波烧结+热等静压处理对Al2O3/WC-10Co/ZrO2/Ni金属陶瓷的组织结构和力学性能的影响。研究结果表明:WC-10Co(10%,质量分数),YSZ(30%),Al2O3(55%)与Ni(5%)复合粉末高能球磨后,经过微波烧结+热等静压处理,可以得到平均晶粒度小于1.5μm的整体性能较好的亚微Al2O3/WC-10Co/ZrO2/Ni金属陶瓷,其相对密度为98.4%,洛氏硬度为HRA 94.0;微波烧结+热等静压可以有效地消除微波烧结造成Al2O3/WC-10Co/ZrO2/Ni金属陶瓷中的孔隙,提高复合材料的密实度和力学性能,而且金属陶瓷的晶粒基本没有异常长大。 展开更多
关键词 WC-10Co纳米复合粉末 亚微Al2O3粉末 纳米ZrO2粉末 微波烧结 热等静压处理
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Al_2O_3/ZrO_2(Y_2O_3)复合材料断裂过程中的相变及力学性能 认领 引用 被引量：8
14
作者 马伟民 修稚萌 +2 位作者 毕孝国 闻雷 孙旭东 《金属学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2005年第1期93-98,共6页
用真空烧结方法制备了Al2O3/ZrO2(Y2O3)复合材料,分析了ZrO2(3Y)和ZrO2(2Y)含量对Al2O3基陶瓷抗弯强度、断裂韧性的影响.用XRD定量分析了含摩尔分数2％与3％Y2O3的ZrO2(2Y)与ZrO2(BY)在断裂过程中四方相转变成单斜相的相变量,用以阐明... 用真空烧结方法制备了Al2O3/ZrO2(Y2O3)复合材料,分析了ZrO2(3Y)和ZrO2(2Y)含量对Al2O3基陶瓷抗弯强度、断裂韧性的影响.用XRD定量分析了含摩尔分数2％与3％Y2O3的ZrO2(2Y)与ZrO2(BY)在断裂过程中四方相转变成单斜相的相变量,用以阐明增韧机制.结果表明,在ZrO2含量为15％(体积分数)时,Al2O3／ZrO2(3Y)和Al2O3/ZrO2(2Y)复合材料的抗弯强度、断裂韧性分别达到825 MPa,7.8 MPa·m1/2。和738 MPa,6.7 MPa·m1/2,两者的性能差异主要来自不同的增韧机制. 展开更多
关键词 Al2O3/ZrO2复合材料 真空烧结 相变增韧 力学性能
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微波烧结ZrO2(n)/Al_2O_3复合陶瓷工艺与组织 认领 引用 被引量：7
15
作者 艾云龙 何文 +1 位作者 刘长虹 陈同彩 《金属热处理》 CAS 北大核心 2010年第2期24-28,共5页
以纳米ZrO2、微米Al2O3为原料,采用微波烧结方式制备ZrO2/Al2O3复相陶瓷。探讨了烧结温度和保温时间对试样线收缩率、相对体积密度、硬度和断裂韧性的影响。结果表明,烧结温度1550℃,保温时间10 min,可得到较高的硬度(13 350 MPa)和较... 以纳米ZrO2、微米Al2O3为原料,采用微波烧结方式制备ZrO2/Al2O3复相陶瓷。探讨了烧结温度和保温时间对试样线收缩率、相对体积密度、硬度和断裂韧性的影响。结果表明,烧结温度1550℃,保温时间10 min,可得到较高的硬度(13 350 MPa)和较好的断裂韧度(6.41 MPa.m1/2),烧结过程中发生了m-ZrO2转变为t-ZrO2相变,nano-ZrO2的加入使Al2O3形成內晶型结构;试样的断裂方式为沿晶断裂和穿晶断裂并存;ZrO/AlO复合陶瓷主要通过应力诱导相变和内晶型结构进行增韧。 展开更多
关键词 微波烧结 纳米ZrO2 Al2O3 复合陶瓷 组织与性能
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纳米Al_2O_3/ZrO_2复合粉体的制备及表征 认领 引用 被引量：11
