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ZrO_2/SiO_2多层膜的化学法制备研究 认领 引用 被引量：5
1
作者 杨帆 沈军 +4 位作者 吴广明 孙骐 付甜 张志华 王珏 《强激光与粒子束》 EI CAS 北大核心 2003年第4期326-330,共5页
　分别以ZrOCl2·8H2O和正硅酸乙酯为原料,采用溶胶 凝胶工艺制备了性能稳定的ZrO2和SiO2溶胶。用旋转镀膜法分别在K9玻璃和单晶硅片上制备了ZrO2/SiO2多层膜。采用溶剂替换和紫外光处理等手段,有效地解决了ZrO2/SiO2多层膜中膜层... 　分别以ZrOCl2·8H2O和正硅酸乙酯为原料,采用溶胶 凝胶工艺制备了性能稳定的ZrO2和SiO2溶胶。用旋转镀膜法分别在K9玻璃和单晶硅片上制备了ZrO2/SiO2多层膜。采用溶剂替换和紫外光处理等手段,有效地解决了ZrO2/SiO2多层膜中膜层开裂和膜间渗透等问题。应用扫描电子显微镜观测了薄膜的表面和剖面微观形貌,并用椭偏仪测得薄膜的厚度和折射率,研究了薄膜厚度、折射率与热处理温度、紫外光处理时间的关系,对所获得薄膜的紫外 可见、红外光谱进行了分析。用输出波长1064nm,脉宽15ns的电光调Q激光系统产生的强激光进行了单层膜的辐照实验,结果发现溶剂替换后激光损伤阈值有所提高。 展开更多
关键词 ZrO2/SiO2多层膜 氧化锆 二氧化硅 化学法制备 溶胶-凝胶工艺 紫外光处理 激光损伤阈值 旋转镀膜法
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基于Ni电极和ZrO_2/SiO_2/ZrO_2介质的MIM电容的导电机理研究 认领 引用
2
作者 刘骐萱 王永平 +1 位作者 刘文军 丁士进 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期287-294,共8页
研究了基于Ni电极和原子层淀积的ZrO_2/SiO_2/ZrO_2对称叠层介质金属-绝缘体-金属(MIM)电容的电学性能.当叠层介质的厚度固定在14nm时,随着SiO_2层厚度从0增加到2nm,所得电容密度从13.1 fF/μm^2逐渐减小到9.3fF/μm^2,耗散因子从0.025... 研究了基于Ni电极和原子层淀积的ZrO_2/SiO_2/ZrO_2对称叠层介质金属-绝缘体-金属(MIM)电容的电学性能.当叠层介质的厚度固定在14nm时,随着SiO_2层厚度从0增加到2nm,所得电容密度从13.1 fF/μm^2逐渐减小到9.3fF/μm^2,耗散因子从0.025逐渐减小到0.02.比较MIM电容的电流-电压(I-V)曲线,发现在高压下电流密度随着SiO_2厚度的增加而减小,在低压下电流密度的变化不明显,还观察到电容在正、负偏压下表现出完全不同的导电特性,在正偏压下表现出不同的高、低场I-V特性,而在负偏压下则以单一的I-V特性为主导.进一步对该电容在高、低场下以及电子顶部和底部注入时的导电机理进行了研究.结果表明,当电子从底部注入时,在高场和低场下分别表现出普尔-法兰克(PF)发射和陷阱辅助隧穿(TAT)的导电机理;当电子从顶部注入时,在高、低场下均表现出TAT导电机理.主要原因在于底电极Ni与ZrO_2之间存在镍的氧化层(NiO_x),且ZrO_2介质层中含有深浅两种能级陷阱(分别为0.9和2.3 eV),当电子注入的模式和外电场不同时,不同能级的陷阱对电子的传导产生作用. 展开更多
关键词 金属-绝缘体-金属电容 导电机理 ZrO2/SiO2/ZrO2叠层介质 Ni电极
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Fe-13Cr合金沉积(ZrO2-Y2O3)/(Al2O3-Y2O3)微叠层的抗氧化性能 认领 引用
3
作者 姚明明 何业东 +1 位作者 王德仁 高唯 《中国稀土学报》 CAS 北大核心 2005年第5期559-559,共1页
采用交替电化学沉积和烧结的方法在Fe-13Cr合金表面制备（ZrO2-Y2O3）／（Al2O3-Y2O3）微叠层复合膜。采用高分辨扫描电镜（FE-SEM）对微叠层进行表征，结果表明（ZrO2-Y2O3）／（Al2O3-Y2O3）微叠层具有纳米结构。采用SEM，DES和增重... 采用交替电化学沉积和烧结的方法在Fe-13Cr合金表面制备（ZrO2-Y2O3）／（Al2O3-Y2O3）微叠层复合膜。采用高分辨扫描电镜（FE-SEM）对微叠层进行表征，结果表明（ZrO2-Y2O3）／（Al2O3-Y2O3）微叠层具有纳米结构。采用SEM，DES和增重法用来研究Fe-13Cr合金沉积（ZrO2-Y2O3）／（Al2O3-Y2O3）微叠层的抗氧化性能。实验结果表明，这种微叠层对合金抗氧化性能的提高优于分别沉积ZrO2-Y2O3或Al2O3-Y2O3膜，其抗氧化性能随着涂层中层次的增加而提高。这些有益效应可归于这种微叠层综合了ZrO2-Y2O3或Al2O3-Y2O3膜的各种优点同时克服了缺点。 展开更多
关键词 微叠层复合膜 电化学沉积 氧化 Fe-13Cr合金 抗氧化性能 叠层 合金 ZrO2-Y2O3 复合膜 表面制备
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恒压应力下超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质与SiO_2栅介质寿命比较 认领 引用
4
作者 林钢 徐秋霞 《Journal of Semiconductors》 CAS 北大核心 2004年第12期1717-1721,共5页
以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结... 以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结果表明 ,Si3N4 / Si O2 叠层栅介质比同样 EOT的纯 Si O2 栅介质有更长的寿命 ,这说明 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质有更高的可靠性 . 展开更多
关键词 恒压应力 超薄Si3N4/SiO2 叠层栅介质 超薄SiO2栅介质 栅介质寿命预测
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表面活性剂模板在空气-水界面ZrO_2薄膜中的稳定性 认领 引用 被引量：1
5
作者 刘孝恒 John White 汪信 《无机化学学报》 SCIE CAS 北大核心 2005年第12期1827-1830,共4页
采用模板——十二烷基苯磺酸(DBS-H)在空气-水界面组装ZrO2薄膜,研究了DBS-H在ZrO2自组装薄膜中的水溶性、化学稳定性、热稳定性和光化学稳定性。模板的各类稳定性将直接控制ZrO2薄膜结构,主要表现在层间距变化上。从模板与Na2SiO3反应... 采用模板——十二烷基苯磺酸(DBS-H)在空气-水界面组装ZrO2薄膜,研究了DBS-H在ZrO2自组装薄膜中的水溶性、化学稳定性、热稳定性和光化学稳定性。模板的各类稳定性将直接控制ZrO2薄膜结构,主要表现在层间距变化上。从模板与Na2SiO3反应的研究中获得了一种制备ZrO2/SiO2复合氧化物薄膜的新方法,并推测出该复合薄膜的结构。 展开更多
关键词 ZrO2薄膜 十二烷基苯磺酸(DBS-H) 层间距 ZrO2/SiO2薄膜
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ZrO_2陶瓷与莫来石纤维叠层材料的连接 认领 引用
6
作者 高婉琪 刘家臣 +3 位作者 郭安然 杜海燕 庄梦梦 郑斌 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S1期354-357,共4页
分别采用凝胶注模叠层连接法和浸渍抽滤叠层连接法制备ZrO2陶瓷与莫来石纤维叠层材料。通过叠层材料的实物照片和连接处过渡层的SEM照片研究过渡层的连接效果,并通过XRD测试分析过渡层的元素分布来探索过渡层的连接机制。结果表明,凝胶... 分别采用凝胶注模叠层连接法和浸渍抽滤叠层连接法制备ZrO2陶瓷与莫来石纤维叠层材料。通过叠层材料的实物照片和连接处过渡层的SEM照片研究过渡层的连接效果,并通过XRD测试分析过渡层的元素分布来探索过渡层的连接机制。结果表明,凝胶注模法和浸渍抽滤法都可以将ZrO2陶瓷与莫来石纤维连接在一起,为叠层材料的连接和制备提供了新的手段。 展开更多