16
作者 陈国清 张凯锋 +1 位作者 王国峰 张蕾 《材料科学与工艺》 EI CAS 2004年第1期20-23,28,共4页
高性能的复合粉体是制备纳米复相陶瓷材料的关键.采用醇-水溶液加热法结合共沉淀过程制备纳米Al2O3/ZrO2复合粉体,研究了不同沉淀剂对粉体团聚的影响,利用透射电镜、X射线衍射、热重-差热分析、比表面积测定等技术对获得的纳米复合粉体... 高性能的复合粉体是制备纳米复相陶瓷材料的关键.采用醇-水溶液加热法结合共沉淀过程制备纳米Al2O3/ZrO2复合粉体,研究了不同沉淀剂对粉体团聚的影响,利用透射电镜、X射线衍射、热重-差热分析、比表面积测定等技术对获得的纳米复合粉体进行了表征.结果表明:采用NH4HCO3作为沉淀剂可以得到几乎无团聚的碱式碳酸盐前驱物,该前驱物在煅烧过程中的物相变化显示四方相氧化锆(t ZrO2)的形成温度大幅度地提高,同时在较低温度下生成了α Al2O3,在1100℃转变为t ZrO2相和α Al2O3相;粉体中两相颗粒分散良好、粒径一致、无硬团聚,其平均粒径为15～20nm,比表面积为69 5m2·g-1. 展开更多
关键词 纳米Al2O3/ZrO2复合粉体 制备工艺 沉淀剂 氧化锆 氧化铝 陶瓷材料
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溶胶-凝胶法制备Al_2O_3/ZrO_2涂层及对γ-TiAl合金高温氧化行为的影响 认领 引用 被引量：6
17
作者 张学军 高春香 +3 位作者 王蕾 李琪 王淑菊 张英 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS 北大核心 2010年第2期367-371,共5页
以异丙醇铝(Al(OC3H7)3)和氧氯化锆(ZrOCl2·8H2O)为原料,采用溶胶-凝胶法在γ-TiAl基合金表面制备Al2O3/ZrO2涂层。研究涂层试样和空白试样在1000℃静态空气中的长期氧化行为和循环氧化行为。结果表明:Al2O3/ZrO2涂层降低了该合金... 以异丙醇铝(Al(OC3H7)3)和氧氯化锆(ZrOCl2·8H2O)为原料,采用溶胶-凝胶法在γ-TiAl基合金表面制备Al2O3/ZrO2涂层。研究涂层试样和空白试样在1000℃静态空气中的长期氧化行为和循环氧化行为。结果表明:Al2O3/ZrO2涂层降低了该合金的氧化速率,提高了合金的抗循环氧化能力。对涂层的作用机制进行了探讨。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 Al2O3/ZrO2涂层 γ-TiAl合金 高温氧化行为
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ZrO2在β"─Al2O3复合陶瓷中的作用 认领 引用 被引量：7
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作者 温兆银 林祖镶 +2 位作者 顾中华 陈昆刚 樊增钊 《复合材料学报》 EI CAS 北大核心 1996年第3期38-42,共5页
本文研究了四方和立方ZrO2在与Na－β＂－Al2O3的复合陶瓷中作为第二相所起的各种作用。结果说明ZrO2对复合陶瓷具有细化晶粒、改善显微结构、提高强度和断裂韧性的作用，与此同时也在一定程度上降低离子电导率。在提高力学性能方面，四... 本文研究了四方和立方ZrO2在与Na－β＂－Al2O3的复合陶瓷中作为第二相所起的各种作用。结果说明ZrO2对复合陶瓷具有细化晶粒、改善显微结构、提高强度和断裂韧性的作用，与此同时也在一定程度上降低离子电导率。在提高力学性能方面，四方ZrO2除了具有与立方ZrO2相同的弥散颗粒的作用外，相变所起的作用也是很显著的。ZrO2－Na－β＂－Al2O3复合陶瓷是一种有应用价值的固体电解质材料。 展开更多