关键词 ZrO2陶瓷 莫来石纤维 叠层材料 连接
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ZrO_2/SiO_2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响 认领 引用 被引量：10
7
作者 邵淑英 范正修 邵建达 《物理学报》 SCIE EI CAS 北大核心 2005年第7期3312-3316,共5页
ZrO2/SiO2多层膜由相同沉积条件下的电子束蒸发方法制备而成,通过改变多层膜中高(ZrO2)、低(SiO2)折射率材料膜厚组合周期数的方法,研究了沉积在熔石英和BK7玻璃基底上多层膜中残余应力的变化.用ZYGO光学干涉仪测量了基底镀膜前后曲率... ZrO2/SiO2多层膜由相同沉积条件下的电子束蒸发方法制备而成,通过改变多层膜中高(ZrO2)、低(SiO2)折射率材料膜厚组合周期数的方法,研究了沉积在熔石英和BK7玻璃基底上多层膜中残余应力的变化.用ZYGO光学干涉仪测量了基底镀膜前后曲率半径的变化,并确定了薄膜中的残余应力.结果发现,该多层膜中的残余应力为压应力,随着薄膜中膜厚组合周期数的增加,压应力值逐渐减小.而且在相同条件下,石英基底上所沉积多层膜中的压应力值要小于BK7玻璃基底上所沉积多层膜中的压应力值.用x射线衍射技术测量分析了膜厚组合周期数不同的ZrO2/SiO2多层膜微结构,发现随着周期数增加,多层膜的结晶程度增强.同时多层膜的微结构应变表现出了与所测应力不一致的变化趋势,这主要是由多层膜中,膜层界面之间复杂的相互作用引起的. 展开更多
关键词 残余应力 SiO2 ZrO2 多层膜 周期数 组合 膜厚 基底材料 X射线衍射技术 玻璃基底 电子束蒸发 光学干涉仪 应力值 沉积条件 曲率半径 测量分析 石英基底 变化趋势 结构应变 结晶程度 相互作用 折射率 熔石英 压应力 微结构
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叠层薄膜基电荷陷阱存储器的存储性能研究 认领 引用
8
作者 汤振杰 张婷 殷江 《河南大学学报（自然科学版）》 CAS 2017年第1期92-96,共5页
随着半导体器件特征尺寸的不断减小,传统的浮栅型存储器件逐渐接近其物理和技术的极限,多晶硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)型电荷存储器件以其低电压、小尺寸及良好兼容性等特点成为近年来半导体行业研究的热点.但是,写入/擦除速度... 随着半导体器件特征尺寸的不断减小,传统的浮栅型存储器件逐渐接近其物理和技术的极限,多晶硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)型电荷存储器件以其低电压、小尺寸及良好兼容性等特点成为近年来半导体行业研究的热点.但是,写入/擦除速度与数据保持性能之间的平衡问题一直制约着SONOS型存储器件的发展.为了解决这一问题,本文利用脉冲激光沉积系统制备了叠层薄膜基电荷陷阱存储器件,其中SiO_2作为隧穿层,叠层ZrO_2/Al_2O_3作为电荷存储层,Al_2O_3作为阻挡层,并对器件的电荷存储性能做了系统分析.利用透射电子显微镜(TEM)表征了器件的微观结构,采用4200半导体参数分析仪测试了器件的电学性能,包括存储窗口、写入/擦除速度及数据保持性能.研究结果表明,存储器件具有良好的电荷存储性能.当栅极扫描电压为±2V时,存储窗口仅为0.9V,随着电压增加到±6和±8V时,存储窗口分别达到3和4.4V;+8V,5×10-5 s的写入操作下,平带偏移量达到1V;室温,85和150℃测试温度下,经过1×10~5 s的数据保持时间,器件的存储窗口减小量分别为5%,10%和24%.优异的电学性能主要归功于ZrO_2和Al_2O_3之间的深能级界面陷阱及层间势垒.因此,采用ZrO_2/Al_2O_3叠层薄膜结构作为电荷存储层,具有良好的市场应用前景. 展开更多
关键词 ZrO2/Al2O3叠层薄膜 电荷陷阱 存储器 脉冲激光沉积
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