关键词 ZrO2 Al2O3 复合陶瓷
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Al_2O_3/ZrO_2(Y_2O_3)复合材料的可靠性、磨损形态及其切削耐用度 认领 引用 被引量：5
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作者 马伟民 闻雷 +2 位作者 管仁国 孙旭东 李喜坤 《中国有色金属学报》 EI CAS 北大核心 2007年第2期270-276,共7页
研究了Al2O3和Al2O3/ZrO2(Y2O3)复合刀具材料的Weibull分布、磨损形态及其切削耐用度。用一元线性回归方法确定Al2O3/ZrO2(Y2O3)刀具的耐用度参数,分析切削条件对Al2O3/ZrO2(Y2O3)复合刀具材料寿命的影响。结果表明:Al2O3和含2%(摩尔分... 研究了Al2O3和Al2O3/ZrO2(Y2O3)复合刀具材料的Weibull分布、磨损形态及其切削耐用度。用一元线性回归方法确定Al2O3/ZrO2(Y2O3)刀具的耐用度参数,分析切削条件对Al2O3/ZrO2(Y2O3)复合刀具材料寿命的影响。结果表明:Al2O3和含2%(摩尔分数)及3%Y2O3的ZrO2/Al2O3(Al2O3/ZrO2(2Y)及Al2O3/ZrO2(3Y))复合刀具材料Weibull模数的m值分别是5.6、10.2和11.7,说明Al2O3/ZrO2(3Y)陶瓷的可靠性最优;Al2O3/ZrO2(3Y)复合刀具切削40CrMoNiA合金钢的磨损形态主要来自磨粒磨损和粘结磨损,耐用度参数vc、f、ap的指数值分别为1.3、1.69和0.66,陶瓷刀具更适合高速切削,最大影响因素是进给量(f),在最佳切削条件下(vc=140 m/min,ap=0.5 mm和f=0.3 mm)切削耐用度为3 h。 展开更多
关键词 Al2O3/ZrO2(Y2O3)复合材料 刀具 可靠性 磨损形态 一元线性回归 耐用度
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Al_2O_3/ZrO_2快速凝固复合陶瓷显微结构与力学行为 认领 引用 被引量：7
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作者 赵忠民 张龙 +1 位作者 王卫国 宋义刚 《特种铸造及有色合金》 EI CAS 北大核心 2006年第11期681-684,共4页
通过在铝热剂中引入适量的ZrO2粉末，基于铝热氧化-还原反应、重力下陶瓷／金属液相分离，以大过冷条件下熔体共晶生长方式，制备出以ZrO2正方相纳微米纤维镶嵌于其上且长径比为8．0～12．0的蓝宝石棒晶及少量α-Al2O3片晶为基体的Al2O3... 通过在铝热剂中引入适量的ZrO2粉末，基于铝热氧化-还原反应、重力下陶瓷／金属液相分离，以大过冷条件下熔体共晶生长方式，制备出以ZrO2正方相纳微米纤维镶嵌于其上且长径比为8．0～12．0的蓝宝石棒晶及少量α-Al2O3片晶为基体的Al2O3／ZrO2自生复合陶瓷。通过材料力学性能测试与裂纹扩展路径观察，研究复合陶瓷显微结构与其力学行为之间的关系。结果表明，复合陶瓷的弯曲强度与断裂韧度分别达到1256MPa与13．2MPa·m^1/2；分布于蓝宝石棒晶上大量的面间距为纳微米尺度的Al2O3／ZrO2两相低能界面及残余压应力，使蓝宝石棒晶与陶瓷基体得以强化，迫使裂纹沿蓝宝石棒晶边界偏转；同时，因处于裂纹尖端尾部的蓝宝石棒晶桥接与拔出、α-Al2O3片晶桥接与摩擦互锁等效应，又使裂纹扩展呈现出强烈的稳定化倾向。 展开更多
关键词 Al2O3/ZrO2(Y2O3)复合陶瓷 蓝宝石棒晶 纳微米纤维 共晶生长 原位增韧
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